英飛凌
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“沒有電源就沒有AI”，英飛凌談AI服務(wù)器的供電架構(gòu)變革
生成式AI的爆發(fā)式增長正重塑數(shù)據(jù)中心生態(tài)，供電系統(tǒng)成為支撐算力革命的基石。據(jù)國際能源署（IEA），2023至2030年間，數(shù)據(jù)中心能耗將激增165%，而AI服務(wù)器機架功耗已從10kW飆升至120kW以上，單GPU功耗甚至逼近2kW。這種高功率密度需求對電源效率、散熱設(shè)計和可靠性提出前所未有的挑戰(zhàn)。
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英飛凌支持點綠長江項目，"科技+人文"賦能長江生態(tài)保護和永續(xù)發(fā)展
上海2025年8月11日 /美通社/ -- 近日，英飛凌科技宣布為北京市企業(yè)家環(huán)?；饡ㄒ韵潞喎Q"SEE基金會"）與四川省綠色江河環(huán)境保護促進會（以下簡稱"綠色江河"）共同發(fā)起的"點綠長江"項目提供專項捐助和系列支持，...
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英飛凌支持點綠長江項目，“科技+人文”賦能長江生態(tài)保護和永續(xù)發(fā)展
【2025年8月11日，中國上海訊】近日，英飛凌科技宣布為北京市企業(yè)家環(huán)?；饡ㄒ韵潞喎Q“SEE基金會”）與四川省綠色江河環(huán)境保護促進會（以下簡稱“綠色江河”）共同發(fā)起的“點綠長江”項目提供專項捐助和系列支持，以“科技賦能+人文關(guān)懷”的創(chuàng)新模式，助推長江流域水生態(tài)環(huán)境的持續(xù)改善。此次合作是繼“大熊貓棲息地修復項目”“一億棵梭梭”等公益項目之后，英飛凌在生態(tài)環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域的又一次重要探索，展現(xiàn)了科技企業(yè)在生態(tài)保護中的創(chuàng)新?lián)敗?/p>
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Elektrobit 與 HighTec 攜手英飛凌，共同推動 Rust 與 AUTOSAR Classic 的集成
德國埃朗根2025年7月21日 /美通社/ --?Elektrobit、HighTec EDV Systeme 與英飛凌科技股份公司宣布合作，通過將 Rust 應用與 AUTOSAR Classic 基礎(chǔ)軟件集成，加速汽車行業(yè)軟件創(chuàng)新。 Elektrobit與High...
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英飛凌發(fā)布"在中國、為中國"本土化戰(zhàn)略 三十而勵啟新篇
上海2025年6月12日 /美通社/ -- 三十載深耕不輟，三十載砥礪前行。2025年是英飛凌進入中國市場第30年。從晶體管時代到人工智能時代，英飛凌見證并參與了中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與成長。6月11日舉行的"2025英飛凌媒體日"活動上，英飛凌科技全球高級副總...
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英飛凌發(fā)布2025財年第二季運營成果：營收增長證實了預期的經(jīng)濟復蘇，但關(guān)稅政策及匯率的負面影響，給下半財年帶來不確定性
2025 財年展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125（之前假設(shè)為1:1.05），預計營收較上一年將略有下降。這包括了對關(guān)稅政策潛在影響的估算。調(diào)整后的毛利率預計在 40% 左右，利潤率為14%~16%左右。投資額降至約 23 億歐元。調(diào)整后的自由現(xiàn)金流（扣除對前道廠房的投資后）約為16 億歐元，報告的自由現(xiàn)金流保持不變，約為 9 億歐元
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加快打造高技能人才培養(yǎng)新高地 上海產(chǎn)訓融合技能發(fā)展中心正式揭牌
上海 2025年4月30日 /美通社/ -- 在上海市人力資源和社會保障局、東浩蘭生（集團）有限公司的大力指導和上海外服（集團）有限公司的全力推動下，4月30日，上海產(chǎn)訓融合技能發(fā)展中心揭牌儀式在國定東路200號中國（上海）創(chuàng)業(yè)者公共實訓基地成功舉辦。上海市副市長陳杰為中心揭牌...
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三十載精"芯""質(zhì)"造，英飛凌無錫打造綠色智能工廠典范
上海2025年3月31日 /美通社/ -- 三十載精"芯""質(zhì)"造，闊步新征程。日前，英飛凌無錫工廠迎來了在華運營三十周年的里程碑。歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一，生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應用于當前快速發(fā)展的...
