單片機中ROM、RAM、Flash的區(qū)別

常規(guī)上ROM是用來存儲固化程序的，RAM是用來存放數(shù)據(jù)的。由于FLASHROM比普通的ROM讀寫速度快，擦寫方便，一般用來存儲用戶程序和需要永久保存的數(shù)據(jù)。譬如說，現(xiàn)在家用的電子式電度表，它的內(nèi)核是一款單片機，該單片機

uboot2010.06移植之從nor flash啟動分析

程序從start。S開始啟動start_code:?/*? * set the cpu to SVC32 mode? 設(shè)置管理模式? */?mrs?r0, cpsr??????? ?bic?r0, r

Keil MDK編譯器下查看占用Flash和SRAM空間大小

在Keil MDK編譯器編譯后，信息欄都會顯示編譯情況，這其中就包含了FLASH跟SRAM的信息。如下圖所示，/*********************************************************************************************/查看FLASH跟S

基于ARM和NAND Flash的FPGA加載配置在TD-LTE中的實現(xiàn)

基于TMS320DM642的編程

引言　　一個完整的嵌入式系統(tǒng)必須要有一個合適的存儲器存放用戶代碼。Flash是一種非易失性存儲器,而且具有電可擦寫、容量大、價格便宜等特點,通?？捎糜谠贒SP系統(tǒng)中存放用戶代碼?！　lash在正常使

三星明年對存儲器投資整體下降：DRAM投資大降20%，NAND Flash投資將增加

報道進一步指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法

在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器

ARM 系列 -- FS2410 開發(fā)板上 Nand Flash 到內(nèi)存的代碼搬移

一、目的 通過將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存， 為編寫 ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準備。二、代碼 關(guān)于如何建立開發(fā)環(huán)境，在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循

Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導系統(tǒng)

目前，TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實用。其運算速度快、精度高。使其在牛化分析儀中具有獨特的優(yōu)勢。其改進的哈佛結(jié)構(gòu)、先進的多總線和多級流水線機制。

STM32 USB NAND Flash模擬U盤無法格式化問題的解決

前幾天，一直在尋找NAND Flash模擬U盤程序無法格式化的問題。在中秋月圓之夜，還苦逼地在實驗室調(diào)代碼，也許是杭州大圓月的原因，今晚感覺整人特別亢奮，效率也特別高，靈感也多。終于，在不懈的努力下，找到代碼中的

新款iPhone 存儲器是定價的關(guān)鍵

根據(jù)《彭博社》24日報導，蘋果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機，不同儲存容量版本，定價策略都有特別考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版為準，蘋果預(yù)計512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。

STM32 SPI Flash DFU

這次講的是將程序、圖片或其他文件下載到SPI Flash中。我使用的是W25X16的SPI Flash，他共有2MB空間，2個Block,512ge Sector,8096個Page。由于SPI Flash不能直接跑程序，我們從接口就知道了。接下去我們就來講講怎么

STM32 串口燒寫 FLASH 外部字庫 UCGUI顯示 自我學習總結(jié)

最近學習TFT顯示問題，在多種漢字顯示方面有點難，主要是字庫太大，幾個字庫就不得了。開始是使用SD卡向外部FLASH---W25X16寫，完全能夠完成。后來覺得這樣比較麻煩，有時候還沒有SD接口，于是打算用串

教你如何使用atmega8 Flash

GCCAVR中讀取Flash區(qū)數(shù)據(jù)定義（只能為全局變量）：const int temp PROGMEM = 1;讀?。簆gm_read_byte(addr);pgm_read_word(addr);pgm_read_dword(addr);字符串：全局定義：const char ss[]PROGMEM = "hello";函數(shù)內(nèi)定

從Nand Flash啟動U-BOOT的基本原理

前4K的問題如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(配置由硬件工程師在電路板設(shè)置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會自動的把Nand Flash上的前4K數(shù)據(jù)搬移到4K內(nèi)部RAM中

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導

目前，TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實用。其運算速度快、精度高。使其在牛化分析儀中具有獨特的優(yōu)勢。其改進的哈佛結(jié)構(gòu)、先進的多總線和多級流水線機制、專用的硬件乘法器、高效的指令集，使其易于嵌入信號濾波、信息融合算法，而不會犧牲其實時性。TMS320C6713B的速度快、精度高、體積小、成本低、開發(fā)周期短、可靠性高以及抗干擾能力強等優(yōu)點，可以滿足生化分析儀對硬件系統(tǒng)的要求。

mini2440硬件篇之Nor Flash

硬件原理1.1.NorFlash簡介NORFlash是Intel在1988年推出的一款商業(yè)性閃存芯片，它需要很長的時間進行抹寫，大半生它能夠提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域，而且它可以忍受一萬次到一百萬次

迎接SSD低價大容量時代，群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出貨

群聯(lián)董事長潘健成表示，QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍，容量升級、價格親民，這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價大容量的時代!

NOR Flash與8位單片機接口設(shè)計

　　引 言　　Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失?！　OR Flash是Flash存儲器中