-
基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術研究
NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數(shù)，如tREA（讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間）和tBERS（塊擦除時間）等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性能的測試要求。
-
淺析Nand Flash編程應用難點
Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)
-
為什么3D NAND的平均生命周期很短？
隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
-
NAND閃存深入解析
對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的
-
大容量NAND FALSH的原理及應用
摘要:VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量(2Tb)NAND FLASH，文中介紹了該芯片的結構和原理，并針對基于FPGA的應用進行了說明。
-
大容量NAND FALSH的原理及應用
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量（2Tb）NAND FLASH，文中介紹了該芯片的結構和原理，并針對基于FPGA的應用進行了說明。
-
捍衛(wèi)霸主地位 NAND芯片市場風云變幻
三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
-
捍衛(wèi)霸主地位 NAND芯片市場風云變幻
三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?！笨墒牵堑耐顿Y真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
-
存儲器價格持續(xù)上漲，背后意味著什么？
根據(jù)市場分析師表示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND的價格正居高不下，而且預計還會更進一步攀升。許多人認為目前的存儲器市場情況只是暫時的供需不均衡?；蛘?，他們預期當3D NAND快閃存儲器(flash)的制造趨于成熟后，就能解決目前的市場情況。然而，以DRAM的市況而言，沒人能知道DRAM供應何時會改善。
-
東芝這個業(yè)務到底能不能賣出去了？
東芝未能在自行設定的周四截止日期之前達成出售芯片業(yè)務的交易。這令人懷疑該公司能否及時堵上財務窟窿以避免退市，并維持芯片業(yè)務的競爭力。芯片業(yè)務是東芝的重要資產(chǎn)。
-
三星為確保晶圓貨源，開啟搶晶圓大戰(zhàn)
2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動DRAM、3D NAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。
-
NAND供不應求，三星擴產(chǎn)
不久前，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?！笨墒牵堑耐顿Y真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
-
半導體供不應求，日本半導體市場走勢向好
日本半導體設備市場，從2016年夏季日圓對美元匯率下跌以來，便持續(xù)成長，現(xiàn)在除短期的存儲器與面板設備需求暢旺外，中長期還有5G與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關設備需求，市場開始認為這波不是傳統(tǒng)的2年景氣周期，而是更長期設備市場榮景的開始。
-
再投70億美元!三星欲擴大在華閃存芯片產(chǎn)能
近日消息，三星電子稱預計未來三年將投資70億美元，擴大其在中國西安工廠的NAND閃存芯片(晶片)生產(chǎn)。據(jù)路透社報道，該公司在一份監(jiān)管文件中稱，28日已批準70億美元預期投資中的23億美元支出。報道稱，三星電子7月初曾
-
eMMC/UFS/SSD全部小漲
研調(diào)機構集邦科技內(nèi)存儲存研究DRAMeXchange指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3～10%的季增水平。
-
3D NAND亟待解決的技術問題，你知道答案嗎？
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結構的NAND閃存已接近其實際擴展極限，給半導體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。
-
內(nèi)存供不應求，三星/SK變成“熱鍋上的螞蟻”
三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)礙于南韓新頒布的學生不得加班法令，滿手訂單卻陷入缺工困境，正急著大舉招募新人幫手。
-
三星或于明年推出一款超大容量的3D NAND芯片
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
-
1 Tb的3D NAND芯片，這樣的三星，你愛嗎？
據(jù)外媒消息，三星電子 NAND Flash 技術再升級，9 日宣布研發(fā)出容量達 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，預計明年問世。三星宣稱，這一技術是過去 10 年來存儲器的最大進展之一，本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運用于SSD(固態(tài)硬盤)上，計劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
-
存儲器芯片市場“艷陽高照”，東芝卻是“烏云密布”
由于云端應用帶動數(shù)據(jù)中心建設、智能手機追求更大容量和更快運算，以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲器等因素，數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM，以及數(shù)據(jù)存儲用的 NAND Flash，市場成長速度均高于電腦與智能手機市場的成長率。
loyaltz
明天你好8
guoyun_he
donny_
xyz549040622
搬磚砌樓
dog_xin
jasontu
hjl2832
火焰舞者
happde
happde
wcg13537439710
fanguang2003
劍圣灬哥
lixiangyu808
MinMinMin
htjxianjian
GB20
天命風流
