DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱(chēng)，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

三星DDR4內(nèi)存芯片速度提升一倍 2012年投產(chǎn)

三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。 時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類(lèi)型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2

DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

Altera推出 DDR400 SDRAM DIMM接口