雖然目前各大內(nèi)存廠商已經(jīng)開始生產(chǎn)下一代DDR4內(nèi)存,但是就目前情況來看,大概明年新一代內(nèi)存才會(huì)用于服務(wù)器設(shè)備,而個(gè)人電腦和平板電腦則要等到2015年。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析,DDR4內(nèi)存將會(huì)為用戶提供相當(dāng)于
美光早在今年年初就放話,自家的DDR4內(nèi)存年內(nèi)發(fā)布,然后就沒有了動(dòng)靜,現(xiàn)在離2014年還剩不到2個(gè)月了,說好的DDR4還來不來了?根據(jù)最近在美光網(wǎng)站上的一張路線圖,DDR4今年是肯定有的。作為DDR3的繼任者,DDR4內(nèi)存運(yùn)行
美光早在今年年初就放話,自家的DDR4內(nèi)存年內(nèi)發(fā)布,然后就沒有了動(dòng)靜,現(xiàn)在離2014年還剩不到2個(gè)月了,說好的DDR4還來不來了?根據(jù)最近在美光網(wǎng)站上的一張路線圖,DDR4今年是肯定有的。作為DDR3的繼任者,DDR4內(nèi)存運(yùn)行
Rambus已經(jīng)逐漸遠(yuǎn)離大眾視野,但也會(huì)時(shí)不時(shí)冒出來露露臉,展示一下自己的最新技術(shù)。現(xiàn)在,它們又開始倒騰下代DDR4了。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中的DDR4內(nèi)存起跳頻率為1600MHz,初期產(chǎn)品一般在2400MHz,而最高可達(dá)3200MHz,同時(shí)
11月8日 此前Intel 2015年的路線圖中顯示Skylake處理器會(huì)支持DDR4、PCI-E 4.0、AVX 3.2指令集等,不過最新確認(rèn)的規(guī)格中支持DDR4是真的,但是PCI-E 4.0就沒了。明年的14nm Broadwell會(huì)在GPU上大幅增強(qiáng),到了2015年Int
Broadwell 之后將會(huì)有由 SkyLake CPU 取代,目前在 Workstation 方面已經(jīng)確認(rèn)平臺(tái)名稱。Greenlow Platform 將會(huì)期待 Broadwell,而這個(gè)平臺(tái)將包含了 SkyLake CPU、Sunrise Point PCH 以及 Jasksonville Phy。首先 Sk
21ic訊 泰克公司日前宣布,推出實(shí)時(shí)內(nèi)存執(zhí)行驗(yàn)證解決方案,以提供針對(duì)JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的更快速協(xié)議、性能及一致性分析。由泰克合作伙伴Nexus Technology開發(fā)的MCA4000協(xié)議一致性和總線協(xié)議分析儀提供
21ic訊 泰克公司日前宣布,推出實(shí)時(shí)內(nèi)存執(zhí)行驗(yàn)證解決方案,以提供針對(duì)JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的更快速協(xié)議、性能及一致性分析。由泰克合作伙伴Nexus Technology開發(fā)的MCA4000協(xié)議一致性和總線協(xié)議分析儀提
DDR3算是內(nèi)存史上相當(dāng)長(zhǎng)壽的一代,而且再堅(jiān)持個(gè)兩年多毫無問題。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)稱,DDR4內(nèi)存要想成為市場(chǎng)主流,至少得2016年。按照管理,一種內(nèi)存規(guī)格只有出貨量過半才能稱得上占據(jù)主流地位,這包括桌面、筆記本、服
在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下,包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠,近期也相繼導(dǎo)入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動(dòng),業(yè)者強(qiáng)調(diào),DDR 4 DRAM因功耗低,運(yùn)算速度更快,且支援矽鉆孔(TSV)3D IC設(shè)計(jì),預(yù)料明
IDF2013(這可不是國(guó)內(nèi)那場(chǎng))目前正在舊金山如火如荼的展開,Intel以及其合作伙伴都有不少新玩意兒展出,其中就包含有下一代DDR4內(nèi)存。目前可以確定的是DDR4內(nèi)存會(huì)搭配Haswell-E或者Haswell-EP處理器登場(chǎng),而在IDF2013
DDR4內(nèi)存終于量產(chǎn),三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor)宣布量產(chǎn)4Gb(512MB)模塊、基于20nm制程技術(shù)。 據(jù)三星介紹,32GB版將面向高端服務(wù)器市場(chǎng),最高速度可以達(dá)到2,667 Mb/s;比DDR3性能更強(qiáng),且功耗
據(jù)韓聯(lián)社消息,三星電子表示已開始量產(chǎn)超高速內(nèi)存——20納米級(jí)16GB DDR4模塊,并計(jì)劃加快進(jìn)軍企業(yè)服務(wù)器市場(chǎng)的步伐。20納米級(jí)16GB DDR4 DRAM產(chǎn)品體積世界最小,最高處理速度可達(dá)2667Mb/s,和DDR3 DRAM相比,耗電量減
三星電子在內(nèi)存行業(yè)的地位實(shí)在不容小覷,已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家開始了下代內(nèi)存DDR4的批量生產(chǎn)。不過,當(dāng)然現(xiàn)在還不是針對(duì)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的,得等待Intel Haswell-E、AMD Carrizo APU等下下代平臺(tái)(Broadwell還不確定但感
我們知道,Intel 14nm Broadwell平臺(tái)的發(fā)布策略有了很大變化,明年只會(huì)出現(xiàn)在低壓和超低壓版的筆記本上,桌面則得等到后年,在那之前還有一代Haswell Refresh。盡管是一次變化不大的過渡版,Intel明年仍將推出新的9系
國(guó)外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖,這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者,這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見面,搭載
國(guó)外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖,這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者,這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見面,搭載
國(guó)外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖,這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者,這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見面,搭載
Innodisk(宜鼎國(guó)際)一家并不太大的DRAM、NAND獨(dú)立供應(yīng)商,但他們卻宣布已經(jīng)開始向服務(wù)器廠商出貨自己的DDR4 RDIMM內(nèi)存條樣品。這是在沒有自主DRAM制造能力的廠商中,為數(shù)不多能做到這一點(diǎn)的。Innodisk并未透露自己出
海力士、三星等過去兩年曾經(jīng)陸續(xù)展示過自己的DDR4內(nèi)存樣品,但都是企業(yè)級(jí)的UDIMM、RDIMM?,F(xiàn)在,美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預(yù)告過的第一款消費(fèi)級(jí)DDR4 DIMM內(nèi)存條。 該內(nèi)存條屬于Crucia