2024 年 6 月 7 日

英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®(納斯達(dá)克股票代碼：QRVO)合作開(kāi)發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評(píng)估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN? (IC 增強(qiáng)型 GaN)技術(shù)。

Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官

“與其他同行提供的 GaN 性能不同，我們提供的 ICeGaN HEMT 提供了接口電路，沒(méi)有集成控制器;因此通過(guò)與高度集成的電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng) IC 進(jìn)行簡(jiǎn)單的結(jié)合，ICeGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)器輕松驅(qū)動(dòng)。我們很高興與 Qorvo 合作，使其電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用盡享 GaN 帶來(lái)的益處。”

JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理

“GaN 和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢(shì)而被積極用于各種電機(jī)控制應(yīng)用中。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性，這些是電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)師關(guān)心的兩個(gè)關(guān)鍵因素。我們很高興看到設(shè)計(jì)工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無(wú)刷直流電機(jī)控制解決方案相結(jié)合時(shí)的反應(yīng)?！?

GaN 帶來(lái)的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來(lái)更高的效率，進(jìn)而增加了功率可用性和產(chǎn)生更少的熱量。這減少了對(duì)復(fù)雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產(chǎn)生更小、更強(qiáng)大、壽命更長(zhǎng)的系統(tǒng)。GaN 還可以在低速時(shí)提供更高的扭矩，因此可以實(shí)現(xiàn)更精確的控制。此外，GaN 可實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，這可以減少可聽(tīng)噪聲，這對(duì)于吊扇、熱泵和冰箱等家電尤其重要。

除了易用性之外，與其他 GaN 器件相比，ICeGaN 還提供了以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)。ICeGaN 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓與 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 內(nèi)集成了米勒箝位，所以不需要負(fù)關(guān)斷電壓，并且可以使用低成本的電流驅(qū)動(dòng)器。最后，ICeGaN 內(nèi)嵌電流感測(cè)功能，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并減少了物料清單(BOM)。

參考設(shè)計(jì)現(xiàn)已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市。該產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開(kāi)展示。CGD的展位號(hào)為7-643。Qorvo展位號(hào)為7-406。