NAND Flash成半導(dǎo)體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出,繼移動裝置后,物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊(5G )擴增實境(AR)/虛擬實境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。為迎相關(guān)應(yīng)用,存儲器廠積極擴增產(chǎn)能,并以儲存型(NAND Flash)為主要爭戰(zhàn)焦點。
SEMI表示,去年半導(dǎo)體產(chǎn)值創(chuàng)新高,主要是記憶體如DRAM和NAND Flash價格大漲,以及感測器、光電和分離式元件需求強勁帶動。預(yù)期這些應(yīng)用今年仍會驅(qū)動產(chǎn)業(yè)成長。
此外,半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值也可望持續(xù)創(chuàng)高,主因存儲器和晶圓代工廠持續(xù)擴建。
SEMI表示,物聯(lián)網(wǎng)、 車用、5G、AR/VR及AI將是中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。今年存儲器市場需求持續(xù)增加,DRAM位元需求成長預(yù)估為30%,NAND Flash成長45%。不過,NAND Flash產(chǎn)能增幅會更大、高達48%;DRAM產(chǎn)能也有較明顯的增長,增幅為10%,其余如微機電元件和電源管理IC,產(chǎn)能增幅各8%、5%。
SEMI昨天更新全球晶圓廠預(yù)測報告,去年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出上修至570億美元,年增41%,創(chuàng)歷史新高;今年將再創(chuàng)新高、達630億美元,年增11%,其中韓國三星和SK海力士,以及中國大陸長江存儲、福建晉華、華力、合肥長鑫增建計劃是矚目的焦點。