MOSFET
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高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計考量
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計中，頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動和控制要求各有不同，如何實現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案？如何
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高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計考量
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計中，頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動和控制要求各有不同，如何實現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案？如何
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基于LNK564DN的5V,350mA(1.75W)反激式電源電路
圖1所示的隔離反激式電源是圍繞著LinkSwitch-LP產(chǎn)品系列的LNK564DN(U1)而設(shè)計。在90-265 VAC的通用輸入電壓范圍內(nèi)輸出可達(dá)5 V/350 mA(1.75 W)。二極管D1和D2對交流輸入電壓半波整流。存儲電容(C1)和L1衰減傳導(dǎo)EMI。電
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12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電
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昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（EpitaxialWafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)單晶Si
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電
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3A輸出、同步DC-DC轉(zhuǎn)換器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封裝中集成了MOSFET。內(nèi)置MOSFET能夠提供比異步方案更高的效率(93%)，同時還可簡化設(shè)計，并極大地降低EMI。MAX15041能夠輸出高達(dá)3A電流，非常適合電信和網(wǎng)
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3A輸出、同步DC-DC轉(zhuǎn)換器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封裝中集成了MOSFET。內(nèi)置MOSFET能夠提供比異步方案更高的效率(93%)，同時還可簡化設(shè)計，并極大地降低EMI。MAX15041能夠輸出高達(dá)3A電流，非常適合電信和網(wǎng)
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯片
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
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符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動IC（ON Semiconductor）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV84
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低通態(tài)電阻650V MOSFET（ST）
意法半導(dǎo)體近日推出一款全新功率 MOSFET產(chǎn)品，為設(shè)計工程師帶來更多選擇。新產(chǎn)品 STW77N65M5采用意法半導(dǎo)體的超高能效MDmesh™ V制造工藝和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247 封裝，是業(yè)內(nèi)通態(tài)電阻最低的650V MOSFET產(chǎn)品。意法半導(dǎo)
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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新型高速18V MOSFET驅(qū)動器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳播延遲和10 ns 至25 ns 的邊沿上升/下降時間。新型 ADP36xx MOSFET 驅(qū)動器系列
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
