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中芯國際28nm存儲芯片 VS NAND閃存?完勝！
對數(shù)碼、家電等產(chǎn)業(yè)來說，存儲芯片是不可缺少的部件之一，企業(yè)的進步代表了一個國家芯片的發(fā)展程度。無論是對于產(chǎn)業(yè)鏈來說，還是在實際應(yīng)用中，存儲芯片的重要性還是很明顯的。日前中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片，更先進的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
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趕超日韓不是夢 國產(chǎn)化芯片比NAND快一千倍
存儲芯片一直是數(shù)碼、家電等領(lǐng)域的必備芯片之一，企業(yè)代表著一個國家芯片的發(fā)展程度，它的重要性就如同前陣子國產(chǎn)“圓珠筆頭”獲得成功一樣。無論是產(chǎn)業(yè)鏈來說，還是實際應(yīng)用，存儲芯片都顯得很重要。
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我國為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點？
長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士花億元美金士建新廠
近日SK海力士為滿足NAND Flash市場增加的需求，宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元（18.4億美金）。
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美光宣布 3D NAND 閃存年底前大量投產(chǎn)
本周宣布正式合并中國臺灣地區(qū)臺塑旗下存儲廠華亞科的美商存儲大廠美光 (Micron) 在 15 日表示，由于該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能日前正式超過 2D NAND 閃存。其中，包括第
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NAND缺口達顛峰 推升SSD價漲逾10%
DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智能手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計保駕護航
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3D NAND技術(shù)發(fā)展 2年內(nèi)SSD全部取代HDD？不會！
對于閃存存儲來講，容量和價格是其普及的主要因素，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展突破，在將來閃存存儲一定會成為主流，但要想全面取代HDD，筆者認為兩年內(nèi)是不可能達成的。最近，Tec
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NAND控制芯片廠點序投資銀燦案 最快9月完成
NAND Flash控制芯片廠點序受NAND Flash市場缺貨影響，波及客戶下單量，導(dǎo)致8月業(yè)績下滑，第3季營收恐呈現(xiàn)季減情況，不過，預(yù)計第4季表現(xiàn)可隨市場供需情況紓解而改善。而該
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英特爾發(fā)布多系列3D NAND固態(tài)盤
今日，英特爾發(fā)布了一系列基于3D NAND技術(shù)的固態(tài)盤以滿足消費與商用客戶端市場、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。“這幾款全新推出的固態(tài)盤是英特爾三十余年在存儲器技術(shù)
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產(chǎn)能轉(zhuǎn)移——3D NAND殺戮戰(zhàn)場明年來臨
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴產(chǎn)計劃來看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場。
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3D NAND 高壓競爭，三星獨家領(lǐng)先
平面NAND閃存的制程己經(jīng)達15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3D NAND技術(shù)邁進是必然趨勢。
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3D NAND大戰(zhàn)：美光奮起直追，三星直冒冷汗
報告稱，英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會上市。估計第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
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美光科技推出適用于下一代智能手機的移動 3D NAND 解決方案
美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)今日推出了首項適用于移動設(shè)備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。
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什么原因讓三星，海力士如此青睞3D NAND Flash技術(shù)？
面對大陸的積極追趕，三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)進行西安工廠的相關(guān)投資，同時也加緊興建位于南韓的平澤工廠，欲將其打造為全球最大規(guī)模的單一產(chǎn)線，用于投入3D NAND Flash量產(chǎn)。
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嚴峻挑戰(zhàn)——紫光攜手武漢新芯共創(chuàng)長江存儲
對于中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，業(yè)界目前最為關(guān)注的仍是專利技術(shù)的獲取。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之后，將加大新公司與技術(shù)授權(quán)來源美光的談判優(yōu)勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術(shù)授權(quán)。
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三星將領(lǐng)先東芝量產(chǎn)64層3D NAND
據(jù)報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。東芝及WD(西部數(shù)據(jù))稱，將于2017年上半年開始量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND Flash制程，相對落后于NAND Flash市占王三星。
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘
現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，Intel
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西安變電站爆炸 新一代蘋果Flash生產(chǎn)受影響
據(jù)報道，18 日凌晨位于西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火，火光沖天照亮夜空，幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電，附近商店窗戶玻璃被震碎，汽車也有損壞。官方初步勘察后沒有發(fā)現(xiàn)人為破壞跡像，
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為何說固態(tài)存儲是浪潮存儲進入全球前五的關(guān)鍵?
筆者一直關(guān)注浪潮存儲的發(fā)展。2015年以來，浪潮存儲在技術(shù)、產(chǎn)品、市場、組織方面都有飛的突破。浪潮在存儲技術(shù)和產(chǎn)品經(jīng)過多年積累之后，有了突破的一個表現(xiàn)包括2015年高端存儲的發(fā)布，以及過去連續(xù)3年存儲的增速超過
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