作為中國(guó)本土最大的芯片制造商，中芯國(guó)際的技術(shù)動(dòng)向無(wú)疑是業(yè)界的焦點(diǎn)。中芯國(guó)際已走過(guò)10個(gè)年頭，9月16日舉辦的的技術(shù)研討會(huì)恰逢其成立10周年，新領(lǐng)導(dǎo)班子的集體亮相、最新技術(shù)路線圖的發(fā)布、研發(fā)進(jìn)展?fàn)顩r等，成為了此次研討會(huì)的最大亮點(diǎn)。

中芯國(guó)際最新技術(shù)路線圖發(fā)布

“中芯國(guó)際對(duì)于技術(shù)的發(fā)展投入不遺余力，這也是我們能夠在中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界得以領(lǐng)先的最重要原因?！敝行緡?guó)際COOSimonYang博士說(shuō)，“今年年底我們將結(jié)束55nm的研發(fā)，本月底40nm的研發(fā)將freeze，32nm的設(shè)備PO已發(fā)出，研發(fā)也已于今年5月啟動(dòng)。”中芯國(guó)際中短期的技術(shù)路線圖見表1。

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“截至2010年8月底，中芯國(guó)際的專利共4060件。雖然與國(guó)際先進(jìn)公司還有差距，但是在國(guó)內(nèi)已遙遙領(lǐng)先。我們的45/40nm光罩完全由中芯國(guó)際自己的光罩廠制造，充分證明了中芯國(guó)際在芯片制造領(lǐng)域的實(shí)力?！盨imonYang博士坦言。

中芯國(guó)際2000年由上海起步，經(jīng)過(guò)10年的發(fā)展，已在中國(guó)大陸“遍地開花”，200mm及300mm生產(chǎn)線均已有5條（包括已建成的深圳300mm生產(chǎn)線）。各生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃也在此次研討會(huì)公布（見表2）。

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32nm研發(fā)加速

“毫無(wú)疑問(wèn)，Intel是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)先者，最先進(jìn)的技術(shù)往往由Intel發(fā)布。作為代工廠，中芯國(guó)際的65/60nm技術(shù)大約比其晚4年，但是從45/40nm開始，我們的研發(fā)已經(jīng)加速，32nm技術(shù)只落后2年左右。預(yù)計(jì)在2013年3月，我們的32nm就將進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證?！盨imonYang博士說(shuō)。

周梅生博士從工藝角度對(duì)中芯國(guó)際的技術(shù)進(jìn)行了解析?！霸跂艠O部分，32nm將會(huì)采用高K金屬柵工藝，以此取代以往的Poly/SION，這是亮點(diǎn)，當(dāng)然也是難點(diǎn)所在，中芯國(guó)際將會(huì)采用的是GateLast技術(shù)；在關(guān)鍵的光刻部分，依然是采用現(xiàn)在主流的浸入式光刻；應(yīng)變硅部分會(huì)采用SMT和SiGe。

季明華博士重點(diǎn)介紹了邏輯和SOC技術(shù)。“中芯國(guó)際的45nmLL（LowLeakage）和GP（GenericwithHighPerformance）來(lái)自IBM，在此基礎(chǔ)上形成了中芯國(guó)際的45nmLL和GP技術(shù)，再進(jìn)一步經(jīng)過(guò)縮小，即有了40nmLL和GP。40LL將在本月底freeze，隨后會(huì)經(jīng)過(guò)3-6個(gè)月的認(rèn)證。從技術(shù)層面看，SoC技術(shù)它以超深亞微米VDSM（VeryDeepSubmicron）工藝和知識(shí)產(chǎn)權(quán)IP為支撐，是集成電路發(fā)展的必然趨勢(shì)和主流，也是中芯國(guó)際未來(lái)的重點(diǎn)之一。

對(duì)于芯片制造來(lái)說(shuō)，只有市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者才能實(shí)現(xiàn)盈利，后來(lái)者就只能通過(guò)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)來(lái)取得市場(chǎng)份額。32nm芯片的研發(fā)費(fèi)用已高達(dá)$100milion，但中芯國(guó)際32nm加速發(fā)展，22nm也已提上日程。無(wú)論是產(chǎn)業(yè)布局，還是技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，中芯國(guó)際都已成為中國(guó)芯片制造業(yè)的標(biāo)桿。