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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC
先進(jìn)的氮化鎵(GaN)技術(shù)可大幅提高功率和效率
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CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同研發(fā)解決方案推動碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用
帶有耐高溫驅(qū)動器的碳化硅功率模塊將助力新能源汽車領(lǐng)域加快發(fā)展
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Soitec收購EpiGaN nv，優(yōu)化襯底產(chǎn)品整合氮化鎵(GaN)優(yōu)勢
法國Soitec半導(dǎo)體公司日前宣布，已與歐洲領(lǐng)先的氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。同時，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF(射頻)、5G、電子元器件和傳感器應(yīng)用。預(yù)計未來五年內(nèi)，GaN技術(shù)的市場應(yīng)用規(guī)模將達(dá)到每年50萬至一百萬個晶圓。
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車規(guī)級80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看得更清晰
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 全新成員是面向具有高分辨率的激光雷達(dá)系統(tǒng)、80 V的EPC2214氮化鎵場效應(yīng)晶體管，該元件成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101應(yīng)力測試認(rèn)證。
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第三代半導(dǎo)體材料GaN對5G如此重要，各國布局如何？
氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體，具備良好的導(dǎo)熱率、抗輻射能力、擊穿電場和電子飽和速率。其在微波射頻領(lǐng)域的應(yīng)用器件主要包括GaN高電子遷移率晶體管(HETM)和GaN單片微波集成電路(MMIC)，均可用于通訊基站。
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69W超級快充！雙USB-C口氮化鎵充電器曝光
今天媒體從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器，總功率69W。從爆料的圖片上可見，具有三個USB充電輸出接口，其中USB-C口2個，這兩個口都具備USB PD快充功能;另一個USB-A口，采用了綠色膠芯，暗示支持VOOC等超級快充。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）第十階段可靠性測試報告的亮點 是車規(guī)級氮化鎵器件超越AEC-Q101應(yīng)力測試的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
繼第一至第九階段可靠性測試報告后，EPC公司的第十階段可靠性測試報告進(jìn)一步豐富知識庫。此報告對超過30,000個元件進(jìn)行了超過1,800萬小時的應(yīng)力測試后，沒有器件發(fā)生故障。在過去的兩年間，我們所付運的數(shù)百萬個元件沒有發(fā)生現(xiàn)場失效的情況。
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氮化鎵是未來的硅？
相對硅，氮化鎵擁有跟寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，并且可以承受比硅更高的電壓。簡而言之，相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。
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Anker推出全球首款氮化鎵充電器：最大輸出功率達(dá)27W功率
氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器，型號“P
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未來十年氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元
雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主，但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中，硅基器件有些捉襟見肘，而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場景。這主要是因為，他們屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特，氮化鎵是3.4電子伏特。
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氮化鎵走出實驗室：ANKER GaN充電器全球首發(fā)
2018年10月25日，ANKER在美國紐約發(fā)布了一款劃時代的新品 —;—;—;“ANKER PowerPort Atom PD1”GaN充電器，這款充電器由于其搭載了高頻高效的GaN（氮化鎵）功率器
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英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)
英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。
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尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新
硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個至關(guān)重要的因素。
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德州儀器新型即用型600V GaN FET功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用
德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計。
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ST和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器。
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EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現(xiàn)97%效率的氮化鎵功率晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應(yīng)晶體管，其占板面積只是1.1平方毫米、最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈沖輸出電流高達(dá)37 A 以支持高效功率轉(zhuǎn)換。
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基于氮化鎵（eGaN®）技術(shù)的汽車應(yīng)用即將到來
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的兩個車用氮化鎵晶體管成功通過了國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證。
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寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動電源管理不斷革新
任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關(guān)，可以打開和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開關(guān)一樣，但是速度會數(shù)百萬倍地快，尺寸會數(shù)百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負(fù)擔(dān)性是半導(dǎo)體電源開關(guān)的關(guān)鍵屬性。
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總投資60億 英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目落戶吳江
近日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，
