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Intel X99平臺(tái)首次亮相：DDR4+Hawell-E
IDF2013(這可不是國(guó)內(nèi)那場(chǎng))目前正在舊金山如火如荼的展開(kāi)，Intel以及其合作伙伴都有不少新玩意兒展出，其中就包含有下一代DDR4內(nèi)存。目前可以確定的是DDR4內(nèi)存會(huì)搭配Haswell-E或者Haswell-EP處理器登場(chǎng)，而在IDF2013
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DDR4內(nèi)存終于量產(chǎn)！三星、20nm制程、服務(wù)器
DDR4內(nèi)存終于量產(chǎn)，三星半導(dǎo)體（Samsung Semiconductor）宣布量產(chǎn)4Gb（512MB）模塊、基于20nm制程技術(shù)。 據(jù)三星介紹，32GB版將面向高端服務(wù)器市場(chǎng)，最高速度可以達(dá)到2,667 Mb/s；比DDR3性能更強(qiáng)，且功耗
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三星開(kāi)始量產(chǎn)20納米級(jí)DDR4超高速內(nèi)存模塊
據(jù)韓聯(lián)社消息，三星電子表示已開(kāi)始量產(chǎn)超高速內(nèi)存——20納米級(jí)16GB DDR4模塊，并計(jì)劃加快進(jìn)軍企業(yè)服務(wù)器市場(chǎng)的步伐。20納米級(jí)16GB DDR4 DRAM產(chǎn)品體積世界最小，最高處理速度可達(dá)2667Mb/s，和DDR3 DRAM相比，耗電量減
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三星宣布量產(chǎn)下代內(nèi)存DDR4 年底出貨
三星電子在內(nèi)存行業(yè)的地位實(shí)在不容小覷，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家開(kāi)始了下代內(nèi)存DDR4的批量生產(chǎn)。不過(guò)，當(dāng)然現(xiàn)在還不是針對(duì)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的，得等待Intel Haswell-E、AMD Carrizo APU等下下代平臺(tái)(Broadwell還不確定但感
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9系列主板未來(lái)將兼容Broadwell
我們知道，Intel 14nm Broadwell平臺(tái)的發(fā)布策略有了很大變化，明年只會(huì)出現(xiàn)在低壓和超低壓版的筆記本上，桌面則得等到后年，在那之前還有一代Haswell Refresh。盡管是一次變化不大的過(guò)渡版，Intel明年仍將推出新的9系
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Intel至強(qiáng)線路圖曝光 Skylake將用14nm制程
國(guó)外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者，這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見(jiàn)面，搭載
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Intel至強(qiáng)線路圖曝光 Skylake將用14nm制程
國(guó)外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者，這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見(jiàn)面，搭載
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Intel Skylake平臺(tái)將采用14nm制程 并支持DDR4/PCIe 4
國(guó)外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者，這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見(jiàn)面，搭載
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DDR4內(nèi)存樣品開(kāi)始出貨
Innodisk(宜鼎國(guó)際)一家并不太大的DRAM、NAND獨(dú)立供應(yīng)商，但他們卻宣布已經(jīng)開(kāi)始向服務(wù)器廠商出貨自己的DDR4 RDIMM內(nèi)存條樣品。這是在沒(méi)有自主DRAM制造能力的廠商中，為數(shù)不多能做到這一點(diǎn)的。Innodisk并未透露自己出
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消費(fèi)級(jí)DDR4內(nèi)存條第一次露面，下邊竟是彎的！
海力士、三星等過(guò)去兩年曾經(jīng)陸續(xù)展示過(guò)自己的DDR4內(nèi)存樣品，但都是企業(yè)級(jí)的UDIMM、RDIMM。現(xiàn)在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預(yù)告過(guò)的第一款消費(fèi)級(jí)DDR4 DIMM內(nèi)存條。 該內(nèi)存條屬于Crucia
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第一款消費(fèi)級(jí)DDR4內(nèi)存條浮出水面 弧形設(shè)計(jì)
海力士、三星等過(guò)去兩年曾經(jīng)陸續(xù)展示過(guò)自己的DDR4內(nèi)存樣品，但都是企業(yè)級(jí)的UDIMM、RDIMM?，F(xiàn)在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預(yù)告過(guò)的第一款消費(fèi)級(jí)DDR4 DIMM內(nèi)存條。該內(nèi)存條屬于Crucial Ballistix系列
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展望2013年存儲(chǔ)行業(yè)：創(chuàng)新不斷煥發(fā)正能量
DDR3內(nèi)存給行業(yè)注入正能量 2012年是近年內(nèi)存行業(yè)最為輝煌的一年，內(nèi)存顆粒制造工藝全面推薦到30nm，DDR3內(nèi)存提高頻率到1600MHz，同時(shí)8GB DDR3內(nèi)存進(jìn)入普及。不但廠家從里面獲利，廣大網(wǎng)友們也樂(lè)在其中，形成真正的雙
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ARM服務(wù)器炸彈：A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務(wù)器越來(lái)越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡(luò)“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務(wù)器系統(tǒng)IP號(hào)稱可以滿足未來(lái)10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)需求。 該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和C
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ARM服務(wù)器炸彈！A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務(wù)器越來(lái)越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡(luò)“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務(wù)器系統(tǒng)IP號(hào)稱可以滿足未來(lái)10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)需求。該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和Corte
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DDR4內(nèi)存可以快速發(fā)展嗎？
我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來(lái)，內(nèi)存已經(jīng)很少
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Synopsys DesignWare DDR4存儲(chǔ)器接口IP實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充
新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產(chǎn)品組合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充，以使其包括了對(duì)基于新興的DDR4標(biāo)準(zhǔn)的下一代SDRAM。通過(guò)在一個(gè)單內(nèi)核中就實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DD
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Synopsys發(fā)布DesignWare DDR4存儲(chǔ)器接口IP
21ic訊 新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產(chǎn)品組合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)充，以使其包括了對(duì)基于新興的DDR4標(biāo)準(zhǔn)的下一代SDRAM。通過(guò)在一個(gè)單內(nèi)核中就實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWa
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Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內(nèi)存控制器試驗(yàn)成功
Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的DDR4內(nèi)存物理層及內(nèi)存控制器電路已經(jīng)在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗(yàn)成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內(nèi)存控制器。 Cadence公司產(chǎn)品部門、S
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首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)解決方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證
全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲(chǔ)控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過(guò)硅驗(yàn)證。為了擴(kuò)大在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
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首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證
首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證
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