臺積電10納米以下先進制程投資計劃

雖然摩爾定律(Moore’s Law)能否持續(xù)推進，產(chǎn)業(yè)界眾說紛云，但晶圓代工龍頭臺積電靠著技術上的創(chuàng)新，可望讓先進制程依循摩爾定律，持續(xù)推進到5納米及3納米世代。為此，臺積電將以南科園區(qū)為據(jù)點，投入5，000億元資金，建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。

科技部長楊弘敦近日搶先發(fā)布臺積電將投入5，000億元，建立5納米及3納米龐大產(chǎn)能的投資規(guī)畫。臺積電對此表示，與科技部有針對后續(xù)擴產(chǎn)計劃進行溝通，包括討論到建地及水電供應等問題，但5納米及3納米仍在規(guī)劃中，尚無法說明及評論相關細節(jié)。

半導體先進制程競爭激烈，臺積電目前面臨的不僅是韓國三星電子的龐大搶單壓力，臺積電大客戶之一的處理器大廠英特爾，也持續(xù)透露對晶圓代工市場抱持興趣的看法。因此，臺積電要在晶圓代工市場維持龍頭大廠地位，除了要擁有龐大的產(chǎn)能因應不同客戶需求外，在先進制程的推進上亦要領先競爭同業(yè)才行。

臺積電第4季開始量產(chǎn)新一代10納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程，首座支援10納米產(chǎn)能的中科12寸廠Fab 15第5期工程，已正式進入量產(chǎn)階段，而第6期工程將在明年上半年進入量產(chǎn)，第7期工程則會在明年下半年放量投片。

臺積電將10納米及7納米視為同一制程世代，有9成以上的設備可以共通互用，所以，F(xiàn)ab 15的第5期至第7期等3座晶圓廠，都可支援10納米及7納米制程。臺積電現(xiàn)已替聯(lián)發(fā)科、蘋果、海思等大客戶代工10納米手機芯片或應用處理器;至于7納米的量產(chǎn)時間點將落在2017年底、2018年初，包括可程式邏輯閘陣列(FPGA)大廠賽靈思(Xilinx)、繪圖芯片大廠輝達(NVIDIA)等，已決定采用臺積電7納米生產(chǎn)新一代芯片。

臺積電預期7納米量產(chǎn)的2年后，也就是2020年就可順利進入5納米世代，并已開始進行5納米制程的研發(fā)。除了在材料上可能有所改變，F(xiàn)inFET結構也可能變更，5納米將是臺積電首度將極紫外光(EUV)微影技術導入量產(chǎn)的主要制程節(jié)點。因此，臺積電將在南科園區(qū)Fab 14第8期至第10期，規(guī)劃建立5納米制程龐大產(chǎn)能，全部完工后月產(chǎn)能可望上看10萬片規(guī)模。

在5納米之后的3納米，若依摩爾定律進行，將在2022年后進入量產(chǎn)階段，而臺積電將在南科持續(xù)擴建Fab 15新廠第11期及第12期工程，業(yè)界認為，臺積電3納米應該會以EUV微影技術為主力的先進制程節(jié)點，不僅成本可望大幅降低，還能提供更好的功耗。