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中芯國(guó)際28nm存儲(chǔ)芯片 VS NAND閃存?完勝！
對(duì)數(shù)碼、家電等產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)芯片是不可缺少的部件之一，企業(yè)的進(jìn)步代表了一個(gè)國(guó)家芯片的發(fā)展程度。無(wú)論是對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)，還是在實(shí)際應(yīng)用中，存儲(chǔ)芯片的重要性還是很明顯的。日前中芯國(guó)際出樣40nm ReRAM存儲(chǔ)芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)，這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
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趕超日韓不是夢(mèng) 國(guó)產(chǎn)化芯片比NAND快一千倍
存儲(chǔ)芯片一直是數(shù)碼、家電等領(lǐng)域的必備芯片之一，企業(yè)代表著一個(gè)國(guó)家芯片的發(fā)展程度，它的重要性就如同前陣子國(guó)產(chǎn)“圓珠筆頭”獲得成功一樣。無(wú)論是產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)，還是實(shí)際應(yīng)用，存儲(chǔ)芯片都顯得很重要。
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我國(guó)為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點(diǎn)？
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。
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為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士花億元美金士建新廠
近日SK海力士為滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求，宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元（18.4億美金）。
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美光宣布 3D NAND 閃存年底前大量投產(chǎn)
本周宣布正式合并中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)塑旗下存儲(chǔ)廠華亞科的美商存儲(chǔ)大廠美光 (Micron) 在 15 日表示，由于該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò) 2D NAND 閃存。其中，包括第
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NAND缺口達(dá)顛峰 推升SSD價(jià)漲逾10%
DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智能手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng)，第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續(xù)創(chuàng)年度新高，
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流
慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)保駕護(hù)航
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3D NAND技術(shù)發(fā)展 2年內(nèi)SSD全部取代HDD？不會(huì)！
對(duì)于閃存存儲(chǔ)來(lái)講，容量和價(jià)格是其普及的主要因素，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展突破，在將來(lái)閃存存儲(chǔ)一定會(huì)成為主流，但要想全面取代HDD，筆者認(rèn)為兩年內(nèi)是不可能達(dá)成的。最近，Tec
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NAND控制芯片廠點(diǎn)序投資銀燦案 最快9月完成
NAND Flash控制芯片廠點(diǎn)序受NAND Flash市場(chǎng)缺貨影響，波及客戶下單量，導(dǎo)致8月業(yè)績(jī)下滑，第3季營(yíng)收恐呈現(xiàn)季減情況，不過(guò)，預(yù)計(jì)第4季表現(xiàn)可隨市場(chǎng)供需情況紓解而改善。而該
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英特爾發(fā)布多系列3D NAND固態(tài)盤(pán)
今日，英特爾發(fā)布了一系列基于3D NAND技術(shù)的固態(tài)盤(pán)以滿足消費(fèi)與商用客戶端市場(chǎng)、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。“這幾款全新推出的固態(tài)盤(pán)是英特爾三十余年在存儲(chǔ)器技術(shù)
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產(chǎn)能轉(zhuǎn)移——3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)明年來(lái)臨
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃來(lái)看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開(kāi)出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)。
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3D NAND 高壓競(jìng)爭(zhēng)，三星獨(dú)家領(lǐng)先
平面NAND閃存的制程己經(jīng)達(dá)15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲(chǔ)器的容量及帶寬，向3D NAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢(shì)。
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3D NAND大戰(zhàn)：美光奮起直追，三星直冒冷汗
報(bào)告稱，英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會(huì)上市。估計(jì)第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會(huì)大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案
美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。
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什么原因讓三星，海力士如此青睞3D NAND Flash技術(shù)？
面對(duì)大陸的積極追趕，三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)進(jìn)行西安工廠的相關(guān)投資，同時(shí)也加緊興建位于南韓的平澤工廠，欲將其打造為全球最大規(guī)模的單一產(chǎn)線，用于投入3D NAND Flash量產(chǎn)。
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嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——紫光攜手武漢新芯共創(chuàng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)
對(duì)于中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界目前最為關(guān)注的仍是專利技術(shù)的獲取。相信，在紫光集團(tuán)與武漢新芯攜手之后，將加大新公司與技術(shù)授權(quán)來(lái)源美光的談判優(yōu)勢(shì)，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術(shù)授權(quán)。
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三星將領(lǐng)先東芝量產(chǎn)64層3D NAND
據(jù)報(bào)道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。東芝及WD(西部數(shù)據(jù))稱，將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND Flash制程，相對(duì)落后于NAND Flash市占王三星。
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，Intel
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西安變電站爆炸 新一代蘋(píng)果Flash生產(chǎn)受影響
據(jù)報(bào)道，18 日凌晨位于西安市南郊一處的變電站疑似因?yàn)楣收隙鸨ㄆ鸹?，火光沖天照亮夜空，幸沒(méi)有人受傷。但逾 8 萬(wàn)用戶一度停電，附近商店窗戶玻璃被震碎，汽車也有損壞。官方初步勘察后沒(méi)有發(fā)現(xiàn)人為破壞跡像，
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為何說(shuō)固態(tài)存儲(chǔ)是浪潮存儲(chǔ)進(jìn)入全球前五的關(guān)鍵?
筆者一直關(guān)注浪潮存儲(chǔ)的發(fā)展。2015年以來(lái)，浪潮存儲(chǔ)在技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、組織方面都有飛的突破。浪潮在存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多年積累之后，有了突破的一個(gè)表現(xiàn)包括2015年高端存儲(chǔ)的發(fā)布，以及過(guò)去連續(xù)3年存儲(chǔ)的增速超過(guò)
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