氮化鎵

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東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實(shí)現(xiàn)突破

據(jù)悉，領(lǐng)先的LED照明技術(shù)及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商?hào)|芝公司今日宣布，在年初兩家公司達(dá)成合作協(xié)定短短幾個(gè)月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級(jí)8英寸矽基氮化鎵LED芯片。該芯片僅

顯示光電
2012-05-22

LED芯片東芝光電氮化鎵
東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實(shí)現(xiàn)突破

據(jù)悉，領(lǐng)先的LED照明技術(shù)及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商?hào)|芝公司今日宣布，在年初兩家公司達(dá)成合作協(xié)定短短幾個(gè)月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級(jí)8英寸矽基氮化鎵LED芯片。該芯片僅

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-05-20

LED芯片東芝光電氮化鎵
未來5年氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流

在當(dāng)今日美壟斷LED芯片核心技術(shù)的格局下，中國LED企業(yè)如何打破格局，完成技術(shù)攻堅(jiān)，促進(jìn)LED發(fā)展顯得尤為重要。目前，LED襯底類別包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵。與傳統(tǒng)襯底材料相比，氮

消費(fèi)電子
2012-05-14

LED 微米絕緣氮化鎵
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)

高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新

模擬
2012-05-09

功率器件 GAN RFMD 氮化鎵
積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED

普瑞光電(Bridgelux)正與全球半導(dǎo)體大廠洽談代工生產(chǎn)矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon,簡(jiǎn)稱GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)細(xì)節(jié)，預(yù)定2013年初導(dǎo)入量產(chǎn)。普瑞光電行銷副總裁JasonPosselt表示，繼八吋晶圓廠后，普瑞光電下一步尋

顯示光電
2012-03-25

LED 基板 GAN 氮化鎵
王占國院士：半導(dǎo)體材料將走向“納米化”

半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡(luò)、航空、航天、國防等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，給電子工業(yè)帶來革命性的影響。2010年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到2983億美元，拉動(dòng)上萬億美元

消費(fèi)電子
2012-02-28

光通信半導(dǎo)體材料氮化鎵
LED2.0比普通LED明亮10倍

2月9日，美國加州的創(chuàng)新公司Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品――被稱為L(zhǎng)ED2.0技術(shù)的發(fā)光二極管(LED)照明產(chǎn)品。據(jù)悉，Soraa公司發(fā)明的這種新型LED燈泡，比普通LED明亮10倍。一個(gè)12瓦的燈泡，其明亮程度同50瓦的鹵素?zé)襞?/p>
顯示光電
2012-02-16

晶片 LED 基板氮化鎵
Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈

Soraa是世界領(lǐng)先的氮化鎵開發(fā)商，開發(fā)了世界上第一個(gè)商業(yè)氮化鎵LED產(chǎn)品。Soraa成立于2008年，創(chuàng)辦人之一的中村修二擁有“藍(lán)光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品——被稱為L(zhǎng)ED2.0技術(shù)的LED照明產(chǎn)品

顯示光電
2012-02-16

GAN LEDS MR16 氮化鎵
產(chǎn)業(yè)冷清晶能光電成燙手山芋金沙江累計(jì)投資超1億美元

2011年9月，美國LED芯片制造商BridgELux(以下簡(jiǎn)稱“普瑞光電”)公司首席執(zhí)行官Bill Watkins透露，公司計(jì)劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名，約五分之一。同時(shí)，公司決定將重心從藍(lán)寶石襯底LED制造轉(zhuǎn)移至成本更低

顯示光電
2011-12-19

LIGHTING LED芯片光電氮化鎵
RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊

21ic訊 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊 RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對(duì)有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在頻率 45 至 1003MHz 范圍

通信技術(shù)
2011-11-15

有線電視 BSP RFMD 氮化鎵
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果

氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長(zhǎng)工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材

消費(fèi)電子
2011-10-20

器件電池 GAN 氮化鎵
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究

氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長(zhǎng)工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材

半導(dǎo)體
2011-10-19

器件電池 GAN 氮化鎵
納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果

氮化鎵(GaN)是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長(zhǎng)工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器(LD)、發(fā)光二極管(LED)、高電子遷移率晶體管(HEMT)等。GaN基材料的良好

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-10-18

器件電池 GAN 氮化鎵
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究

氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長(zhǎng)工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-10-16

器件電池 GAN 氮化鎵
三星稱可用玻璃制超大尺寸顯示屏

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周一稱，其研究人員報(bào)告在LED技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)技術(shù)突破，將允許使用窗戶玻璃等普通玻璃生產(chǎn)超大尺寸高級(jí)顯示屏面板。三星稱，三星高級(jí)技術(shù)研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出單晶氮化鎵。這

消費(fèi)電子
2011-10-12

三星顯示屏 LED顯示屏氮化鎵
三星聲稱在LED技術(shù)上取得突破性進(jìn)展

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周一宣布，公司研究人員已經(jīng)在LED(發(fā)光二極管)技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，現(xiàn)在已經(jīng)能夠利用普通玻璃比如窗戶玻璃來生產(chǎn)超大尺寸的高級(jí)顯示屏面板。三星高級(jí)技術(shù)研究所(Samsung Advanced Institu

消費(fèi)電子
2011-10-11

三星顯示屏 LED技術(shù) 氮化鎵
三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

10月11日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周一稱，其研究人員報(bào)告在LED技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)技術(shù)突破，將允許使用窗戶玻璃等普通玻璃生產(chǎn)超大尺寸高級(jí)顯示屏面板。三星稱，三星高級(jí)技術(shù)研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出

顯示光電
2011-10-11

三星顯示屏 LED技術(shù) 氮化鎵
三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

10月11日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周一稱，其研究人員報(bào)告在LED技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)技術(shù)突破，將允許使用窗戶玻璃等普通玻璃生產(chǎn)超大尺寸高級(jí)顯示屏面板。三星稱，三星高級(jí)技術(shù)研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2011-10-08

三星顯示屏 LED技術(shù) 氮化鎵
美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改進(jìn)武器數(shù)

消費(fèi)電子
2011-09-27

集成電路碳化硅 FOR 氮化鎵
美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-09-27

集成電路碳化硅 MDASH 氮化鎵

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氮化鎵

東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實(shí)現(xiàn)突破

東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實(shí)現(xiàn)突破

未來5年氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流

RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)

積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED

王占國院士：半導(dǎo)體材料將走向“納米化”

LED2.0比普通LED明亮10倍

Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈

產(chǎn)業(yè)冷清晶能光電成燙手山芋金沙江累計(jì)投資超1億美元

RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊

蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果

蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究

納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果

蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究

三星稱可用玻璃制超大尺寸顯示屏

三星聲稱在LED技術(shù)上取得突破性進(jìn)展

三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

三星稱突破LED技術(shù) 可用玻璃制超大尺寸顯示屏

美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

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