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英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級，但這對于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場無疑是有益的。另外E5 v3針對軟件定義SDI進行優(yōu)化，可以進行更
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支持DDR4內(nèi)存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器
在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級，但這對于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場無疑是有益的。另外E5 v3針對軟件定義SDI進行優(yōu)化，可以進行更智能的資源調(diào)
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DDR4內(nèi)存標準關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標準中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)
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AgigA Tech公司推出業(yè)界首款DDR4 NVDIMM
21ic訊 領(lǐng)先市場的高速、高容量、無需電池的非易失性存儲解決方案供應(yīng)商，賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布，開始向主要OEM和開發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
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三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開發(fā)樣品
三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。時至今日，DDR4內(nèi)存的標準規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDI
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Molex更新DDR4 DIMM插座提供多種改進
21ic訊 Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動及標準兩種型款，為設(shè)計工程師提供更多的選項和更高的性能，同時保持成本競爭力。氣動插座產(chǎn)品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間
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安捷倫推出ADS DDR4一致性測試平臺 解決仿真－測量關(guān)聯(lián)挑戰(zhàn)
21ic訊 安捷倫科技公司(NYSE: A)日前推出ADS先進設(shè)計系統(tǒng) DDR4 一致性測試平臺，為工程師提供從仿真設(shè)計到測量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無論是開發(fā) DDR 控制器 IP 的半導(dǎo)體公司、開發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲器廠商
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JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布DDR4存儲器標準
【導(dǎo)讀】微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標準。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標準的制定旨在提高性能與可靠性的同時降低功耗。因此，相較于此前的DRAM內(nèi)存技術(shù)，DDR4代表著實質(zhì)性的進步
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美光高端DDR4內(nèi)存來了 狂飆3000MHz！
雖然支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E還不見任何蹤影，但內(nèi)存廠商們早就等不及了，從今年初就開始發(fā)布各種規(guī)格的DDR4內(nèi)存，但初期的規(guī)格均不是特別好看，直到美光Eallistix Elite的出現(xiàn)。美光Eallistix Elite DDR4內(nèi)存隸屬于
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威剛將推DDR4超頻記憶體模組
隨著2014年臺北國際電腦展（Computex）6月3日登場，記憶體模組大廠威剛科技（3260）將于現(xiàn)場中盛大展出首款自行研發(fā)的工業(yè)用固態(tài)硬碟（SSD）全方位解決方案、及全系列最新款SSD產(chǎn)品。同場也將展出領(lǐng)先業(yè)界的DDR4超頻
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Cadence宣布推出基于臺積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP
Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司近日宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶達到DDR4標準的最高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無
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Cadence宣布推出基于臺積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP
21ic訊—2014年5月20日，全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶
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安捷倫科技推出最新BGA 內(nèi)插器結(jié)合業(yè)界速度最快的邏輯分析儀進行 DDR4 設(shè)計探測
安捷倫科技公司日前宣布推出兩款內(nèi)插器解決方案，可結(jié)合邏輯分析儀用于測試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設(shè)計。這兩款內(nèi)插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號，以進行設(shè)計調(diào)試和驗證測量。Agilent W4633A B
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英特爾六代Skylake處理器：普及14nm/DDR4
近期，英特爾公司在新加坡成功舉辦英特爾解決方案峰會（Intel Solution Summit），再次介紹Haswell Refresh、Haswell Refresh K、Pentium K等新品發(fā)布計劃，同時英特爾第六代Skylake處理器也揭曉將于20
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英特爾下代處理器曝圖：12核心、DDR4內(nèi)存
上周六，CPU-Z 1.69.2曝光英特爾Haswell-E處理器，原生支持DDR4內(nèi)存。據(jù)國外CPUWorld網(wǎng)站介紹，目前首顆英特爾Haswell-EP處理器已經(jīng)泄露?，F(xiàn)在國外ebay網(wǎng)站已開始拍賣這顆新U，采用12核心設(shè)計、原生支持
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微芯推出用于DDR4 SDRAM模塊的4 Kb串行存在檢測EEPROM器件
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出新一代4 Kb I2C™ 串行存在檢測(Serial Presence Detect，簡稱SPD)EEPROM器件34AA04。新器件專門設(shè)計用于支持高速PC和筆記本電腦中的新一代雙倍數(shù)據(jù)數(shù)率
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DDR4內(nèi)存竟然還能這么矮
DDR4內(nèi)存終于全面開花結(jié)果了。嵌入式存儲廠商Virtium今天也推出了他們的DDR4產(chǎn)品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型規(guī)格，高度只有區(qū)區(qū)17.8毫米(0.7英寸)。DDR4 DIMM內(nèi)存的標準高度為31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.3
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來自海力士，首款單條128G DDR4內(nèi)存登場
在宣布首款單條64GB DDR4內(nèi)存之后，SK海力士（SK Hynix）又在今日發(fā)布了全球首款單條容量高達128GB的DDR4內(nèi)存。和之前的64GB DDR4內(nèi)存一樣，這款容量達到128GB的DDR4產(chǎn)品使用了自家的8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存
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對抗威剛：美光DDR4大規(guī)模投產(chǎn)
威剛今天早些時候正式宣布了他們的首批DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內(nèi)存已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)，并在逐步提高產(chǎn)量。 美光表示，目前量產(chǎn)的是4Gb DDR4內(nèi)存顆粒，標準頻率為2133MHz，并特別與Intel
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Micron宣布加大DDR4模塊的產(chǎn)量
先進內(nèi)存及企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能應(yīng)用存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology, Inc., 今日宣布其正逐步加大DDR4存儲器的產(chǎn)量以支持即將發(fā)布的Intel(R) CPU。DDR4技術(shù)的性能改進及功耗降低是日益增長的企業(yè)計算市場十
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