2024 年 6 月 7 日

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®(納斯達克股票代碼：QRVO)合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(BLDC)和永磁同步電機(PMSM)應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅(qū)動器設計的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN? (IC 增強型 GaN)技術(shù)。

Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官

“與其他同行提供的 GaN 性能不同，我們提供的 ICeGaN HEMT 提供了接口電路，沒有集成控制器;因此通過與高度集成的電機控制器和驅(qū)動 IC 進行簡單的結(jié)合，ICeGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅(qū)動器的驅(qū)動器輕松驅(qū)動。我們很高興與 Qorvo 合作，使其電機控制器和驅(qū)動器應用盡享 GaN 帶來的益處?！?

JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理

“GaN 和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢而被積極用于各種電機控制應用中。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅(qū)動設計師關(guān)心的兩個關(guān)鍵因素。我們很高興看到設計工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結(jié)合時的反應。”

GaN 帶來的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來更高的效率，進而增加了功率可用性和產(chǎn)生更少的熱量。這減少了對復雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產(chǎn)生更小、更強大、壽命更長的系統(tǒng)。GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩，因此可以實現(xiàn)更精確的控制。此外，GaN 可實現(xiàn)高速開關(guān)，這可以減少可聽噪聲，這對于吊扇、熱泵和冰箱等家電尤其重要。

除了易用性之外，與其他 GaN 器件相比，ICeGaN 還提供了以下幾個顯著的優(yōu)點。ICeGaN 的柵極驅(qū)動電壓與 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 內(nèi)集成了米勒箝位，所以不需要負關(guān)斷電壓，并且可以使用低成本的電流驅(qū)動器。最后，ICeGaN 內(nèi)嵌電流感測功能，簡化了電路設計并減少了物料清單(BOM)。

參考設計現(xiàn)已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市。該產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。Qorvo展位號為7-406。