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東莞LED產(chǎn)業(yè)鏈堅挺 東莞中鎵半導體1年從一千萬到一億
1千萬元到1億元的距離，東莞中鎵半導體公司（以下簡稱中鎵半導體）覺得不遠，今年直指1億元產(chǎn)值目標，而去年產(chǎn)值才1千萬元。 中鎵半導體的1億元產(chǎn)值，即便在東莞也不算多。led產(chǎn)業(yè)已列入廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。去年，
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宜普電源轉換公司推出氮化鎵場效應晶體管EPC2012
21ic訊 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。EPC2012 FET是一
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宜普電源轉換公司推出氮化鎵場效應晶體管EPC2012
21ic訊 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。EPC2012 FET是一
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志在取代藍寶石制程 Bridgelux：兩年內(nèi)推矽基板
臺積電(2330)轉投資的LED照明技術及解決方案研發(fā)與制造廠商Bridgelux公司今早宣布，其刷新自己創(chuàng)下在業(yè)界「氮化鎵上矽」技術（GaN-on-Si）最高每瓦流明紀錄。Bridgelux技術長Steve Lester指出，公司對于這個領域的進
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普瑞未來兩年內(nèi)制造出硅襯底LED芯片
近日，普瑞宣布將在未來兩年預計制造基于硅襯底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下，阻礙了LED照明在通用照明領域的普及，普瑞希望通過此舉可降低大約20%至30%LED照明成本。普瑞公司戰(zhàn)略和發(fā)展副總裁Bullington表示
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普瑞將在未來兩年內(nèi)制造出硅襯底LED芯片
近日，普瑞宣布將在未來兩年預計制造基于硅襯底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下，阻礙了LED照明在通用照明領域的普及，普瑞希望通過此舉可降低大約20%至30%LED照明成本。普瑞公司戰(zhàn)略和發(fā)展副總裁Bullington表示
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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘
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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于
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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于
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中國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析（圖）
賽迪顧問表示，從2003年啟動國家半導體照明工程到現(xiàn)在，中國的led產(chǎn)業(yè)已經(jīng)獲得了長足的發(fā)展。2008年，受全球金融危機的影響，LED行業(yè)下游需求低迷，LED行業(yè)增長減慢。到2009年，由于國家的各項配套政策，LED行業(yè)的增
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東莞垂直整合LED產(chǎn)業(yè)鏈 圈定八大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)
轉播到騰訊微博 東莞，正發(fā)動一場科技創(chuàng)新促進產(chǎn)業(yè)轉型升級和轉變經(jīng)濟發(fā)展方式的“諾曼底登陸”。東莞市科學技術局局長何躍沛昨日接受南都記者專訪時介紹，一份支撐和引領東莞市經(jīng)濟社會發(fā)展的科技創(chuàng)新的專
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2011年GaN LED市場有望增長38% 達到108億美元
IMS Research最新發(fā)布的“氮化鎵季度led供需報告”中指出，2011年氮化鎵（藍/綠）LED市場銷量預計將增長49％至62億個，銷售額將增長38％至108億美元，而2010年氮化鎵（藍/綠）LED市場的銷售額增長67％至80億美元。 I
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世界最大的氮化鎵LED MOCVD反應器誕生 LED制造成本有望下降
來自AIXTRON SE公司官方網(wǎng)發(fā)布的消息，AIXTRON SE最新推出的CRIUS II-L MOCVD反應器將MOCVD反應器的容量，生產(chǎn)能力和led生產(chǎn)成本都提升到新的高度，成為世界上最大容量的MOCVD反應器。該MOCVD反應器具有生產(chǎn)16x4英寸
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科銳商用無線射頻的發(fā)貨量已突破10兆瓦
科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的無線射頻（RF）業(yè)務部門已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產(chǎn)品的合計 RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充
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美國國家半導體推出業(yè)界首款針對增強型氮化鎵功率FET 100V半橋柵極驅動器
21ic訊 美國國家半導體公司近日宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅動器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅
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IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs
歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術。借助這項新技術，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-elect
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IMEC發(fā)布200毫米CMOS硅襯底晶片生產(chǎn)技術
IMEC（Interuniversity MicroELectronics Centre，歐洲微電子研究中心）近日發(fā)布其最新的硅襯底晶片。在一項名為氮化鎵工業(yè)聯(lián)盟計劃（IIAP）的研發(fā)項目里，IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅晶片上生長GaN/AlGa
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三星訂購愛思強頂尖MOCVD
德國MOCVD設備大廠愛思強(AIXTRON)日前宣布，接獲來自韓國三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®設備訂單。 三星此次訂購的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設備，主要用來生產(chǎn)用于
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三星LED訂購AIXTRON最新G5設備擴產(chǎn)高亮度藍白光LED
德國MOCVD設備大廠愛思強(AIXTRON)日前宣布，接獲來自韓國三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIXG5HTMOCVDPlanetaryReactor®設備訂單。三星此次訂購的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設備，主要用來生產(chǎn)用于電視背光及固
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三星訂購愛思強頂尖LED生產(chǎn)設備
德國MOCVD設備大廠愛思強(AIXTRON)日前宣布，接獲來自韓國三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®設備訂單。三星此次訂購的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設備，主要用來生產(chǎn)用于電視背光
