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沉浸式光刻制約EUV的推出
【導(dǎo)讀】使用193nm光刻的半導(dǎo)體發(fā)展路線圖已經(jīng)走到盡頭，下一代將必定采用157nm光。TI公司前端處理部經(jīng)理Jim Blatchford剛剛完成一種前沿157nm光刻系統(tǒng)的談判，但他對(duì)這種尚未驗(yàn)證的技術(shù)仍然有點(diǎn)擔(dān)心，因此他想去負(fù)責(zé)
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ASML看淡訂單展望 調(diào)降上半年財(cái)測(cè)
歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾（ASML）16日說(shuō)，第1季凈利增加一倍多，但認(rèn)為未來(lái)兩季訂單可能只會(huì)小幅成長(zhǎng)，因而調(diào)降上半年財(cái)測(cè)，反映部分客戶的需求減少。艾司摩爾股價(jià)應(yīng)聲重挫。艾司摩爾總部在荷蘭，是半導(dǎo)體產(chǎn)
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臺(tái)灣家登精密切入LED藍(lán)寶石市場(chǎng) 推出8寸晶舟產(chǎn)品
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 半導(dǎo)體設(shè)備廠家登精密今年除了持續(xù)看好8寸及12寸晶圓盒及極紫外光光罩盒（EUV Pod）出貨，也順利切入LED藍(lán)寶石市場(chǎng)，順利推出8寸金屬制晶舟產(chǎn)品已獲國(guó)外大廠訂單。家登表示，受惠於大客戶
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半導(dǎo)體設(shè)備廠ASML調(diào)降H1營(yíng)收預(yù)估 稱邏輯客戶需求下滑
歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備商艾斯摩爾（ASMLHoldingNV）（ASML-NL）（ASML-US）周三（16日）公布財(cái)報(bào)，雖然第一季凈利倍增，但卻調(diào)降上半年預(yù)估，因部分客戶訂單需求已開始下滑。消息一出，在荷蘭掛牌的ASML周三開盤股價(jià)隨即
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客戶需求下滑 艾斯摩爾調(diào)降H1營(yíng)收預(yù)估
歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備商艾斯摩爾(ASML )周三(16日)公布財(cái)報(bào)，雖然第一季凈利倍增，但卻調(diào)降上半年預(yù)估，因部分客戶訂單需求已開始下滑。今年第一季ASML凈利從去年同期的9600 萬(wàn)歐元，大幅躍進(jìn)至2.49 億歐元(3.44 億美元
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藍(lán)寶石晶舟出貨，家登很吃香
半導(dǎo)體設(shè)備廠家登精密（3680）今年除了持續(xù)看好8寸及12寸晶圓盒及極紫外光光罩盒（EUV Pod）出貨，也順利切入LED藍(lán)寶石市場(chǎng)，順利推出8寸金屬制晶舟產(chǎn)品已獲國(guó)外大廠訂單。家登表示，受惠于大客戶的設(shè)備材料在地化策
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18吋晶圓與EUV微影難度高半導(dǎo)體制程面臨挑戰(zhàn)
根據(jù)Extremetech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，極紫外光(EUV)微影技術(shù)仍待克服，以及18吋晶圓計(jì)畫目前仍充滿變數(shù)，種種消息對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，已出現(xiàn)技術(shù)亟待突破的關(guān)鍵期。2012年，臺(tái)積電、英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronic
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張忠謀：摩爾定律將死亡只剩5~6年茍延殘喘
英特爾(Intel)在上周GSA年會(huì)中重申，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的摩爾定律可一路做到10納米制程，但臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀27日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)年會(huì)時(shí)，當(dāng)眾打槍表示，摩爾定律差不多要死亡，大概茍延殘喘5~6年，10納米不需
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張忠謀：摩爾定律將死亡只剩5~6年茍延殘喘
英特爾(Intel)在上周GSA年會(huì)中重申，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的摩爾定律可一路做到10納米制程，但臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀27日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)年會(huì)時(shí)，當(dāng)眾打槍表示，摩爾定律差不多要死亡，大概茍延殘喘5~6年，10納米不需
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張忠謀：摩爾定律只剩5~6年茍延殘喘
英特爾（Intel）在上周GSA年會(huì)中重申，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的摩爾定律可一路做到10納米制程，但臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀27日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（TSIA）年會(huì)時(shí)，當(dāng)眾表示，摩爾定律差不多要死亡，大概茍延殘喘5~6年，10納
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EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎
ASML的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)在TSMC現(xiàn)場(chǎng)初試時(shí)出現(xiàn)失誤。在2014年加州SanJose舉行的先進(jìn)光刻技術(shù)會(huì)議上TSMC演講中透露此消息,由于EUV光源內(nèi)的激光機(jī)械部分出現(xiàn)異位導(dǎo)致光源破裂。因此EUV光刻機(jī)停擺。TSMC的下一代光刻部經(jīng)理
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EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎
ASML的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)在TSMC現(xiàn)場(chǎng)初試時(shí)出現(xiàn)失誤。在2014年加州SanJose舉行的先進(jìn)光刻技術(shù)會(huì)議上TSMC演講中透露此消息，由于EUV光源內(nèi)的激光機(jī)械部分出現(xiàn)異位導(dǎo)致光源破裂。因此EUV光刻機(jī)停擺。TSMC的下一代光刻部經(jīng)
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未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)不確定性引發(fā)的思考
2014及未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)會(huì)怎么樣?答案肯定是好壞均占。有樂(lè)觀派如ICInsight公司,認(rèn)為2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過(guò)最低增長(zhǎng)的困難的5年周期,并開始下一輪周期的上升，這是一個(gè)好消息。在2007年至2012年期間，全
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未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)不確定性引發(fā)的思考
2014及未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)會(huì)怎么樣?答案肯定是好壞均占。有樂(lè)觀派如ICInsight公司,認(rèn)為2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過(guò)最低增長(zhǎng)的困難的5年周期,并開始下一輪周期的上升，這是一個(gè)好消息。在2007年至2012年期間，全
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未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)的不確定性引發(fā)的思考
2014及未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)會(huì)怎么樣?答案肯定是好壞均占。有樂(lè)觀派如IC Insight公司, 認(rèn)為2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過(guò)最低增長(zhǎng)的困難的5年周期,并開始下一輪周期的上升，這是一個(gè)好消息。在2007年至2012年期間，
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ASML估Q1營(yíng)收未達(dá)標(biāo)
歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾控股公司(ASML Holding NV NL-ASML)預(yù)估第1季營(yíng)收低于預(yù)期，并表示獲利能力將受到下一代極紫外光(EUV)系統(tǒng)訂單的箝制。艾司摩爾今天在聲明稿中指出，預(yù)期2014年前3個(gè)月銷售凈額約14
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受EUV光刻技術(shù)推動(dòng) 芯片突破摩爾定律
【導(dǎo)讀】在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑
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三星正在研究10nm工藝 同時(shí)初步嘗試EUV技術(shù)
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里？至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
據(jù)美國(guó)科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
據(jù)美國(guó)科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容
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