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蘋果3.9億美元收購(gòu)閃盤組建供應(yīng)商Anobit
1月12日消息 據(jù)彭博社報(bào)道，有消息人士表示，蘋果以3.9億美元的價(jià)格完成收購(gòu)以色列閃存盤部件制造商Anobit。據(jù)稱，該收購(gòu)價(jià)格較此前Anobit方面的報(bào)價(jià)要低。收購(gòu)傳聞最早于
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感謝蘋果iphon6！NAND芯片進(jìn)入最強(qiáng)使用潮
在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，業(yè)界皆以蘋果為首。在iphone6沒出之前就流傳著“iphone6不出，業(yè)界無(wú)以為手機(jī)”。蘋果的影響力由此可見一斑?，F(xiàn)在蘋果iphone6終于來(lái)了，在其引領(lǐng)手機(jī)發(fā)展的同時(shí)，無(wú)意中也大大影響了NAN
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蘋果掀NAND芯片最大使用潮
蘋果發(fā)布iPhone 6 與iPhone 6 Plus兩款新機(jī)，因應(yīng)4G時(shí)代對(duì)超大影音檔案儲(chǔ)存需求，最高儲(chǔ)存容量增至128GB，主打64GB機(jī)種，比原本大增三倍，是歷來(lái)儲(chǔ)存容量最高的iPhone。蘋果以儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)為儲(chǔ)存空間
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中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
21ic訊 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可
21ic訊 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專家對(duì)該項(xiàng)目的技術(shù)
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三星展示新款外接式SSD 采TLC VNand顆粒
雖然用SSD當(dāng)做隨身儲(chǔ)存裝置并非創(chuàng)新，不過三星在此次IFA 2014期間首度推出以隨身儲(chǔ)存為訴求的外接式SSD「T1」，并且以micro USB 3.0作為連接接口。三星針對(duì)隨身儲(chǔ)存訴求推出外接式SSD「T1」，并且采用輕巧、迷你機(jī)身
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NAND Flash存儲(chǔ)器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
O 引言Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)
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應(yīng)用材料公司推出CMP和CVD新產(chǎn)品
OFweek顯示網(wǎng)訊 2014年7月7日，加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關(guān)鍵性挑戰(zhàn)的全新半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導(dǎo)體材料工程上的專業(yè)領(lǐng)
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Intel-鎂光公布25nm NAND細(xì)節(jié) 采用Airgap技術(shù)
在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會(huì)上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細(xì)節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會(huì)是首款將曾被IBM熱捧的AirGap(空氣隙型介電層
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NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代，DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
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三星蟬聯(lián)SSD市場(chǎng)老大 營(yíng)收超過第二、第三總和
相比處理器、主板和顯卡市場(chǎng)的不慍不火，SSD固態(tài)硬盤這幾年倒是很猛，而且在NAND供應(yīng)短缺的影響下，下半年的SSD價(jià)格據(jù)說還要漲。根據(jù)蓋特納的統(tǒng)計(jì)，在2013年的全球SSD固態(tài)硬盤市場(chǎng)上，三星毫無(wú)意外地繼續(xù)蟬聯(lián)第一名，
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NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代，DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
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系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價(jià)續(xù)揚(yáng)2-5%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供貨商為了追求利潤(rùn)極大化，開始重新配置產(chǎn)能，透過縮減通路供給量來(lái)滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)上漲
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NAND Flash顆粒漲聲待續(xù)
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供應(yīng)商為了追求利潤(rùn)極大化，開始重新配置產(chǎn)能，透過縮減通路供給量來(lái)滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)
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分析師預(yù)言英特爾、美光將在NAND市場(chǎng)分道揚(yáng)鑣
英特爾(Intel)與美光(Micron)將在 NAND 快閃存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)上分道揚(yáng)鑣嗎?一位市場(chǎng)分析師斷言，美光將撇下英特爾自己走自己的NAND之路。但英特爾拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論，表示該分析師
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旺宏發(fā)展3D NAND 掌握專利蓄勢(shì)待發(fā)
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣digitimes的消息，臺(tái)系記憶體廠旺宏積極累積快閃記憶體專利，獨(dú)立研發(fā)3D NAND技術(shù)，目前公司80~90%研發(fā)費(fèi)用都投注在3D NAND技術(shù)上，長(zhǎng)期發(fā)展是要與國(guó)際大廠一較高下?？扉W記憶體市場(chǎng)下一階段進(jìn)入3D NAND
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6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上NANDFlash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NANDFlash合約價(jià)上
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六月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4% 第三季可望續(xù)上漲
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智能型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%。展望第三季，
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6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上 NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲
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6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4% Q3可望續(xù)漲
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣精實(shí)新聞的消息，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智能手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約
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