最近三星電子在DRAM和存儲領(lǐng)域瘋狂的刷存在感，從MWC 2019展會發(fā)布eUFS 3.0存儲芯片，到eMRAM存儲器，再到高容量LPDDR4x內(nèi)存。而現(xiàn)在三星再次更新內(nèi)存技術(shù)，在NVIDIA的GTC大會上專門為數(shù)據(jù)中心、GPU等高性能計算帶來了更新的HBM2E內(nèi)存。這款芯片是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的產(chǎn)品。

在性能上， 這款產(chǎn)品將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度達(dá)到33%。同時每芯片的容量提升了兩倍，達(dá)到16Gb。而HBM產(chǎn)品一般通過TSVs(硅穿孔技術(shù))進(jìn)行多層堆疊，所以通過這個技術(shù)進(jìn)行8-Hi堆疊，可以讓HBM2E內(nèi)存容量達(dá)到16GB。同時采用1024位寬的總線可以讓HBM2e內(nèi)存的帶寬高達(dá)410GB/s。相比前代產(chǎn)品有了大幅度提升。

三星將這款產(chǎn)品定位于下一代數(shù)據(jù)中心、超級計算機(jī)以及人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。事實上，三星的上一代HBM2芯片在規(guī)格上就已經(jīng)超過了HBM2規(guī)范，最高帶寬達(dá)到了307.2GB/s，同時容量最大為8GB，而工作電壓僅為1.2v。而實際上的HBM2規(guī)范為最高256GB/s的帶寬和4GB的最大容量，同時工作電壓為1.35v。而這次三星再次提高HBM內(nèi)存的性能，但遺憾的是，這次三星并沒有公布這款芯片的工作電壓。

HBM內(nèi)存在功耗和性能上相比于常見的GDDR5或GDDR6芯片都更有優(yōu)勢，同時采用TSV技術(shù)，并與GPU等封裝在一起，所以占用更小的面積。但是由于成本原因，這些HBM芯片通常只有高端產(chǎn)品才會配有，如AMD的Radeon VII、NVIDIA的GV100或Intel的FPGA。但作為一款全新的產(chǎn)品，目前并沒有產(chǎn)品宣布使用這款芯片。雖然三星官方目前已經(jīng)公布了這款產(chǎn)品，但是并沒有宣布量產(chǎn)。相信這款產(chǎn)品離量產(chǎn)不會太久。