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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，因此11月上旬合約價(jià)較
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武漢新芯：自主3D NAND研制成功，全靠“產(chǎn)學(xué)研用”
近日，武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家迅速發(fā)展的300MM集成電路制造商，今日宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，第一個(gè)具有9層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過(guò)存儲(chǔ)器
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指甲大小芯片裝千部高清電影，超級(jí)存儲(chǔ)器有這么不可思議
想象一下，在指甲大小的芯片上蓋起9層高樓，難度有多大?昨日，楚天金報(bào)從總部位于光谷的武漢新芯集成電路制造有限公司(下稱：武漢新芯)獲悉，經(jīng)過(guò)半年技術(shù)攻關(guān)，該公司首個(gè)
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蘋(píng)果拉動(dòng)NAND FLASH，供需終于要平衡了
TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及 2015年度蘋(píng)果(Apple)新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可
武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專家對(duì)該項(xiàng)目的技術(shù)先進(jìn)性
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)
南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士將把事業(yè)重心放
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三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成
全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NA
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東芝擴(kuò)大符合e·MMC 5.1版標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容
支持“command queuing”和“secure write protection”特性東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)) e∙MMC™ 版 5.
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NAND FLASH扇區(qū)管理
首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page)，64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
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8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成
根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%。集邦科技表示
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IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展
隨著 DRAM 和 NAND 技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次記憶體的道路，IC Insights密切觀察有關(guān) DRAM 和 NAND 供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的 DRAM / NAND發(fā)展藍(lán)圖
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應(yīng)用材料公司推出革命性的針對(duì)FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測(cè)設(shè)備
21ic訊 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽(yáng)能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司，在加利福尼亞州圣何塞舉行的國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)先進(jìn)光刻技術(shù)大會(huì)上，推出了業(yè)界首款在線3D掃描電子線寬量測(cè)系統(tǒng)，成
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美光：始終專注企業(yè)級(jí)閃存 觀望3D NAND
在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下，2D或者說(shuō)平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證，美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩年的NAND設(shè)計(jì)方案推向
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S5PV210之Nand flash驅(qū)動(dòng)編寫(xiě)
大家好，又到了天嵌【嵌入式分享】的時(shí)間，相對(duì)于前幾期【嵌入式分享】做的主要是TQ335X開(kāi)發(fā)板的技術(shù)分享，本期決定做同是cortex-a8系列的TQ210開(kāi)發(fā)板的技術(shù)分享。本期是關(guān)于TQ210開(kāi)發(fā)板的Nand flash驅(qū)動(dòng)編寫(xiě)，可能
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DRAM近期拉貨強(qiáng)勁 本月價(jià)格可望強(qiáng)彈
主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道，本月價(jià)格可望強(qiáng)彈;應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)因補(bǔ)貨需求落空，價(jià)格看跌。
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TDK開(kāi)發(fā)出eSSD系列控制器
NAND型閃存和閃存控制器一體化，以17mm×17mm尺寸實(shí)現(xiàn)了容量為1GByte～4GByte的SATA 3Gbps SSD TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)成功開(kāi)發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤(pán)eSSD系列
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存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國(guó)制造帶來(lái)了什么機(jī)遇？
縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源，當(dāng)年的
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DRAM近期拉貨強(qiáng)勁 本月價(jià)格可望強(qiáng)彈
主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道，本月價(jià)格可望強(qiáng)彈;應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)因補(bǔ)貨需求落空，價(jià)格看跌。
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DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片發(fā)展趨勢(shì)
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺(tái)，并與LP-DDR3存儲(chǔ)器將同時(shí)存在一段時(shí)間;至于NAND Flash快閃存儲(chǔ)器也跨
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SSD前景因延遲和錯(cuò)誤率蒙上陰影
加州大學(xué)和微軟的研究發(fā)現(xiàn)，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會(huì)出現(xiàn)顯著的性能退化。當(dāng)電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會(huì)增加一倍。加州大學(xué)的研究生Laura
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