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基于微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實現(xiàn)
本文介紹了嵌入式Linux操作系統(tǒng)下基于三星微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實現(xiàn)方法。操作系統(tǒng)采用Linux 2．6．28版本，平臺為飛凌OK6410-A開發(fā)板。采用的方案是通過添加一個512 MB的NAND
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H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
1. 打開H-Jtag-ServerInit->load，選擇初始化腳本“FriendlyARM2440.his”->"打開"2. 菜單中選擇“Settting”->"USB/LPT Selectiojn"，選擇 LPT3. 菜單中選擇“Settting”->"LPT JTAG Setting"，做如下
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單片機(jī)的Flash E2prom Ram區(qū)別
存儲器分為兩大類：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明
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STM32 flash操作
對芯片內(nèi)部flash進(jìn)行操作的函數(shù)，包括讀取，狀態(tài)，擦除，寫入等等，可以允許程序去操作flash上的數(shù)據(jù)?；A(chǔ)應(yīng)用1，F(xiàn)LASH時序延遲幾個周期，等待總線同步操作。推薦按照單片機(jī)系統(tǒng)運行頻率，0—24MHz時，
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HOLTEK新推出小封裝HT68F0012 Flash MCU
Holtek小封裝Flash MCU系列繼HT68F001后，新增HT68F0012成員，最大差異在系統(tǒng)頻率由32kHz提高到512kHz，可提供需較快工作頻率的產(chǎn)品應(yīng)用，例如：簡單的數(shù)據(jù)通訊，非常適用于需要準(zhǔn)確計時或簡單控制的產(chǎn)品應(yīng)用。
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兆易創(chuàng)新NOR Flash獲Galaxy S9采用
中國半導(dǎo)體最近幾年的快速發(fā)展使許多國外企業(yè)都開始布局中國市場，在今年的SEMICON China上表現(xiàn)的尤其明顯。不管是半導(dǎo)體制造設(shè)備提供商，還是材料供應(yīng)商都對中國半導(dǎo)體市場未來的發(fā)展充滿信心，也都紛紛布局中國市場。致力于開發(fā)和制造創(chuàng)新材料和工藝的材料提供商Brewer Science也參加了此次盛會，并與其行業(yè)長期合作伙伴日產(chǎn)化學(xué)攜手展示了其在晶圓級封裝和前端光刻材料領(lǐng)域的產(chǎn)品與服務(wù)。
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一文讀懂存儲器發(fā)展史
近日，國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項國家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實施。
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HOLTEK新推出HT69F2562 Ultra-Low Power MCU with LCD & EEPROM
Holtek新推出超低功耗具有液晶驅(qū)動電路Flash MCU，針對RTC On超低待機(jī)功耗應(yīng)用提供最佳解決方案，如電池供電之消費類產(chǎn)品，可視卡與NFC Data Logger等。
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揭開Zynq Z-7000 SoC從flash啟動的秘密
各位在開發(fā)FPGA產(chǎn)品的時候，不僅需要熟知板子上的硬件，還要在硬件上運行代碼，想要觀測硬件上代碼的運行是可以通過邏輯分析儀這種硬件調(diào)試儀器來進(jìn)行的。內(nèi)置有Xilinx Spartan-6 FPGA的Digital Discovery提供了高速的邏輯分析功能，能夠讓開發(fā)者觀察和分析板子上的信號流，同時，今天給各位介紹另外一款Xilinx公司芯片的產(chǎn)品Zynq Z-7000 SoC，我們一起來揭開它從SPI接口掛載的flash啟動的神秘面紗。
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基于Nand Flash 存儲技術(shù)的嵌入式linux 系統(tǒng)設(shè)計
現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)
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NAND Flash價格先降后升，DRAM則持續(xù)走高
2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
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NAND Flash價格崩盤前夕，國內(nèi)存儲面臨大考驗！
據(jù)悉，在經(jīng)過為期一年半的價格暴漲之后，部分存儲芯片的價格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂觀的2017年業(yè)績預(yù)期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人陷入了深深的不安，一些投資人曾經(jīng)認(rèn)為芯片行業(yè)的紅火至少還將持續(xù)一年半的時間。
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完成第三代3D-NAND Flash開發(fā)后，美光與英特爾合作結(jié)束
美光與英特爾在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴關(guān)系將于完成第三代3D-NAND Flash(96層)開發(fā)之后終止，各自研發(fā)未來的NAND Flash技術(shù)，以符合雙方品牌產(chǎn)品所需，并維持Lehi廠3D-XPoint的合作關(guān)系。
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NAND Flash成半導(dǎo)體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出，繼移動裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊(5G )擴(kuò)增實境(AR)/虛擬實境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以儲存型(NAND Flash)為主要爭戰(zhàn)焦點。
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3D NAND擴(kuò)產(chǎn)在即，NAND Flash恐供過于求
受到部份零組件缺貨影響，ODM/OEM廠2017年第四季PC出貨不如預(yù)期，導(dǎo)致固態(tài)硬碟(SSD)需求急降，價格也一路走跌，2018年上半年NAND Flash市場供過于求已難避免。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)期，三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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教你如何在板載的QSPI Flash中存儲比特流配置文件和應(yīng)用程序
如何從Flash啟動嵌入式系統(tǒng)以Arty A7開發(fā)板為例手把手教你實現(xiàn)在諸多關(guān)于MicroBlaze軟核處理器的例程中，往往都是使用JTAG下載然后借助SDK執(zhí)行程序代碼。然而無論是在項目展
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兆易創(chuàng)新產(chǎn)能或影響NAND Flash價格
近期編碼型存儲器(Nor Flash)因市場需求不減，價格依舊持續(xù)維持高檔。不過，目前大陸有新產(chǎn)能開出，加上新的解決方案應(yīng)用，導(dǎo)致供需雙方面都有變化的情況下，整體市場價格開始有松動傾向。
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東芝將投資擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash
2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
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NAND Flash價格到頂了？美光說并沒有
多位分析師近來發(fā)表NAND Flash價格觸頂言論，引發(fā)市場憂慮，美國內(nèi)存芯片大廠美光(Micron)周二以優(yōu)于市場預(yù)期的上季業(yè)績，和亮眼的本季財測，打臉分析師，應(yīng)能讓緊張的投資人安心享受年終假期。
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DRAM為什么將長期供不應(yīng)求
DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
