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HOLTEK推出HT66FB572/HT66FB574 USB RGB LED Flash MCU
Holtek推出專門應(yīng)用于多彩RGB LED產(chǎn)品的USB Flash MCU - HT66FB572/HT66FB574，除適用于一般計算機(jī)外設(shè)與消費(fèi)性產(chǎn)品外，其最大的特點是以內(nèi)建定電流源分別配合15 / 24個PWM輸出.
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華為P10閃存混著用因供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨？
余承東日前爆料稱，P10系列手機(jī)混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因，就是供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨，華為的存儲至今還處于缺貨之中。那么，NAND Flash制造商如今產(chǎn)能狀況如何?缺貨問題何時能夠得到緩解?
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存儲器發(fā)展太快，都缺貨了
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測業(yè)者表示，估計2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價格漲勢回穩(wěn)，而進(jìn)入3D NAND時代后，存儲器封測業(yè)者中，又以力成最為受惠。
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5G來臨 帶動內(nèi)存大需求
力晶集團(tuán)執(zhí)行長黃崇仁表示，第五代行動通訊(5G)快速興起，將啟動大量影像傳輸需求，加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長，將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強(qiáng)勁需求，但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸，預(yù)料明年DRAM還是會缺貨。
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你以為NAND Flash降價了，手機(jī)就便宜了？別逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
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NOR Flash漲價將持續(xù)一年 需求旺盛 供貨不足是主因
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出，受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機(jī)數(shù)量大幅增加，以及 TDDI 技術(shù)所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動，加上如美光、兆
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2017年全年硬盤供貨吃緊！英特爾將繼續(xù)以供應(yīng)企業(yè)級 SSD 硬盤為主
根據(jù)科技網(wǎng)站 ZDNet 的報導(dǎo)指出，半導(dǎo)體龍頭英特爾(intel)正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知，預(yù)計 2017 年全年 SSD 硬盤因為供應(yīng)吃緊，這也迫使得英特爾未來將優(yōu)先以供應(yīng)數(shù)
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HOLTEK新推出BH66F2470/BH67F2470血糖儀Flash MCU
Holtek在血糖儀產(chǎn)品上，繼第一代HT45F65/HT45F66/HT45F67之后再推出高度整合的BH66F2470及BH67F2470。
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采用PCI-e接口的SSD要進(jìn)軍汽車領(lǐng)域？
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等
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2017年整體TLC-SSD出貨比重將超過75%
固態(tài)硬盤(Solid State Drives)，簡稱固盤，固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。
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東芝半導(dǎo)體競爭白熱化，海力士備重金欲入主
SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競爭即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評價。
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NAND Flash市場最大變數(shù) 3D NAND良率
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
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東芝 64 層 64GB 3D Flash 送樣，下半年量產(chǎn)
3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃內(nèi)存(Flash Memory)競爭越來越激烈，東芝(Toshiba)于去年 7 月宣布領(lǐng)先全球同業(yè)開始提供堆疊 64 層的 256Gb(32GB)3D Flash 的樣品出貨，之后三星于去年 8 月宣布，堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品將在 2016 年 Q4(10-12月)開賣。而現(xiàn)在又換東芝出手，宣布容量提高 1 倍的 64 層 512Gb(64GB)3D Flash 已進(jìn)行送樣，且將在今年下半年量產(chǎn)。
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主導(dǎo)未來存儲器市場的新型存儲器到底有啥優(yōu)勢
存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。存儲器的主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動的完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲器是具有記憶功能的設(shè)備，它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來存儲信息。
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美光計劃出售 NOR Flash 業(yè)務(wù) 點名華邦電接手
近年來，企業(yè)加速整合并購，有一些企業(yè)也自我斷臂修整，以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強(qiáng)，由于經(jīng)濟(jì)效益不明顯，美光計劃出售Nor Flash業(yè)務(wù)，全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
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存儲器產(chǎn)業(yè)大熱 如何應(yīng)對高風(fēng)險
存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。
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3D NAND Flash 自主存儲器的出口
受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
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HOLTEK推出BC68F0031 RF透傳ASSP Flash MCU
Holtek推出BC68F0031 RF透傳專用Flash MCU，作為RF IC與主控系統(tǒng)芯片間橋接應(yīng)用，讓通信格式自定義化，使復(fù)雜系統(tǒng)能快速增添RF通信功能。
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瘋狂的存儲器 繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了
最近幾年存儲器市場大熱，儲存型快閃存儲、DARM在淡季爆出“大冷門”，飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲也緊隨其后，在蟄伏4年后，首次漲價，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計會超過10%。
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解釋：為什么單片機(jī)中既有Flash又有EEPROM
單片機(jī)運(yùn)行時的數(shù)據(jù)都存在于RAM（隨機(jī)存儲器）中，在掉電后RAM 中的數(shù)據(jù)是無法保留的，那么怎樣使數(shù)據(jù)在掉電后不丟失呢？這就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存儲器來實現(xiàn)。
