研調(diào)機構集邦科技內(nèi)存儲存研究DRAMeXchange指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價平均仍有3~10%的季增水平。
今年各式內(nèi)存價格全面走揚,尤其NOR Flash從小零件變成搶手貨,旺宏(2337)股價翻了好幾番。 旺宏因減資作業(yè)預計28日重新上市,土洋法人買超集中到華邦電(2344),帶動今早股價再創(chuàng)最高20.7元。
2017年9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的以“中國存儲•全球格局”為主題的中國閃存市場峰會CFMS2017(http://cfms.chinaflashmarket.com),將在深圳華僑城洲際酒店隆重舉行,不僅邀請三星、
DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。
據(jù)外媒消息,三星電子 NAND Flash 技術再升級,9 日宣布研發(fā)出容量達 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,預計明年問世。三星宣稱,這一技術是過去 10 年來存儲器的最大進展之一,本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運用于SSD(固態(tài)硬盤)上,計劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
由于云端應用帶動數(shù)據(jù)中心建設、智能手機追求更大容量和更快運算,以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲器等因素,數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM,以及數(shù)據(jù)存儲用的 NAND Flash,市場成長速度均高于電腦與智能手機市場的成長率。
據(jù)海外媒體報道,從去年下半到今年上半以來,DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%,主要是由于存儲器進入制程轉換,產(chǎn)能大減,使得廠商無不撒錢擴產(chǎn)。但是 IC Insights 警告,過度投資恐怕會導致產(chǎn)能過剩。
旺宏總經(jīng)理盧志遠表示,2018年品牌NOR Flash市場需求還會增加,要不缺貨還有點困難,旺宏第1季全球NOR Flash市占率達26%,全年目標30%,中長期看50%市占,同時董事會也追加新臺幣17.85億元的資本支出,全年支出擴大至40億元,全面增產(chǎn)高端55納米的NOR Flash產(chǎn)能。
據(jù)報道,矽力杰今年下半年營運將可望逐季增長,本季受到非蘋智能手機陣營下單偏向保守,以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑,不過今年第四季可望因為各項產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨,全年合并營收將沖上年成長2成的高水平表現(xiàn)。
中國的智能手機企業(yè)飽受存儲芯片短期的困擾,存儲芯片價格的暴漲導致國產(chǎn)手機企業(yè)的利潤下滑,加上存儲芯片對國家信息安全的重要性,這讓中國加速發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè),
美光2017年第3季財報營收大幅優(yōu)于預期,這要因DRAM、NAND Flash價格上漲,美光認為存儲器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定,價格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示,國內(nèi)相關個股中,華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K,估下半年 DRAM價格維持高檔,2018年上半年在供給改善后將趨緩,因此維持族群中立建議。
莫斯科物理技術學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程,可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術…
如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體,每次修改都同時寫入一次呢? 將參數(shù)存
隨著應用不斷擴大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴增,今年來半導體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項產(chǎn)品市況熱絡,在供應持續(xù)吃緊下,各項產(chǎn)品下半年價格依然看漲。
兆易創(chuàng)新是國內(nèi)存儲器芯片設計龍頭,公司董秘李紅表示,在國家大力扶持集成電路產(chǎn)業(yè)及芯片進口替代加快的趨勢下,集成電路行業(yè)迎來一輪蓬勃發(fā)展期,兆易創(chuàng)新將充分受益于行業(yè)景氣周期。公司在原有NOR Flash市場優(yōu)勢的基礎上,增添了NAND和MCU等新的成長點,并將通過收購北京矽成完善公司存儲器版圖。
如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體,每次修改都同時寫入一次呢? 將參數(shù)存
內(nèi)存是半導體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。
繼美光后,全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財報發(fā)布會上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領域的消息,加上蘋果明年新手機全數(shù)導入OLED面板,同步得搭載NOR芯片維持手機色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴大。
有數(shù)據(jù)顯示,到2020年,全球數(shù)據(jù)總量將達到40ZB。而存儲器作為數(shù)據(jù)的基石,市場規(guī)模也隨之不斷擴大。存儲器行業(yè)屬于周期性行業(yè)從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲器行業(yè)周期特征明顯主
Holtek推出全新的無線吸塵器ASSP Flash MCU - HT45F0084,內(nèi)建硬件過電流/過電壓/欠電壓保護,針對電機與電池提供完整的保護,也可節(jié)省外圍零件,非常適合開發(fā)無線吸塵器中的直流有刷電機機種。