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芯向未來 ，2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會成功舉辦
上海2025年3月17日 /美通社/ -- 3月14日， "2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會"（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內(nèi)展示了英飛凌兩款...
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全方位剖析：英飛凌如何領(lǐng)跑“低碳轉(zhuǎn)型”綠色賽道？
作為全球領(lǐng)先的半導體供應商，英飛凌憑借多年積累的豐富半導體生產(chǎn)工藝技術(shù)，先后推出了一系列基于碳化硅（SiC）的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，特別是今年全新推出的CoolSiC? MOSFET Generation 2（G2）技術(shù)和XHP? 2 CoolSiC? MOSFET半橋模塊，更是將碳化硅的性能優(yōu)勢發(fā)揮到極致，進一步推動了整個半導體領(lǐng)域的低碳化進程。
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英飛凌2024財年第四季度營收和利潤均有增長；2025財年市場疲軟，預期有所降低
2024財年：營收為149.55 億歐元，同比下降 8%；利潤為31.05 億歐元；利潤率為20.8%；調(diào)整后每股收益1.87歐元；自由現(xiàn)金流為2,300萬歐元，調(diào)整后的自由現(xiàn)金流為16.90億歐元。
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術(shù)，推動行業(yè)變革
憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平 德國慕尼黑和奧地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飛凌認賠7.535億歐元，終結(jié)與前子公司奇夢達的長期訴訟糾紛
德國芯片制造商英飛凌科技(Infineon Technologies)日前同意支付7.535億歐元(約合8.37億美元)，以解決與其前子公司、內(nèi)存芯片制造商奇夢達(Qimonda)破產(chǎn)管理人之間長期存在的法律糾紛。
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SiC功率器件生產(chǎn)規(guī)模效益擴大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進入生產(chǎn)營運
正在持續(xù)擴建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價值約 50 億歐元的設(shè)計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預付款。值得一提的是，這些設(shè)計訂單來自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運營投產(chǎn)，英飛凌正在持續(xù)擴大其在SiC生產(chǎn)制造領(lǐng)域的規(guī)模優(yōu)勢，提升產(chǎn)能效益，同時將寬禁帶功率器件帶入到一個更為廣闊且多元的應用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來邁進。
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英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠
馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式。 新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領(lǐng)導地位。 強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采...
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英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠
?馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式。 ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領(lǐng)導地位。 ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。
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宣布全球裁員1400人后：芯片巨頭英飛凌4.6億出售兩家工廠
8月6日消息，歐洲芯片巨頭英飛凌在宣布全球裁員1400人后，完成了兩家后端制造工廠的出售。
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英飛凌2024財年第三季度營收和利潤略有增長
預計2024財年第四季度業(yè)績表現(xiàn)將進一步改善，整個2024財年的營收預期符合之前給出的業(yè)績指導范圍
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德國汽車芯片制造商英飛凌宣布全球裁員1400人
8月5日消息，當?shù)貢r間本周一，德國芯片制造商英飛凌公布了2024財年第三財季(2024年4~6 月)業(yè)績，營收同比減少 9%，凈利潤更是同比暴跌52%，利潤率為19.5%，相比于去年同期的26.1%，降低了6.6%。
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英飛凌實現(xiàn)GaN技術(shù)突破——單片高壓CoolGaN BDS大幅簡化雙向開關(guān)設(shè)計GaN
受到低碳可持續(xù)發(fā)展和AI兩大需求方向推動，全球功率半導體市場正在飛速增長，預計到2026年將達到262億美元市場規(guī)模。傳統(tǒng)的硅基設(shè)備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應用中會有所增長，但在其他市場正逐步被寬帶隙（WBG）技術(shù)產(chǎn)品所取代。氮化鎵（GaN）預計會快速增長，目前主要應用在消費電子領(lǐng)域，但將逐步進入工業(yè)和汽車領(lǐng)域。碳化硅（SiC）則將繼續(xù)在高功率汽車和工業(yè)應用中保持增長并擴大滲透率。具體市場估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高電子遷移率晶體管），包括分立器件和集成器件，市場規(guī)模約為10億美元；SiC MOSFETs和二極管，包括分立器件和模塊，市場規(guī)模約為30億美元。
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