全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入寡占結(jié)構(gòu)后，市場(chǎng)從去年開始進(jìn)入全面獲利的狀況，2014年第一季DRAM產(chǎn)值再度攀升至99.4億美元，較上季成長(zhǎng)2%，逼近百億美元規(guī)模。

三大DRAM廠中SK海力士(Hynix)自無錫廠火災(zāi)后浴火重生，營(yíng)業(yè)利益從29%躍升至36%，表現(xiàn)最為亮眼，而其他廠商也都有不錯(cuò)的表現(xiàn)，堪稱DRAM產(chǎn)業(yè)狀況極佳的一年，預(yù)估2014年DRAM產(chǎn)值可望來到455億美元，較2013年成長(zhǎng)30%。

以各家廠商表現(xiàn)來看，三星(Samsung)算是最早進(jìn)入25nm制程的DRAM廠商，現(xiàn)階段良率已進(jìn)入成熟階段，今年上半年產(chǎn)出可望突破50%；下一代23nm甚至21nm制程接近開發(fā)完成，有機(jī)會(huì)于下半年開始導(dǎo)入量產(chǎn)規(guī)模。受到均價(jià)下降影響，營(yíng)收較上季衰退7%，但由于成本結(jié)構(gòu)領(lǐng)先同業(yè)，第一季的三星半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)利益仍成長(zhǎng)至21%。

SK海力士由于今年第一季無錫廠已完全恢復(fù)商轉(zhuǎn)，新購(gòu)機(jī)臺(tái)亦順勢(shì)從38nm提升至29nm制程，加上第四季因火災(zāi)導(dǎo)致基期較低的關(guān)系，第一季營(yíng)收大幅成長(zhǎng)近21%，營(yíng)業(yè)利益來到28%。而近期正式投片量產(chǎn)25nm制程，下半年將逐步提升產(chǎn)出量。

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2014第一季DRAM廠營(yíng)收排行

美光(Micron)仍以穩(wěn)健的經(jīng)營(yíng)方式固守DRAM市場(chǎng)，營(yíng)收雖維持持平，但因產(chǎn)品比重調(diào)整關(guān)系，獲利依然成長(zhǎng)當(dāng)中，營(yíng)業(yè)利益約在21%，現(xiàn)階段技術(shù)方面仍以30nm制程為主。原爾必達(dá)(Eplida)工廠將在下半年大幅轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程，原采用美光技術(shù)的工廠則在第四季直接導(dǎo)入20nm制程試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)將落在明年上半年，產(chǎn)品規(guī)劃上將著重于行動(dòng)式記憶體及伺服器用記憶體等毛利較高的產(chǎn)品。

臺(tái)廠南科轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)利基型記憶體為主的DRAM廠后，仍有部份產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型記憶體，在第一季獲利上有著不錯(cuò)的表現(xiàn)，雖然營(yíng)收下滑8%，整體營(yíng)業(yè)利益大幅攀升至34%。力晶第一季DRAM營(yíng)收較上季成長(zhǎng)42%，其主因來自于P1+P2廠日前移入一臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)，挪移部份產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型記憶體所致，未來將視市場(chǎng)狀況機(jī)動(dòng)調(diào)整代工與標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的生產(chǎn)比重。

華邦受惠于利基型記憶體與小容量行動(dòng)式記憶體銷售暢旺，整體營(yíng)收較上季成長(zhǎng)6.2%，其中行動(dòng)式記憶體的成長(zhǎng)約在17%，利基型記憶體也有6%的成長(zhǎng)；今年華邦更將擴(kuò)大資本支出，除了投片提升至40K外，46nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)也是重點(diǎn)，生產(chǎn)成本降低讓營(yíng)業(yè)利益成長(zhǎng)至25%。

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2014第一季各區(qū)域DRAM產(chǎn)出比重