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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

時間：2010-08-09 22:01:52

關(guān)鍵字： MOSFET 器件飛兆肖特基二極管

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[導(dǎo)讀]隨著手機(jī)市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計人員面臨著在總體設(shè)計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE

隨著手機(jī)市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計人員面臨著在總體設(shè)計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。

FDZ3N513ZT是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件，用以驅(qū)動串聯(lián)白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。

該解決方案對各種動態(tài)特性作出仔細(xì)精確的優(yōu)化，實現(xiàn)很低的開關(guān)損耗，從而使手機(jī)應(yīng)用擁有相當(dāng)高的轉(zhuǎn)換效率和更長的電池壽命。

FDZ3N513ZT結(jié)合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nC)，以提高升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計的效率。

FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節(jié)省60%的板上占位空間。

飛兆半導(dǎo)體是移動技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導(dǎo)體全面的先進(jìn)MOSFET系列的一部分，能夠滿足業(yè)界在充電、負(fù)載開關(guān)、DC-DC和升壓應(yīng)用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。

價格: 訂購1,000個，單價為0.75美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品

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