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PI推出氮化鎵雙口PD快充參考設(shè)計(jì)：輸出功率可達(dá)90W
8月23日，在充電頭網(wǎng)舉辦的2019（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展上，深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations發(fā)布了內(nèi)置氮化鎵功率開(kāi)關(guān)的InnoSw
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全氮化鎵器件將是明確發(fā)展方向
氮化鎵單晶材料非常重要，從技術(shù)上已經(jīng)可以生產(chǎn)2英寸、4英寸和6英寸，但產(chǎn)業(yè)的真正發(fā)展還需要和器件的用戶共同推進(jìn)。
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基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開(kāi)我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會(huì)關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。2013年7月23日 -- 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。
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雙USB-C口60W！ANKER大功率氮化鎵充電器上市
今年3月，使用氮化鎵功率器件的ANKER 30W GaN PD 1充電器終于在國(guó)內(nèi)上市，圓潤(rùn)小巧的體積卻擁有30W輸出功率，收獲好評(píng)如潮。 今天，ANKER再次上架了一款全新的氮化鎵充電器ANKER
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國(guó)產(chǎn)氮化鎵量產(chǎn)：專為大功率超薄USB PD充電器設(shè)計(jì)
氮化鎵GaN FET是目前全球開(kāi)關(guān)速度最快的功率器件之一，因其開(kāi)關(guān)損耗小， 在開(kāi)關(guān)速度很高的情況下仍保持高效率水平，同時(shí)可搭配更小的變壓器，從而讓充電器尺寸大幅度縮小，提升用戶的使用體驗(yàn)。從供應(yīng)鏈了解
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新推出的HMC8205氮化鎵功率放大器
據(jù)報(bào)道，半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 3月6日起備貨Analog Devices， Inc的HMC8205氮化鎵 (GaN) 功率放大器。
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC
Power Integrations近日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開(kāi)發(fā)的高壓氮化鎵開(kāi)關(guān)技術(shù)。
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC
先進(jìn)的氮化鎵(GaN)技術(shù)可大幅提高功率和效率
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CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同研發(fā)解決方案推動(dòng)碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用
帶有耐高溫驅(qū)動(dòng)器的碳化硅功率模塊將助力新能源汽車領(lǐng)域加快發(fā)展
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Soitec收購(gòu)EpiGaN nv，優(yōu)化襯底產(chǎn)品整合氮化鎵(GaN)優(yōu)勢(shì)
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司日前宣布，已與歐洲領(lǐng)先的氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。同時(shí)，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計(jì)劃支付額外的獎(jiǎng)金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF(射頻)、5G、電子元器件和傳感器應(yīng)用。預(yù)計(jì)未來(lái)五年內(nèi)，GaN技術(shù)的市場(chǎng)應(yīng)用規(guī)模將達(dá)到每年50萬(wàn)至一百萬(wàn)個(gè)晶圓。
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車規(guī)級(jí)80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看得更清晰
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級(jí)氮化鎵產(chǎn)品系列 – 全新成員是面向具有高分辨率的激光雷達(dá)系統(tǒng)、80 V的EPC2214氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該元件成功通過(guò)國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)所制定的AEC Q101應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證。
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第三代半導(dǎo)體材料GaN對(duì)5G如此重要，各國(guó)布局如何？
氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體，具備良好的導(dǎo)熱率、抗輻射能力、擊穿電場(chǎng)和電子飽和速率。其在微波射頻領(lǐng)域的應(yīng)用器件主要包括GaN高電子遷移率晶體管(HETM)和GaN單片微波集成電路(MMIC)，均可用于通訊基站。
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69W超級(jí)快充！雙USB-C口氮化鎵充電器曝光
今天媒體從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器，總功率69W。從爆料的圖片上可見(jiàn)，具有三個(gè)USB充電輸出接口，其中USB-C口2個(gè)，這兩個(gè)口都具備USB PD快充功能;另一個(gè)USB-A口，采用了綠色膠芯，暗示支持VOOC等超級(jí)快充。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告的亮點(diǎn) 是車規(guī)級(jí)氮化鎵器件超越AEC-Q101應(yīng)力測(cè)試的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
繼第一至第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告后，EPC公司的第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告進(jìn)一步豐富知識(shí)庫(kù)。此報(bào)告對(duì)超過(guò)30,000個(gè)元件進(jìn)行了超過(guò)1,800萬(wàn)小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后，沒(méi)有器件發(fā)生故障。在過(guò)去的兩年間，我們所付運(yùn)的數(shù)百萬(wàn)個(gè)元件沒(méi)有發(fā)生現(xiàn)場(chǎng)失效的情況。
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氮化鎵是未來(lái)的硅？
相對(duì)硅，氮化鎵擁有跟寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，并且可以承受比硅更高的電壓。簡(jiǎn)而言之，相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。
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Anker推出全球首款氮化鎵充電器：最大輸出功率達(dá)27W功率
氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器，型號(hào)“P
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未來(lái)十年氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模有望突破10億美元
雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主，但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中，硅基器件有些捉襟見(jiàn)肘，而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場(chǎng)景。這主要是因?yàn)?，他們屬于寬禁帶半?dǎo)體材料，與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特，氮化鎵是3.4電子伏特。
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氮化鎵走出實(shí)驗(yàn)室：ANKER GaN充電器全球首發(fā)
2018年10月25日，ANKER在美國(guó)紐約發(fā)布了一款劃時(shí)代的新品 —;—;—;“ANKER PowerPort Atom PD1”GaN充電器，這款充電器由于其搭載了高頻高效的GaN（氮化鎵）功率器
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英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)
英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開(kāi)關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。
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尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新
硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，以及未來(lái)的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。
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