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三安全資子公司再獲廈門政府?dāng)?shù)千萬元財政補(bǔ)貼
三安光電12月16日晚間公告表示，經(jīng)第七屆董事會第三十次會議決議，決定公司全資子公司廈門市三安光電科技有限公司新增國際先進(jìn)的20臺單腔機(jī)或者5臺四腔連體機(jī)氮化鎵MOCVD設(shè)備及擴(kuò)充部分LED芯片產(chǎn)線。
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新海宜子公司LED外延芯片項目獲補(bǔ)助1431萬
12月24日晚間，新海宜公告稱，公司控股子公司蘇州新納晶光電有限公司于2013年12月24日收到通知，蘇州工業(yè)園區(qū)將對其“高亮度氮化鎵基半導(dǎo)體照明外延片、芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”科技項目給予1430.70萬元資助。
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RFHIC成為EDI CON 2014黃金贊助商
2013年12月23日 - Horizon House出版物和《微波雜志》中文版宣布，RF和微波元件設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商RFHIC將作為黃金贊助商將參與于2014年4月8日至10日在中國北京的北京國際會議中心舉行的2014年電子設(shè)計創(chuàng)新
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RFHIC成為EDI CON 2014黃金贊助商
Horizon House出版物和《微波雜志》中文版宣布，RF和微波元件設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商RFHIC將作為黃金贊助商將參與于2014年4月8日至10日在中國北京的北京國際會議中心舉行的2014年電子設(shè)計創(chuàng)新會議(EDI CON 2
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三安光電全資子公司獲得8000萬元財政補(bǔ)貼
三安光電12月16日晚間公告表示，經(jīng)第七屆董事會第三十次會議決議，決定公司全資子公司廈門市三安光電科技有限公司新增國際先進(jìn)的20臺單腔機(jī)或者5臺四腔連體機(jī)氮化鎵MOCVD設(shè)備及擴(kuò)充部分LED芯片產(chǎn)線。 廈門市政府及廈
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如何使用氮化鎵:氮化鎵場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動器和版圖的考慮因素
我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢，以及它具備可實現(xiàn)更高效率和更快開關(guān)速度的潛力，為硅MOSFET器件所不可能實現(xiàn)的。本章將探討如何利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管
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宜普公司推出內(nèi)含氮化鎵場效應(yīng)晶體管演示板 專業(yè)高音質(zhì)并可實現(xiàn)96%效率
EPC9106 D類音頻放大器參考設(shè)計使用具備高頻開關(guān)性能的氮化鎵功率晶體管，展示在提升效率、縮小產(chǎn)品尺寸及不需散熱器之同時可實現(xiàn)具專業(yè)消費(fèi)類水平的高質(zhì)音響效果。21ic訊
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三大發(fā)明人首聚談未來十年：與新技術(shù)同行
在日前舉辦的第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)上，藍(lán)光LED發(fā)明人中村修二教授、黃光LED發(fā)明人George Craford教授及OLED發(fā)明人鄧青云教授齊聚一堂，他們從自己對技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的角度闡述半導(dǎo)體照明新技術(shù)的未
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2013年，全球GaN LED出貨量超過1000億個單位
IMS Research（已被全球領(lǐng)先的信息與分析公司IHS Inc.收購）分析師認(rèn)為今年氮化鎵（GaN）LED的出貨量超過1000億個單位——相當(dāng)于地球上的每個人擁有15個單位。IMS Research創(chuàng)建于1989年，總部位于英
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技術(shù)：氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體
倫斯勒理工學(xué)院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布，已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門，因
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中村修二：誰將成為半導(dǎo)體照明的下一代？
11月11日下午，第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中，獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場
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中村修二：誰將成為半導(dǎo)體照明的下一代？
11月11日下午，第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中，獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場
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中村修二：激光照明或成下一代半導(dǎo)體照明
2013年11月11日下午，第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中，獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生
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Bedwyr Humphreys:開發(fā)高質(zhì)量、低缺陷密度半極化和非極化氮化鎵模板
技術(shù)改進(jìn)是永恒的話題，在11月10日下午于北京昆泰酒店召開的CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)分會上，來自賽倫光電Bedwyr Humphreys就為與會聽眾帶來了如何《開發(fā)高質(zhì)量、低缺陷密度半極化和非極化氮化鎵模板》的報告。
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中村修二：下一代半導(dǎo)體照明
在業(yè)界熱烈的歡慶聲中，2013年11月11日下午，備受全球矚目的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)年度盛會——第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕，來自全球半導(dǎo)體照明業(yè)界各方專家學(xué)者、政府領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)精英齊聚京
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解讀LED襯底技術(shù)“巨頭”蘇州納米以小成大
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 “工業(yè)園區(qū)的房子比城區(qū)還貴，這不太可能吧？”“最近幾年來這里的人才越來越多，房價當(dāng)然也跟著水漲船高?！痹谔K州東隅，有這樣一片神奇的土地：以僅占蘇州3.5%的面積，創(chuàng)造了全市15%的
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如何使用氮化鎵：增強(qiáng)型氮化鎵晶體管的電學(xué)特性
對于一直使用功率MOSFET器件設(shè)計產(chǎn)品的功率系統(tǒng)工程師來說，使用更高效的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似，如果想發(fā)揮這種新世代器件的最
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解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”
發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源，耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不含汞等環(huán)保與健康特性，且現(xiàn)今LED商品效率已超出每瓦110流明，LED應(yīng)用領(lǐng)域更是無限寬廣。尤其在照明、筆
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甘子釗：氮化鎵基LED研究的實踐與探索
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展特別快。在這種情況下，要注意吸取歷史教訓(xùn)。歷史上包括改革開放以后，我們很多新興產(chǎn)業(yè)并不是啟動的太晚，但因為沒有聯(lián)合起來，最后落后了，例如光纖通訊。希望在
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GTAT將探討HVPE氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的關(guān)鍵元素
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 GT Advanced Technologies將出席于2013年10月16至17日在臺灣臺北舉行的LED Forum Taipei 2013。屆時，GT首席技術(shù)官Raghavan博士將與與會者一同探討高效氫化物氣相磊晶(HVPE)氮化鎵(GaN)系
