由于云端應(yīng)用帶動數(shù)據(jù)中心建設(shè)、智能手機(jī)追求更大容量和更快運(yùn)算,以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲器等因素,數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM,以及數(shù)據(jù)存儲用的 NAND Flash,市場成長速度均高于電腦與智能手機(jī)市場的成長率。
據(jù)海外媒體報(bào)道,從去年下半到今年上半以來,DRAM 均價(jià)飆升 17%、NAND 均價(jià)攀漲 12%,主要是由于存儲器進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換,產(chǎn)能大減,使得廠商無不撒錢擴(kuò)產(chǎn)。但是 IC Insights 警告,過度投資恐怕會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩。
旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示,2018年品牌NOR Flash市場需求還會增加,要不缺貨還有點(diǎn)困難,旺宏第1季全球NOR Flash市占率達(dá)26%,全年目標(biāo)30%,中長期看50%市占,同時(shí)董事會也追加新臺幣17.85億元的資本支出,全年支出擴(kuò)大至40億元,全面增產(chǎn)高端55納米的NOR Flash產(chǎn)能。
據(jù)報(bào)道,矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長,本季受到非蘋智能手機(jī)陣營下單偏向保守,以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑,不過今年第四季可望因?yàn)楦黜?xiàng)產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨,全年合并營收將沖上年成長2成的高水平表現(xiàn)。
中國的智能手機(jī)企業(yè)飽受存儲芯片短期的困擾,存儲芯片價(jià)格的暴漲導(dǎo)致國產(chǎn)手機(jī)企業(yè)的利潤下滑,加上存儲芯片對國家信息安全的重要性,這讓中國加速發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè),
美光2017年第3季財(cái)報(bào)營收大幅優(yōu)于預(yù)期,這要因DRAM、NAND Flash價(jià)格上漲,美光認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定,價(jià)格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示,國內(nèi)相關(guān)個股中,華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K,估下半年 DRAM價(jià)格維持高檔,2018年上半年在供給改善后將趨緩,因此維持族群中立建議。
莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程,可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…
如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫入一次呢? 將參數(shù)存
隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增,今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。
兆易創(chuàng)新是國內(nèi)存儲器芯片設(shè)計(jì)龍頭,公司董秘李紅表示,在國家大力扶持集成電路產(chǎn)業(yè)及芯片進(jìn)口替代加快的趨勢下,集成電路行業(yè)迎來一輪蓬勃發(fā)展期,兆易創(chuàng)新將充分受益于行業(yè)景氣周期。公司在原有NOR Flash市場優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,增添了NAND和MCU等新的成長點(diǎn),并將通過收購北京矽成完善公司存儲器版圖。
如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫入一次呢? 將參數(shù)存
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。
繼美光后,全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財(cái)報(bào)發(fā)布會上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息,加上蘋果明年新手機(jī)全數(shù)導(dǎo)入OLED面板,同步得搭載NOR芯片維持手機(jī)色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴(kuò)大。
有數(shù)據(jù)顯示,到2020年,全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到40ZB。而存儲器作為數(shù)據(jù)的基石,市場規(guī)模也隨之不斷擴(kuò)大。存儲器行業(yè)屬于周期性行業(yè)從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲器行業(yè)周期特征明顯主
Holtek推出全新的無線吸塵器ASSP Flash MCU - HT45F0084,內(nèi)建硬件過電流/過電壓/欠電壓保護(hù),針對電機(jī)與電池提供完整的保護(hù),也可節(jié)省外圍零件,非常適合開發(fā)無線吸塵器中的直流有刷電機(jī)機(jī)種。
Holtek推出專門應(yīng)用于多彩RGB LED產(chǎn)品的USB Flash MCU - HT66FB572/HT66FB574,除適用于一般計(jì)算機(jī)外設(shè)與消費(fèi)性產(chǎn)品外,其最大的特點(diǎn)是以內(nèi)建定電流源分別配合15 / 24個PWM輸出.
余承東日前爆料稱,P10系列手機(jī)混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因,就是供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨,華為的存儲至今還處于缺貨之中。那么,NAND Flash制造商如今產(chǎn)能狀況如何?缺貨問題何時(shí)能夠得到緩解?
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力,包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn),熟悉后段封測業(yè)者表示,估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解,價(jià)格漲勢回穩(wěn),而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后,存儲器封測業(yè)者中,又以力成最為受惠。
力晶集團(tuán)執(zhí)行長黃崇仁表示,第五代行動通訊(5G)快速興起,將啟動大量影像傳輸需求,加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長,將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強(qiáng)勁需求,但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸,預(yù)料明年DRAM還是會缺貨。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn),使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個相對低點(diǎn)。