3D NAND Flash 自主存儲器的出口
隨著全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、便攜設(shè)備等應(yīng)用帶動的數(shù)據(jù)存儲市場的快速增長,存儲器產(chǎn)業(yè)迎來了全面的發(fā)展契機(jī)。中國是全球第二大經(jīng)濟(jì)體,也是最大的存儲產(chǎn)品消費(fèi)市場,改變我國存儲產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面,在該領(lǐng)域擁有自己的核心技術(shù)和產(chǎn)品,也符合國家的戰(zhàn)略需求。
近幾年,各類存儲器中,NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。2015年全球NAND Flash市場規(guī)模達(dá)到267億美元,預(yù)計(jì)到2020年將達(dá)到450億美元。
然而2D NAND Flash面臨發(fā)展瓶頸,接近物理極限,其單位面積存儲容量難以繼續(xù)提高,且可靠性降低,而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑。
2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降,而3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200%的年均復(fù)合增長率遞增,預(yù)計(jì)2020年達(dá)到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品,成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。
除了東芝和SanDisk之外,三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)都已投入3D NAND Flash技術(shù)布局。3D NAND Flash每年成長將達(dá)到100%,這是一個(gè)巨大的市場機(jī)會。
在轉(zhuǎn)向3D NAND方面,實(shí)力最強(qiáng)的三星跑得最快,東芝/SanDisk、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比較慢的了,不過一旦3D NAND Flash開始量產(chǎn),由于容量先天性的優(yōu)勢,產(chǎn)能超過2D NAND Flash是遲早的事。
看好3D NAND Flash即將成為市場主流,2017年3D NAND Flash商機(jī)將噴發(fā),三星、東芝、SK Hynix、美光與英特爾等大廠紛擴(kuò)大3D NAND Flash投資力道,尋求技術(shù)與產(chǎn)能進(jìn)一步突破。
為了不讓三星在3D NAND Flash技術(shù)世代搶占先機(jī),英特爾已擬定2017年3D NAND Flash戰(zhàn)略,在制程技術(shù)與產(chǎn)能持續(xù)推進(jìn)下,預(yù)計(jì)自2017年2月起針對資料中心、專業(yè)、消費(fèi)性與嵌入式市場,將發(fā)布多款3D NAND TLC新品。
3D DAND Flash相比DRAM更有助于中國存儲器戰(zhàn)略實(shí)現(xiàn)超越,DRAM生態(tài)走向寡占市場,主要被三星、海力士、美光等韓美廠占據(jù),中國在國際市場上可以合作的技術(shù)授權(quán)方很少,另外相比NAND領(lǐng)域,DRAM存在更高的技術(shù)壁壘和大廠折舊優(yōu)勢,不利于中國實(shí)現(xiàn)彎道超車。
不同于基于微縮技術(shù)的2D NAND Flash,3D NAND Flash的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝,技術(shù)工藝差別較大,而且除了三星,其他企業(yè)在3D NAND Flash布局方面走的并不遠(yuǎn)。
基于此, 中國企業(yè)通過技術(shù)合作,專利授權(quán)許可,快速切入該領(lǐng)域,避免了國際企業(yè)在傳統(tǒng)技術(shù)研發(fā)中的設(shè)備折舊優(yōu)勢,并且在這個(gè)技術(shù)變革過程中我們又有望實(shí)現(xiàn)彎道超車。
長江存儲是國家存儲器戰(zhàn)略的主要實(shí)施主體,已經(jīng)積累了十年的閃存制造經(jīng)驗(yàn)和一批關(guān)鍵人才,擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的國際化管理團(tuán)隊(duì),包括業(yè)界頂尖領(lǐng)軍人才和專家,并有大量的專業(yè)人才儲備,同時(shí)擁有參與全球化競爭的知識產(chǎn)權(quán)平臺,具備研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)的基礎(chǔ)。
