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SK海力士斥巨資投資存儲器，被警告產(chǎn)能過剩
據(jù)海外媒體報道，從去年下半到今年上半以來，DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%，主要是由于存儲器進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)能大減，使得廠商無不撒錢擴(kuò)產(chǎn)。但是 IC Insights 警告，過度投資恐怕會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩。
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紫光融資道路被截斷 恐是風(fēng)暴開端
近期大陸紫光集團(tuán)拋出旗下紫光國芯終止對長江存儲的股權(quán)收購，成為兩岸存儲器產(chǎn)業(yè)震撼彈，紫光國芯原本要100%收購專職3D NAND業(yè)務(wù)的長江存儲，但紫光內(nèi)部評估長江存儲未來要進(jìn)入獲利階段，可能要等上5年，因此，紫光國芯暫停該收購案，但紫光仍強(qiáng)調(diào)長江存儲需要的人民幣386億元(折合新臺幣逾1，700億元)資金全數(shù)到位，建設(shè)時程一切按既定計劃。
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矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長
據(jù)報道，矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長，本季受到非蘋智能手機(jī)陣營下單偏向保守，以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑，不過今年第四季可望因?yàn)楦黜?xiàng)產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨，全年合并營收將沖上年成長2成的高水平表現(xiàn)。
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半導(dǎo)體行業(yè)：“新入局者”帶來“芯”未來
據(jù)報道，世界的半導(dǎo)體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進(jìn)來，而中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場混亂的風(fēng)險因素。
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硅穿孔技術(shù)可提高閃存能源效率？
人們一直期待著更快、更實(shí)惠、更可靠的存儲產(chǎn)品，而大型數(shù)據(jù)中心則更關(guān)注與能源效率。本文要為大家介紹的，就是東芝 BiCS 3D TLC NAND 閃存所使用的硅穿孔(TSV)技術(shù)。其聲稱可減少存儲應(yīng)用的功耗，同時保障低延時、高吞吐、以及企業(yè)級 SSD 的每瓦特高 IOPS 。據(jù)外媒所述，這是當(dāng)前業(yè)內(nèi)首個推向市場的硅穿孔 NAND 閃存產(chǎn)品。
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國產(chǎn)存儲芯片加快建設(shè) 嚴(yán)重依賴日韓問題顯現(xiàn)
中國的智能手機(jī)企業(yè)飽受存儲芯片短期的困擾，存儲芯片價格的暴漲導(dǎo)致國產(chǎn)手機(jī)企業(yè)的利潤下滑，加上存儲芯片對國家信息安全的重要性，這讓中國加速發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè)，
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東芝停滯不前，三星趁機(jī)跑了多遠(yuǎn)？
據(jù)報導(dǎo)，東芝半導(dǎo)體原訂在 6 月 28 日股東會同時，與日美韓聯(lián)盟簽約，但后來東芝以「聯(lián)盟內(nèi)部仍有意見待調(diào)整」為由，造成無法順利簽約，報導(dǎo)指出，主要關(guān)鍵在于 SK 海力士的態(tài)度。
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2D NAND和3D NAND橫向?qū)Ρ龋?D NAND完美接班
多年以來，2D NAND 一直都是半導(dǎo)體工業(yè)光刻(lithography)技術(shù)的發(fā)展推動力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。隨著 2D NAND 的尺寸縮小到了十幾納米節(jié)點(diǎn)(16nm、15nm甚至 14nm)，每個單元也變得非常小，使得每個單元中僅有少數(shù)幾個電子，而串?dāng)_問題又使得進(jìn)一步縮小變得非常困難而且不夠經(jīng)濟(jì)。
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SSD降價有望了，三星等“大咖們”都在提高產(chǎn)能
據(jù)外媒報道，從去年下半年至今，SSD/內(nèi)存的價格就坐上了火箭，而且一點(diǎn)降價的跡象都沒有，反而是SSD廠商不斷傳出不利因素，致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過現(xiàn)在總算有好消息了，首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存，還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
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蘋果出現(xiàn)NAND 閃存芯片供應(yīng)不足，求助三星？
來自臺灣地區(qū)的行業(yè)消息稱，蘋果公司(以下簡稱“蘋果”)新一代智能手機(jī)iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND閃存芯片供應(yīng)不足的問題。
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淺談關(guān)于WD阻止東芝半導(dǎo)體出售的原因
儲存技術(shù)和解決方案供應(yīng)商 Western Digital 公司宣布成功開發(fā)出 96 層垂直儲存的跨代 3D NAND 技術(shù) BiCS4，預(yù)計 2017 年下半年開始向 OEM 廠商送樣，并于 2018 年開始生產(chǎn)。BiCS4 是由 Western Digital 與其技術(shù)及制造合作伙伴東芝(Toshiba Corporation) 聯(lián)合開發(fā)，最初將提供 256-gigabit 芯片，日后將會擴(kuò)充其他容量，包括可達(dá) 1-terabit 的單一芯片。
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3D NAND Flash與ReRAM新制程之間的“戰(zhàn)爭”，究竟鹿死誰手
莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…
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東芝搞事情?。垦邪l(fā)96層3D NAND是真是假？
東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界，宣布搶在存儲龍頭三星電子之前，研發(fā)出96層3DNANDflash存儲。韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實(shí)性，指稱東芝可能為了出售存儲部門，蓄意放出消息、操弄媒體。
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供不應(yīng)求 存儲器產(chǎn)品價格依然在上漲
隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價格依然看漲。
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)
為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特
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如果你不理解為啥美光在存儲行業(yè)潛力巨大，那就來看看吧
在最近結(jié)束的一次對美光CFO Ernie Maddock的采訪中，他曾多次提到了關(guān)于“C”的觀點(diǎn)。所以，我們現(xiàn)在簡單整理一下這篇文章的論點(diǎn)。以便我們能夠從中獲取更多有價值的信息。具體而言，這篇文章主要是關(guān)于存儲行業(yè)的循環(huán)周期和盈利的觀點(diǎn)。
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三星宣布量產(chǎn)64層V-NAND閃存芯片
三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)64層256Gb V-NAND閃存芯片，該閃存芯片將用于服務(wù)器，PC和移動設(shè)備。三星在今年一月份開始為主要IT客戶生產(chǎn)基于64層256Gb V-NAND芯片的
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NAND Flash價格變化趨勢撲朔迷離
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)指出，第1季整體NAND Flash市況延續(xù)去年第4季的缺貨情況，即使第1季為傳統(tǒng)NAND Flash銷售淡季，但通路顆粒合約價卻仍上揚(yáng)約20～25%，使得第1季6大品牌廠營收合計約119.078億美元，僅較去年第4季微幅減少0.4%。
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新興內(nèi)存技術(shù)搶占市場，抗衡DRAM、NAND Flash還是太嫩？
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。
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挖來臺灣DRAM教父,紫光要打破韓國NAND壟斷
高啟全表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
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