3月27日消息,近期,隨著內(nèi)存市場開始迎來復(fù)蘇,多家供應(yīng)商紛紛調(diào)漲價格以應(yīng)對接下來的市場變化,繼閃迪傳出調(diào)漲價格之后,美光也宣布了其漲價計劃。
12月25日消息,據(jù)媒體報道,面對市場需求疲軟和價格持續(xù)下跌的壓力,NAND閃存大廠美光將減少10%的NAND晶圓產(chǎn)量,以調(diào)控供給量,期望借此提振市場需求。
e絡(luò)盟將 Flexxon 的高級 NAND 閃存存儲與硬件安全解決方案擴展至美洲、歐非中東及亞太地區(qū)
與DRAM內(nèi)存不同,NAND在斷電后也能夠儲存數(shù)據(jù)。閃存斷電時,浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導(dǎo)體會向存儲單元供電,保持數(shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲1到4位數(shù)據(jù)。
256GB AM9C1使用先進的V-NAND技術(shù),5nm制程控制器,提供SLC模式選項,速度目前為三星最快 更高的性能和可靠性,使此款SSD支持端側(cè)AI功能,更適配下一代車載解決方案 深圳2024年9月24日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NA...
三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術(shù),其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,三星首款1太比...
深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 隨著消費者對電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長,市場上對元器件的選擇標準也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中,NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲和處理速度上的核心作用,成為了廠商們尤為重視的焦點。在這一背景下,NAND Flash不僅需要滿足基...
在存儲技術(shù)領(lǐng)域,SD卡作為一種常見的存儲媒體,其內(nèi)部采用的存儲技術(shù)直接影響著性能和可靠性??蛻絷P(guān)心SD卡內(nèi)部是否采用EMMC(嵌入式多媒體卡)還是NAND(非易失性存儲器)技術(shù)。拓優(yōu)星辰將對這兩種存儲技術(shù)進行詳細解析,幫助客戶更好地理解SD卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
隨著AI應(yīng)用的興起,對于數(shù)據(jù)中心提出了更高的要求。而作為數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲和流轉(zhuǎn)部件,SSD也面臨著一系列新的挑戰(zhàn)。
業(yè)界領(lǐng)先的美光 2650 NVMe SSD(基于第九代 NAND 技術(shù))已批量出貨
美光 2500 SSD 采用業(yè)界領(lǐng)先的 QLC NAND,性能遠超競品
2024年3月27日上午,美光西安新封測廠奠基儀式成功召開。
DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道
業(yè)內(nèi)消息,韓媒稱三星電子已將西安工廠的NAND閃存開工率至 70%。西安工廠是三星電子唯一處于韓國境外的存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,月產(chǎn)能為 20 萬片 300mm 晶圓,占三星整體 NAND 產(chǎn)量的 40%。
SEMulator3D 工藝建模在開發(fā)早期識別工藝和設(shè)計問題,減少了開發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時間
業(yè)內(nèi)消息,NAND芯片價格止跌回升后,目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達到損益兩平點有一段差距。不少NAND相關(guān)業(yè)者表示,NAND芯片供應(yīng)商為達賺錢目的將持續(xù)強力拉抬報價,預(yù)料還要再漲四成以上,才能讓大廠跨過損平基準,要能賺錢,未來報價漲幅至少會達五成甚至更高。
EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬擦寫次數(shù); 高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作
美光 3500 是全球首款采用200+ 層 NAND 技術(shù)的高性能客戶端 SSD
海量數(shù)據(jù)的增長,來自各種創(chuàng)新應(yīng)用的興起,都為世界帶來新的變化。從智能汽車、大語言模型、到AR/VR,數(shù)據(jù)從傳感器中被收集,然后經(jīng)過端側(cè)計算單元的處理,最終通過無線傳輸?shù)皆贫?,在世界各地的大型超算集群中進行深度價值挖掘。在整個數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的過程中,離不開各種內(nèi)存和存儲系統(tǒng)的參與。數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸增長,導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲的需求也指數(shù)上升。“存力”必須要與“算力”同步升級,才能真正實現(xiàn)人類社會數(shù)字化可持續(xù)的未來。
業(yè)內(nèi)消息,近日三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免,其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設(shè)備。知情人士透露三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并開始大規(guī)模擴張。