GTAT將探討HVPE氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的關(guān)鍵元素
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 GT Advanced Technologies將出席于2013年10月16至17日在臺(tái)灣臺(tái)北舉行的LED Forum Taipei 2013。屆時(shí),GT首席技術(shù)官Raghavan博士將與與會(huì)者一同探討高效氫化物氣相磊晶(HVPE)氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的關(guān)鍵元素,以及該系統(tǒng)預(yù)期能為制造商帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。
今年5月,GT宣布將利用Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下子公司)獨(dú)家擁有的HVPE專利技術(shù),包括有望降低輸送至HVPE反應(yīng)器的前驅(qū)體成本的新穎且先進(jìn)的源輸送系統(tǒng),開發(fā)、生產(chǎn)及商業(yè)化HVPE系統(tǒng)。這套HVPE系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石基GaN的規(guī)?;⒌统杀旧a(chǎn)。GT估計(jì)其HVPE系統(tǒng)可降低超過(guò)80%的前驅(qū)體成本,同時(shí)提高昂貴的MOCVD制程的產(chǎn)量,并且最高可降低25%的資本支出。HVPE系統(tǒng)預(yù)計(jì)將于2014年下半年上市。