日本精工電子的全資子公司，從事測量分析設備業(yè)務的SII納米科技（SII NanoTechnology），開發(fā)出了可支持16nm工藝半導體制造的掩模修正技術。技術詳情將在2012年4月17～19日于太平洋橫濱會展中心舉行的“Photomask Japan 2012”上發(fā)布。采用此新技術的掩膜修正設備預定2012年9月投產(chǎn)。

SII納米科技多年來一直提供采用FIB（聚焦離子束）來修正掩模缺陷的設備，而90nm工藝以后的主流是采用EB（電子束）的掩模修正技術，因此該公司的市場份額出現(xiàn)下滑。但是，SII納米科技認為22nm工藝以后在半色調(diào)掩模中采用新型MoSi膜“A6L2”的可能性較高，難以通過EB修正掩模缺陷。

SII納米科技通過對原來的FIB技術進行改進，開發(fā)出了可修正A6L2膜的技術。具體來說，就是采用了“氣態(tài)場發(fā)射離子源（Gas Field Ion Source：GFIS）”。與原來采用液體Ga的離子源相比，GFIS除了可以減小射束直徑外，通過選擇適當?shù)臍怏w種類，還可以有效地對A6L2膜進行蝕刻。采用GFIS的最小修正尺寸為10nm，降至原來采用液體Ga的FIB設備的1/6 ，從而可以有效修正16nm工藝的掩模。

此次的技術原本是作為EUV掩模缺陷修正技術而開發(fā)的，但除了EUV掩模外，還可以修正納米壓印模板的缺陷。
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新開發(fā)的氣態(tài)場發(fā)射離子源（GFIS）

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可修正EUV掩模的缺陷