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內(nèi)存條為什么這么貴？
原材料成本上升、供貨結(jié)構(gòu)傾向智能手機(jī)、中間商囤貨居奇等原因，共同導(dǎo)致內(nèi)存條價(jià)格暴漲，短期內(nèi)難以反轉(zhuǎn)。
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多方原因?qū)е聝?nèi)存條價(jià)格暴漲 短期難見反轉(zhuǎn)
記者多方調(diào)查發(fā)現(xiàn)，依據(jù)IC Insights的一份報(bào)告，作為內(nèi)存上游原料的DRAM顆粒一年來(lái)價(jià)格漲幅達(dá)111%，成本上漲明顯低于終端產(chǎn)品的上漲幅度?！皟r(jià)格上漲的原因是多方面導(dǎo)致的，可能到今年底之前都不會(huì)出現(xiàn)反轉(zhuǎn)了?！币晃婚L(zhǎng)期觀察內(nèi)存市場(chǎng)的人士告訴記者。
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。
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首款DDR4國(guó)產(chǎn)處理器流片成功：性能追齊Intel
在本月17日召開的上海SEMICON China 2017大會(huì)上，上海兆芯正式宣布型號(hào)為ZX-D的國(guó)產(chǎn)處理器流片成功。
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日本內(nèi)存價(jià)格失控：DDR4出現(xiàn)暴漲
新年裝機(jī)旺季讓內(nèi)存成為搶手品，尤其是趕在Intel和AMD新一代處理器集中上市，DDR4內(nèi)存的市場(chǎng)需求一路飆高，直接帶動(dòng)價(jià)格上漲。來(lái)自日本秋葉原市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，最常用的DDR4-2133 16GB雙條套裝最低售價(jià)在最近一周內(nèi)出現(xiàn)了786日元的漲幅，DDR4-2133 32GB雙條套裝最低售價(jià)漲幅更是高達(dá)6800日元。而高端型號(hào)DDR4-2666 32GB雙條套裝也有6480日元上漲。
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Synopsys新型DDR4 IP套件提高高性能云計(jì)算系統(tǒng)的容量與可靠性
21ic訊 新思科技(Synopsys,Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS)日前宣布：3200Mbps的 Synopsys DesignWare® DDR4 IP的一系列新功能不但能夠擴(kuò)展高性能云計(jì)算系統(tǒng)的內(nèi)存容量，而且能夠提高可靠性、可存取性以及可服務(wù)性(RAS）。
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三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級(jí)內(nèi)存的公司
三星電子3月5日宣布，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實(shí)現(xiàn)了10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個(gè)量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。三星沒有披露新工藝的具體數(shù)字，只是模糊地稱之為10nm級(jí)別或者1xnm，
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Rambus搖身變芯片設(shè)計(jì)廠商 新產(chǎn)品將帶動(dòng)轉(zhuǎn)型
就在很多人即將遺忘Rambus這個(gè)名字的時(shí)候，其突然高調(diào)回歸，而且還一改以往的授權(quán)模式，開始推出實(shí)體產(chǎn)品。
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是德科技推出全球最小的針對(duì) DDR4 x16 設(shè)計(jì)的邏輯分析儀 BGA 內(nèi)插器探測(cè)解決方案
2015 年 8月13日，北京——是德科技公司(NYSE：KEYS)日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)設(shè)計(jì)測(cè)試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助Keysight W4636ADDR4 x16
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是德科技推出全球最小邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測(cè)解決方案
是德科技公司日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)設(shè)計(jì)測(cè)試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助 Keysight W4636ADDR4 x16 BGA 內(nèi)插器解決方案，工程師能夠快速且精確地捕獲地
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是德科技推出全球最小的針對(duì)DDR4 x16設(shè)計(jì)的邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測(cè)解決方案
是德科技公司(NYSE：KEYS)日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)設(shè)計(jì)測(cè)試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助 Keysight W4636ADDR4 x16 BGA 內(nèi)插器解決方案，工程師能夠快速且精確地捕獲地址、命令信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)子集，以完成高達(dá) 2400Mb/s 的設(shè)計(jì)調(diào)試和功能驗(yàn)證測(cè)量。
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Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率
21ic訊 Altera公司近日宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2,666Mbps。Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲(chǔ)器的FP
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UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密
Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示應(yīng)用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設(shè)計(jì)將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達(dá)
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揚(yáng)帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程
歷經(jīng)六年的開發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時(shí)鐘頻
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三星量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM
三星電子今日宣布已開始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級(jí)服務(wù)器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務(wù)器中央處理器已經(jīng)上市，此時(shí)量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動(dòng)高端服務(wù)器市場(chǎng)從DDR3向DDR4的轉(zhuǎn)換?；?0納米8Gb DDR4的服
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歷時(shí)六年 DRAM新一代DDR4開啟征程
歷經(jīng)六年的開發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時(shí)鐘頻
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DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片發(fā)展趨勢(shì)
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺(tái)，并與LP-DDR3存儲(chǔ)器將同時(shí)存在一段時(shí)間;至于NAND Flash快閃存儲(chǔ)器也跨
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是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器
21ic訊 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測(cè)解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結(jié)合使用，可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設(shè)計(jì)，以及驗(yàn)證器件與 JEDEC D
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單條最高64GB！三星量產(chǎn)DDR4內(nèi)存
韓國(guó)三星電子今天正式宣布，目前已經(jīng)開始正式量產(chǎn)全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。該DDR4內(nèi)存采用三星自家先進(jìn)的2xnm工藝，所采用的TSV技術(shù)，是一種穿透硅晶
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影馳HOF系列DDR4內(nèi)存問(wèn)世
高大上的新一代Haswell-E旗艦桌面處理器和X99主板都已經(jīng)登場(chǎng)一星期了，與此同時(shí)也帶來(lái)了一大波DDR4內(nèi)存，這次可能會(huì)讓你吃驚，因?yàn)闊衢T硬件廠商影馳也將要推出HOF系列DDR4內(nèi)存。其實(shí)影馳在年中的Comput
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