據(jù)報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。

三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內存產品的首次發(fā)貨。

這種解決方案無需在數(shù)據(jù)記¼期間擦除數(shù)據(jù)，并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很優(yōu)秀。

三星將FD-SOI工藝與嵌入式設計技術相結合。在FD-SOI工藝中，硅片上覆蓋一層絕緣膜，在頂部形成晶體管。它的特點是大大降低了晶體管運行過程中產生的©電流。該公司在FD-SOI進程中添加了嵌入式內存技術。嵌入式存儲技術是一種存儲模塊，用于小型電子設備的微控制器單元(MCU)和片上系統(tǒng)(SoC)等系統(tǒng)半導體中存儲信息。

三星電子表示，該解決方案結構簡單，可以通過在當前基于邏輯流程的設計中添加最少的層數(shù)來實現(xiàn)，從而減輕了公司進行新設計的負擔，并降低了生產成本。三星計劃擴大其嵌入式內存解決方案，從今年生產1塊Gbe MRAM測試芯片開始。

行業(yè)分析師表示，隨著eMRAM的推出，三星將增加其代工銷售，同時增強其在代工方面的競爭力，以確保在δ來半導體市場占據(jù)領先地λ。

三星計劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。