2014年長江存儲旗下的武漢新芯和中科院微電子研究所通過產(chǎn)研深度結(jié)合的模式,發(fā)揮雙方優(yōu)勢,展開3D NAND Flash的聯(lián)合技術(shù)研發(fā)。經(jīng)過8個(gè)月的技術(shù)攻關(guān),2015年中,武漢新芯宣布3D NAND Flash研發(fā)取得突破,具有9層結(jié)構(gòu)的存儲器芯片下線并一次性通過了存儲器功能的電學(xué)驗(yàn)證。目前,武漢新芯3D NAND Flash研發(fā)正在朝著產(chǎn)品化穩(wěn)步推進(jìn)。此外,武漢新芯與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作,切入32層和64層3D NAND Flash技術(shù)。
按長江存儲的32層 3D NAND Flash產(chǎn)品規(guī)劃,預(yù)計(jì)2018年下半年開始量產(chǎn),2019年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載,屆時(shí)與國際前沿技術(shù)縮短到半代的差距,而他們力爭在2020年追上世界領(lǐng)先技術(shù)。
盡管中國自主3D NAND Flash雛形漸現(xiàn),長江存儲旗下的武漢新芯也通過與國外廠商飛索(Spansion)的合作,切入32層和64層3D NAND技術(shù),但由于門檻較高,仍有很長且很艱巨的路要走,這是一個(gè)持久戰(zhàn),我們需要有清醒的認(rèn)識和思想準(zhǔn)備。
從三星、東芝、海力士、美光的3D NAND Flash研發(fā)經(jīng)歷也可以看出,盡管他們都投入了大量資源,但仍耗費(fèi)相當(dāng)長的時(shí)間才構(gòu)建完成,3D NAND Flash技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當(dāng)中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長時(shí)間打磨方可實(shí)現(xiàn)。
存儲器市場更新?lián)Q代快,優(yōu)勝劣汰競爭激烈,且極易受到上下游產(chǎn)業(yè)和宏觀經(jīng)濟(jì)的影響。從全球來看,存儲器行業(yè)總體呈向上趨勢卻始終處于周期性波動中,呈現(xiàn)出遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平均值的巨幅波動,每當(dāng)大幅獲利之時(shí)也就意味著巨額虧損已經(jīng)不遠(yuǎn)了,歷史上大起大落的走勢屢見不鮮。同時(shí),存儲器行業(yè)也是一個(gè)產(chǎn)值巨大,需要長期巨額投入,但短期看不到回報(bào),需要國家扶持的行業(yè)。
所以中國積極扶持現(xiàn)有存儲領(lǐng)域具備競爭力的龍頭企業(yè),積累人才基礎(chǔ),提高產(chǎn)業(yè)深度,加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)規(guī)律認(rèn)知成為發(fā)展必須路徑。中國應(yīng)在國內(nèi)企業(yè)具備初步產(chǎn)業(yè)競爭力的同時(shí),大力增強(qiáng)企業(yè)的管理能力和整合能力。在沒有并購可能性出現(xiàn)之前,通過市場交換或者資本手段主動尋求國際合作伙伴。
中國面臨發(fā)展存儲器的歷史性機(jī)遇,或許是最后的機(jī)遇。首先,國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在向中國轉(zhuǎn)移。其次,中國消費(fèi)市場巨大,有足夠的需求拉動消費(fèi)。第三,存儲器行業(yè)出現(xiàn)新的增長引擎,如物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、穿戴設(shè)備等。第四,新技術(shù)的出現(xiàn),老技術(shù)迎來拐點(diǎn)。最后, 國家政策對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力扶持,是中國產(chǎn)業(yè)界發(fā)展存儲器的良好契機(jī)。
希望我國自主存儲器可借助 3D Nand Flash 技術(shù)轉(zhuǎn)換機(jī)會實(shí)現(xiàn)彎道超車,填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域的空白,滿足國內(nèi)外大數(shù)據(jù)應(yīng)用和物聯(lián)網(wǎng)市場對存儲器產(chǎn)品的巨大需求。