如何從Flash啟動嵌入式系統(tǒng)以Arty A7開發(fā)板為例手把手教你實現(xiàn)在諸多關(guān)于MicroBlaze軟核處理器的例程中,往往都是使用JTAG下載然后借助SDK執(zhí)行程序代碼。然而無論是在項目展
近期編碼型存儲器(Nor Flash)因市場需求不減,價格依舊持續(xù)維持高檔。不過,目前大陸有新產(chǎn)能開出,加上新的解決方案應(yīng)用,導(dǎo)致供需雙方面都有變化的情況下,整體市場價格開始有松動傾向。
2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年,零售價格的暴漲帶動了廠商的營收,同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以,當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導(dǎo),東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7),地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
多位分析師近來發(fā)表NAND Flash價格觸頂言論,引發(fā)市場憂慮,美國內(nèi)存芯片大廠美光(Micron)周二以優(yōu)于市場預(yù)期的上季業(yè)績,和亮眼的本季財測,打臉分析師,應(yīng)能讓緊張的投資人安心享受年終假期。
DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價約5%,全球DRAM價格連續(xù)七季上揚,是歷來漲勢最久的一次。
據(jù)報道,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季在需求端面臨到傳統(tǒng)淡季的沖擊,包含平板電腦、筆記本電腦以及以中國品牌為主的智能手機裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15%,而服務(wù)器需求相對持平,整體位元需求量較2017年第四季呈現(xiàn)0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供貨商仍持續(xù)提升3D-NAND Flash的產(chǎn)能及良率,位元產(chǎn)出成長亦較第四季高于5%,預(yù)期NAND Flash市場將進入供過于求態(tài)勢,2018年第一季固態(tài)硬盤、NAND Flash顆粒及waf
Holtek新一代BS83xxxC系列Touch Flash MCU,除承襲BS83BxxA系列的優(yōu)點以外,更全面提升MCU的抗干擾能力,可抵抗各式噪聲的干擾,如:電源噪聲、RF干擾、電源波動等,可應(yīng)用于各式有按鍵需求如油煙機、電磁爐、微波爐、廚房秤等產(chǎn)品。
H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
以ARM為核心的嵌入式設(shè)備,是一種以計算機為核心的產(chǎn)品,必須要有存儲軟件的存儲器。單片機中軟件存儲在單片機芯片內(nèi)的ROM存儲器中,單片機的ROM容量很小,一般都小于1MByt
隨著信息技術(shù)的發(fā)展,信息的載體-芯片的使用也越來越多了,隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了,各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高,芯片的加密,保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過來問,這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash,MCU以及DSP加密的效果。
隨著信息技術(shù)的發(fā)展,信息的載體-芯片的使用也越來越多了,隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了,各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高,芯片的加密,保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過來問,這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash,MCU以及DSP加密的效果。
說到STM32的flash,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。
Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,如嵌入式產(chǎn)
SK海力士(SK Hynix)日前終于如愿以美日韓聯(lián)盟成員身分與東芝(Toshiba)簽約,也為延宕許久的東芝半導(dǎo)體出售一案,暫時劃下句點。盡管SK海力士強調(diào)僅是投資者,但SK海力士與東芝在NAND Flash市場上,其實有許多復(fù)雜的競爭及利害,因此未來SK海力士NAND Flash事業(yè)發(fā)展動向,格外引起業(yè)界高度關(guān)注。
近期市場傳出 NAND Flash 大廠東芝產(chǎn)能出現(xiàn)問題,損失 10 萬片產(chǎn)出,經(jīng)調(diào)查與確認(rèn)后,東芝確實在產(chǎn)在線遭遇一些問題,且整體產(chǎn)出量較原先預(yù)期少 ,但影響程度遠低于外界謠傳近 10 萬片的規(guī)模,且東芝工廠產(chǎn)線也未出現(xiàn)停擺。 對于東芝客戶來說,在第 4 季議價時所承諾的交貨數(shù)量也沒有受到直接沖擊。
NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況,針對這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法,實驗結(jié)果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外,針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù),如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等,使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?,完成NAND FLASH的時序配合,從而達到器件性能的測試要求。
Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,如嵌入式產(chǎn)
引言隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字?jǐn)z像機、移動電話、MP3音樂播放器等移動設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用,F(xiàn)lash存儲器已經(jīng)逐步取代其他半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量(2Tb)NAND FLASH,文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,并針對基于FPGA的應(yīng)用進行了說明。
編碼型快閃存儲器(NOR Flash)第4季合約價傳再調(diào)漲15%,這是繼第3季調(diào)漲10%~20%后,價格再向上推升,成為下半年漲勢最兇猛的存儲器。