-
意法半導(dǎo)體與臺積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場采用率
·加快先進(jìn)功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市 ·充分利用意法半導(dǎo)體的汽車市場專業(yè)知識和臺積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù) ·改進(jìn)寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用獲得更高能效
-
臺積電宣布：將與意法半導(dǎo)體合作，加速氮化鎵(GaN)技術(shù)開發(fā)
臺積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計今年晚些時候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。
-
納微半導(dǎo)體65W氮化鎵(GaN)方案獲小米10Pro充電器采用
充電技術(shù)推動小米投資納微(Navitas)半導(dǎo)體
-
33家廠商66款：氮化鎵快充集中爆發(fā) 還有NVIDIA
作為世界上最大的消費類電子技術(shù)年展以及全球最大的消費技術(shù)產(chǎn)業(yè)盛會，CES 2020于1月7日-1月10日在拉斯維加斯舉辦。就氮化鎵快充而言，上我們看到了很多熟悉的參展企業(yè)，如ANKER、AUKEY、B
-
美富達(dá)參加CES2020：100W氮化鎵快充充電器即將亮相
1月7日-1月10日，CES2020將在美國拉斯維加斯舉行，深圳市美富達(dá)電子有限公司展位設(shè)在SOUTH HALL4 35359。據(jù)了解，美富達(dá)將在本次展會中展出全系列USB PD快充產(chǎn)品，其中包括10
-
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出基于車規(guī)級氮化鎵(eGaN?)技術(shù)的飛行時間(ToF)演示板，可在高達(dá)28A并具1.2納秒脈寬的脈沖電流驅(qū)動激光
?EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖–電流可高達(dá)28A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash激光雷達(dá)系統(tǒng)更準(zhǔn)確、更精確及更快速。
-
GTC推出首款65W氮化鎵車載充電器參考設(shè)計：僅硬幣大小
GTC為業(yè)界領(lǐng)先的高頻驅(qū)動設(shè)計和制造廠商，其半橋驅(qū)動芯片GT7753以其在高頻驅(qū)動的優(yōu)越表現(xiàn)，在工業(yè)和軍工產(chǎn)品中被廣泛應(yīng)用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降壓IC和EPC第三代半導(dǎo)體EPC204
-
為增強(qiáng)型GaN功率晶體管匹配門極驅(qū)動器
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。
-
Navitas聯(lián)合Baseus倍思推出世界上最小的65W-2C1A 3口充電器
Navitas Semiconductor近日宣布與Baseus合作推出采用GaNFast(氮化鎵)功率IC技術(shù)的65W“2C1A”三口移動充電器，該充電器集全球最小、最輕、便攜性于一體。
-
Navitas納微半導(dǎo)體在亞洲高級電力電子會議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位
Navitas 納微半導(dǎo)體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學(xué)會(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動的手機(jī)快速充電器。
-
PI PowiGaN技術(shù)另辟蹊徑 引爆氮化鎵在消費電子領(lǐng)域商用
硅技術(shù)正在接近其極限，但應(yīng)用市場仍然需要更快、需高效的電路。半導(dǎo)體行業(yè)不得不從材料入手，氮化鎵就是一種被譽為第三代半導(dǎo)體未來的明星材料。對氮化鎵的研究早在多年前就已開始，氮化鎵是一種寬禁帶材料，它的帶
-
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器，高頻應(yīng)用的好選擇
2019年9月26日–專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開始備貨Texas Instruments(TI)LMG1210 200V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動器。
-
超越SOI，Soitec將優(yōu)化襯底技術(shù)向GaN、SiC擴(kuò)展
Soitec是全球優(yōu)化襯底最大的制造商，憑借其兩個核心技術(shù)-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec為行業(yè)提供創(chuàng)新的材料及優(yōu)化襯底設(shè)計，這些創(chuàng)新被用于加工晶體管，從而為智能手機(jī)、汽車、云、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的終端產(chǎn)品帶來
-
PI推出氮化鎵雙口PD快充參考設(shè)計：輸出功率可達(dá)90W
8月23日，在充電頭網(wǎng)舉辦的2019（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展上，深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations發(fā)布了內(nèi)置氮化鎵功率開關(guān)的InnoSw
-
全氮化鎵器件將是明確發(fā)展方向
氮化鎵單晶材料非常重要，從技術(shù)上已經(jīng)可以生產(chǎn)2英寸、4英寸和6英寸，但產(chǎn)業(yè)的真正發(fā)展還需要和器件的用戶共同推進(jìn)。
-
基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。2013年7月23日 -- 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。
-
雙USB-C口60W！ANKER大功率氮化鎵充電器上市
今年3月，使用氮化鎵功率器件的ANKER 30W GaN PD 1充電器終于在國內(nèi)上市，圓潤小巧的體積卻擁有30W輸出功率，收獲好評如潮。 今天，ANKER再次上架了一款全新的氮化鎵充電器ANKER
-
國產(chǎn)氮化鎵量產(chǎn)：專為大功率超薄USB PD充電器設(shè)計
氮化鎵GaN FET是目前全球開關(guān)速度最快的功率器件之一，因其開關(guān)損耗小， 在開關(guān)速度很高的情況下仍保持高效率水平，同時可搭配更小的變壓器，從而讓充電器尺寸大幅度縮小，提升用戶的使用體驗。從供應(yīng)鏈了解
-
新推出的HMC8205氮化鎵功率放大器
據(jù)報道，半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 3月6日起備貨Analog Devices， Inc的HMC8205氮化鎵 (GaN) 功率放大器。
-
Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC
Power Integrations近日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。
