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氮化鎵(GaN)接替硅，能給電源設計帶來什么變化？
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
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雷軍吹爆的65W氮化鎵（GaN）充電器到底是啥？
2020年2月13日，小米通過線上直播的形式，面向百萬觀眾，正式發(fā)布了小米10Pro系列手機以及部分配件產(chǎn)品。其中，小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會的一大重要亮點。 據(jù)小米首席執(zhí)行官雷軍介紹，該款
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意法半導體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權
此次收購將大幅提高意法半導體在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN的技術積累、擴大其開發(fā)計劃和業(yè)務
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一文看懂小米65W氮化鎵與倍思65W氮化鎵充電器區(qū)別
隨著小米在2020年2月13日發(fā)布最65W氮化鎵充電器后，氮化鎵充電器又一次占領各大頭條熱搜榜，就連氮化鎵相關的證券板塊也波動了一番。 上一次這么火爆是2019年倍思65W 2C1A氮化鎵充電器，該產(chǎn)
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氮化鎵快充背后的芯片技術、三大潛在贏家
一、雷軍上陣，吹響氮化鎵快充的號角 2020年2月13日，小米通過線上直播的形式，面向百萬觀眾，正式發(fā)布了小米10Pro系列手機以及部分配件產(chǎn)品。其中，小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會的一大重要亮
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宜普電源轉換公司(EPC)將于APEC 2020展覽會展示氮化鎵(GaN)技術推動了多個行業(yè)的功率傳輸轉型
EPC公司將于是次展覽會展出多個演示品，為工程師闡釋具備行業(yè)領先性能的氮化鎵器件如何推動多個行業(yè)的功率傳輸轉型，包括運算、通信及電動汽車等行業(yè)。
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臺積電宣布與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品
2月21日消息，臺積電昨日宣布，與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候將首批樣品交給其主要客戶。 臺積電 臺積電與意法半導體將合作加速氮化鎵（Gallium Nitrid
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意法半導體與臺積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場采用率
·加快先進功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市 ·充分利用意法半導體的汽車市場專業(yè)知識和臺積電的世界領先的制造技術 ·改進寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉換應用獲得更高能效
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臺積電宣布：將與意法半導體合作，加速氮化鎵(GaN)技術開發(fā)
臺積電昨日宣布，與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候將首批樣品交給其主要客戶。
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納微半導體65W氮化鎵(GaN)方案獲小米10Pro充電器采用
充電技術推動小米投資納微(Navitas)半導體
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33家廠商66款：氮化鎵快充集中爆發(fā) 還有NVIDIA
作為世界上最大的消費類電子技術年展以及全球最大的消費技術產(chǎn)業(yè)盛會，CES 2020于1月7日-1月10日在拉斯維加斯舉辦。就氮化鎵快充而言，上我們看到了很多熟悉的參展企業(yè)，如ANKER、AUKEY、B
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美富達參加CES2020：100W氮化鎵快充充電器即將亮相
1月7日-1月10日，CES2020將在美國拉斯維加斯舉行，深圳市美富達電子有限公司展位設在SOUTH HALL4 35359。據(jù)了解，美富達將在本次展會中展出全系列USB PD快充產(chǎn)品，其中包括10
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宜普電源轉換公司(EPC)推出基于車規(guī)級氮化鎵(eGaN?)技術的飛行時間(ToF)演示板，可在高達28A并具1.2納秒脈寬的脈沖電流驅動激光
?EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大電流脈沖–電流可高達28A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash激光雷達系統(tǒng)更準確、更精確及更快速。
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GTC推出首款65W氮化鎵車載充電器參考設計：僅硬幣大小
GTC為業(yè)界領先的高頻驅動設計和制造廠商，其半橋驅動芯片GT7753以其在高頻驅動的優(yōu)越表現(xiàn)，在工業(yè)和軍工產(chǎn)品中被廣泛應用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降壓IC和EPC第三代半導體EPC204
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為增強型GaN功率晶體管匹配門極驅動器
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關重要。
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Navitas聯(lián)合Baseus倍思推出世界上最小的65W-2C1A 3口充電器
Navitas Semiconductor近日宣布與Baseus合作推出采用GaNFast(氮化鎵)功率IC技術的65W“2C1A”三口移動充電器，該充電器集全球最小、最輕、便攜性于一體。
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Navitas納微半導體在亞洲高級電力電子會議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領域的領導地位
Navitas 納微半導體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學會(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術驅動的手機快速充電器。
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PI PowiGaN技術另辟蹊徑 引爆氮化鎵在消費電子領域商用
硅技術正在接近其極限，但應用市場仍然需要更快、需高效的電路。半導體行業(yè)不得不從材料入手，氮化鎵就是一種被譽為第三代半導體未來的明星材料。對氮化鎵的研究早在多年前就已開始，氮化鎵是一種寬禁帶材料，它的帶
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貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅動器，高頻應用的好選擇
2019年9月26日–專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開始備貨Texas Instruments(TI)LMG1210 200V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。
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超越SOI，Soitec將優(yōu)化襯底技術向GaN、SiC擴展
Soitec是全球優(yōu)化襯底最大的制造商，憑借其兩個核心技術-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec為行業(yè)提供創(chuàng)新的材料及優(yōu)化襯底設計，這些創(chuàng)新被用于加工晶體管，從而為智能手機、汽車、云、物聯(lián)網(wǎng)等領域的終端產(chǎn)品帶來
