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英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛非常關鍵

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領域獲得成功的關鍵變數(shù)?？紤]到2011年出貨量為零，今年出貨量預計只占總體DRAM領域

消費電子
2012-07-25

DDR4 DRAM 英特爾 CPU
英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛將非常關鍵

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領域獲得成功的關鍵變數(shù)?？紤]到2011年出貨量為零，今年出貨量預計只占總體DRAM領域

智能硬件
2012-07-23

DDR4 DRAM 英特爾 CPU
三星推首款30納米級服務器模塊

半導體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級4GB DDR4服務器DRAM模塊。三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級2GB DDR4模塊后，又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIM

充電吧
2012-07-12

三星納米級 GB DDR4
三星：業(yè)界首個單條16GB DDR4內(nèi)存已經(jīng)搞定

三星電子今日宣布，該公司已成為業(yè)內(nèi)首個成功試產(chǎn)16GB DDR4內(nèi)存模組的廠商。此次亮相的這一產(chǎn)品為RDIMM形式，面向企業(yè)級服務器市場。目前三星采用的生產(chǎn)制程工藝為30nm級別，6月試產(chǎn)的樣品包括單條8GB

智能硬件
2012-07-05

三星內(nèi)存 GB DDR4
GDDR6顯存啟動 2014年到來

GDDR5顯存已經(jīng)成為中高端獨立顯卡的標配，頻率也在不斷拔高，現(xiàn)在動不動就上6GHz。很自然地你也應該能想到，下一代GDDR6悄然已經(jīng)啟動了。GDDR6的標準制定工作由JEDEC負責，而其中占據(jù)主導地位的還是AMD。事實上，GDD

智能硬件
2012-06-25

AMD 顯存 DDR DDR4
Haswell-EP細節(jié)：四通道DDR4、14核心？

經(jīng)常爆料Intel未來產(chǎn)品技術細節(jié)的國內(nèi)網(wǎng)友“Bigpao007”近日又抖摟出了Intel Haswell-EP Xeon處理器的不少資料，這也是該平臺第一次流露出如此多的詳細內(nèi)幕。之前我們就已經(jīng)知道，Intel準備在Haswell-EP、

智能硬件
2012-06-25

四通道 HASWELL BRIDGE DDR4
DDR4今年年底抵達PC

DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的

充電吧
2012-05-09

PC DDR3 MICRON DDR4
美光宣布首個DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

美光宣布首個DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

嵌入式動態(tài)
2012-05-05

美光內(nèi)存 GB DDR4
DDR3沒錢賺了：三星敦促Intel盡快支持DDR4

業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子正努力勸說Intel盡快推出支持DDR4內(nèi)存的新平臺，因為目前過低的價格導致DDR3已經(jīng)基本無利可圖。根據(jù)此前消息，Intel要到至少2014年才會在企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX上首次支持DDR4，而在桌面上

充電吧
2012-04-16

三星 Intel DDR3 DDR4
Intel計劃2014年開始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存

智能硬件
2012-04-09

Intel HASWELL DDR3 DDR4
英特爾Haswell-EX CPU將支持DDR4

4月6日，據(jù)國外媒體報道，似乎消費者對于英特爾公司目前的成就并不滿意，他們所關心的是該公司對于未來的規(guī)劃，例如從現(xiàn)在起兩年內(nèi)的產(chǎn)品計劃。據(jù)了解內(nèi)情的人士透露，英特爾公司目前所研發(fā)的一種產(chǎn)品將會讓喜歡高存

智能硬件
2012-04-06

HASWELL DDR4 英特爾 CPU
英特爾計劃2014年開始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存

模擬
2012-04-06

HASWELL DDR3 DDR4 英特爾
英特爾計劃2014年開始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存

消費電子
2012-04-06

HASWELL DDR3 DDR4 英特爾
DDR4早著呢：Intel 2014年才會支持

DDR4內(nèi)存的標準規(guī)范已經(jīng)基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因為DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右

智能硬件
2012-04-05

Intel HASWELL DDR3 DDR4
美光提出3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是&ldq

智能硬件
2011-12-21

美光內(nèi)存封裝 DDR4
美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是

智能硬件
2011-12-20

美光內(nèi)存封裝 DDR4
美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

消費電子
2011-12-19

美光內(nèi)存封裝 DDR4
美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

半導體
2011-12-19

美光內(nèi)存封裝 DDR4
性能絕對過剩？DDR4內(nèi)存發(fā)展技術解析

DDR4：末路黃花or發(fā)展契機？我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn)，預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。

消費電子
2011-10-11

Intel 內(nèi)存 DDR3 DDR4
DDR4內(nèi)存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標準中的部分關鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標準規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術協(xié)會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

消費電子
2011-08-24

內(nèi)存電壓 DDR3 DDR4

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DDR4

英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛非常關鍵

英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛將非常關鍵

三星推首款30納米級服務器模塊

三星：業(yè)界首個單條16GB DDR4內(nèi)存已經(jīng)搞定

GDDR6顯存啟動 2014年到來

Haswell-EP細節(jié)：四通道DDR4、14核心？

DDR4今年年底抵達PC

美光宣布首個DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

DDR3沒錢賺了：三星敦促Intel盡快支持DDR4

Intel計劃2014年開始支持DDR4

英特爾Haswell-EX CPU將支持DDR4

英特爾計劃2014年開始支持DDR4

英特爾計劃2014年開始支持DDR4

DDR4早著呢：Intel 2014年才會支持

美光提出3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

性能絕對過剩？DDR4內(nèi)存發(fā)展技術解析

DDR4內(nèi)存標準關鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

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