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2018年第一季NAND Flash價(jià)格將翻轉(zhuǎn)走跌
據(jù)報(bào)道，根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究指出，2018年第一季在需求端面臨到傳統(tǒng)淡季的沖擊，包含平板電腦、筆記本電腦以及以中國(guó)品牌為主的智能手機(jī)裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15%，而服務(wù)器需求相對(duì)持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現(xiàn)0-5%下跌。另一方面，NAND Flash供貨商仍持續(xù)提升3D-NAND Flash的產(chǎn)能及良率，位元產(chǎn)出成長(zhǎng)亦較第四季高于5%，預(yù)期NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)入供過(guò)于求態(tài)勢(shì)，2018年第一季固態(tài)硬盤(pán)、NAND Flash顆粒及waf
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HOLTEK新推出高抗干擾能力BS83B04C/08C/12C/16C系列Touch Flash MCU
Holtek新一代BS83xxxC系列Touch Flash MCU，除承襲BS83BxxA系列的優(yōu)點(diǎn)以外，更全面提升MCU的抗干擾能力，可抵抗各式噪聲的干擾，如：電源噪聲、RF干擾、電源波動(dòng)等，可應(yīng)用于各式有按鍵需求如油煙機(jī)、電磁爐、微波爐、廚房秤等產(chǎn)品。
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H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
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ARM與Flash ROM
以ARM為核心的嵌入式設(shè)備，是一種以計(jì)算機(jī)為核心的產(chǎn)品，必須要有存儲(chǔ)軟件的存儲(chǔ)器。單片機(jī)中軟件存儲(chǔ)在單片機(jī)芯片內(nèi)的ROM存儲(chǔ)器中，單片機(jī)的ROM容量很小，一般都小于1MByt
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芯片加密后是否能再次使用
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來(lái)越多了，隨之而來(lái)的芯片安全性的要求也越來(lái)越高了，各個(gè)芯片廠(chǎng)商對(duì)芯片保密性要求越來(lái)越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶(hù)打電話(huà)過(guò)來(lái)問(wèn)，這個(gè)芯片加密了還能不能用啊。本文通過(guò)對(duì)芯片的加密的介紹來(lái)看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果。
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芯片加密后究竟能不能再次使用？
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來(lái)越多了，隨之而來(lái)的芯片安全性的要求也越來(lái)越高了，各個(gè)芯片廠(chǎng)商對(duì)芯片保密性要求越來(lái)越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶(hù)打電話(huà)過(guò)來(lái)問(wèn)，這個(gè)芯片加密了還能不能用啊。本文通過(guò)對(duì)芯片的加密的介紹來(lái)看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果。
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對(duì)STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點(diǎn)
說(shuō)到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來(lái)裝數(shù)據(jù)。
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析
Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)
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NAND Flash市場(chǎng)格局：SK和東芝聯(lián)合對(duì)抗三星？
SK海力士(SK Hynix)日前終于如愿以美日韓聯(lián)盟成員身分與東芝(Toshiba)簽約，也為延宕許久的東芝半導(dǎo)體出售一案，暫時(shí)劃下句點(diǎn)。盡管SK海力士強(qiáng)調(diào)僅是投資者，但SK海力士與東芝在NAND Flash市場(chǎng)上，其實(shí)有許多復(fù)雜的競(jìng)爭(zhēng)及利害，因此未來(lái)SK海力士NAND Flash事業(yè)發(fā)展動(dòng)向，格外引起業(yè)界高度關(guān)注。
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謠傳：東芝Flash產(chǎn)能損失10萬(wàn)片
近期市場(chǎng)傳出 NAND Flash 大廠(chǎng)東芝產(chǎn)能出現(xiàn)問(wèn)題，損失 10 萬(wàn)片產(chǎn)出，經(jīng)調(diào)查與確認(rèn)后，東芝確實(shí)在產(chǎn)在線(xiàn)遭遇一些問(wèn)題，且整體產(chǎn)出量較原先預(yù)期少 ，但影響程度遠(yuǎn)低于外界謠傳近 10 萬(wàn)片的規(guī)模，且東芝工廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)也未出現(xiàn)停擺。 對(duì)于東芝客戶(hù)來(lái)說(shuō)，在第 4 季議價(jià)時(shí)所承諾的交貨數(shù)量也沒(méi)有受到直接沖擊。
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基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究
NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)壞塊和在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況，針對(duì)這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外，針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA（讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間）和tBERS（塊擦除時(shí)間）等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。
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淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)
Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)
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延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)器使用壽命的研究
引言隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話(huà)、MP3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器已經(jīng)逐步取代其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)
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大容量NAND FALSH的原理及應(yīng)用
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量（2Tb）NAND FLASH，文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并針對(duì)基于FPGA的應(yīng)用進(jìn)行了說(shuō)明。
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NOR Flash再漲價(jià)，三大公司的訂單被搶空
編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)第4季合約價(jià)傳再調(diào)漲15%，這是繼第3季調(diào)漲10%~20%后，價(jià)格再向上推升，成為下半年漲勢(shì)最兇猛的存儲(chǔ)器。
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eMMC/UFS/SSD全部小漲
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技內(nèi)存儲(chǔ)存研究DRAMeXchange指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線(xiàn)合約價(jià)平均仍有3～10%的季增水平。
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NOR Flash能給旺宏創(chuàng)造新神話(huà)嗎？
今年各式內(nèi)存價(jià)格全面走揚(yáng)，尤其N(xiāo)OR Flash從小零件變成搶手貨，旺宏(2337)股價(jià)翻了好幾番。 旺宏因減資作業(yè)預(yù)計(jì)28日重新上市，土洋法人買(mǎi)超集中到華邦電(2344)，帶動(dòng)今早股價(jià)再創(chuàng)最高20.7元。
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三星、英特爾、美光、谷歌等巨頭齊聚中國(guó)•深圳，只為CFMS2017峰會(huì)而來(lái)
2017年9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的以“中國(guó)存儲(chǔ)•全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS2017(http://cfms.chinaflashmarket.com)，將在深圳華僑城洲際酒店隆重舉行，不僅邀請(qǐng)三星、
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三大內(nèi)存同時(shí)缺貨，DRAM和NAND內(nèi)存漲勢(shì)創(chuàng)紀(jì)錄
DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見(jiàn)同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫(xiě)下史上最長(zhǎng)漲勢(shì)。
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1 Tb的3D NAND芯片，這樣的三星，你愛(ài)嗎？
據(jù)外媒消息，三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級(jí)，9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，預(yù)計(jì)明年問(wèn)世。三星宣稱(chēng)，這一技術(shù)是過(guò)去 10 年來(lái)存儲(chǔ)器的最大進(jìn)展之一，本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤(pán))上，計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
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