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IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件
全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一
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孫錢：硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
2013年5月14日下午，在由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟與英國勵展博覽集團共同主辦的“2013上海國際新光源&新能源照明論壇”之 “新光源&新能源照明的應用”分會上，來自晶能光電有限公司孫錢博士做了題為《硅襯
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劍橋大學CCS系統(tǒng)實現(xiàn)6英寸硅晶片生長氮化鎵外延
德國愛思強股份有限公司(Aixtron)日前宣布，劍橋大學在材料科學與冶金系的新設施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭(CCS)MOCVD反應器的調(diào)試工作。據(jù)愛思強稱，劍橋大學該套6x2英寸的CCS系統(tǒng)將配置為可以處理一片6英
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劍橋大學實現(xiàn)6英寸硅晶片生長氮化鎵外延
德國愛思強股份有限公司(Aixtron)日前宣布，劍橋大學在材料科學與冶金系的新設施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭(CCS)MOCVD反應器的調(diào)試工作。據(jù)愛思強稱，劍橋大學該套6x2英寸的CCS系統(tǒng)將配置為可以處理一片6英
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宜普公司推出內(nèi)含增強型氮化鎵場場效應晶體管的EPC9005開發(fā)板
21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出內(nèi)含增強型氮化鎵場場效應晶體管的EPC9005開發(fā)板，展示最新推出、專為驅(qū)動氮化鎵場效應晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動器可幫助工程師簡單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)而采用氮化鎵技
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臺港企業(yè)在南京共建12億美元半導體項目
新華網(wǎng)南京4月6日電(記者 張展鵬)記者6日從南京市臺辦獲悉，由臺灣立升投資控股集團與香港企業(yè)共建的半導體項目已簽約落戶南京，項目計劃總投資達12億美元。 該項目位于南京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，由臺灣立升投資控股
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臺港企業(yè)在南京共建12億美元半導體項目
新華網(wǎng)南京4月6日電(記者 張展鵬)記者6日從南京市臺辦獲悉，由臺灣立升投資控股集團與香港企業(yè)共建的半導體項目已簽約落戶南京，項目計劃總投資達12億美元。該項目位于南京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，由臺灣立升投資控股集團、
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宜普推出全新內(nèi)含100 V氮化鎵場效應晶體管的開發(fā)板
21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010開發(fā)板。這種開發(fā)板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管(FET)來設計產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速直流-直流電源、負
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宜普展示200V氮化鎵場效應晶體管 可使設計功率系統(tǒng)變得容易
21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增強型氮化鎵場效應晶體管的EPC9004開發(fā)板，展示最新推出、專為驅(qū)動氮化鎵場效應晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動器，可幫助設計工程師簡單地及以低成本從硅功
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管
21ic訊 TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時改進效率和增益。這些新的
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富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會
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富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
21ic訊 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量
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TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇
21ic訊 TriQuint半導體公司和Richardson RFPD日前宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內(nèi)領先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品系列——包括放大器、晶體管和開關。TriQuint
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TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇
TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領域的先驅(qū)者，并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列，和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務，繼續(xù)保持
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突破技術瓶頸AZZURRO量產(chǎn)8吋矽基板LED
AZZURROSemiconductors將正式投產(chǎn)8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)。繼2011年量產(chǎn)6吋晶圓后，AZZURROSemiconductors日前再度公開宣示，將于2013年第二季導入8吋矽基氮化鎵LED晶圓生產(chǎn)，以迎合未來客戶需求。
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高頻氮化鎵(eGaN)助力無線充電技術發(fā)展
增強型氮化鎵電源管理器件的供應商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity™公司開發(fā)出采用高頻氮化鎵(eGaN®)的無線電源展示系統(tǒng)。WiTricity™公司的無線電源展示系統(tǒng)內(nèi)含宜
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氮化鎵基高亮度LED核心專利分析
目前，世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領先水平的公司主要有：美國的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
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美國能源部選定Soraa引領GaN基質(zhì)研發(fā)項目
美國能源部(DOE)下屬能源轉(zhuǎn)換機構(gòu)ARPA-E已經(jīng)選定氮化鎵對氮化鎵(GaN-on-GaN)新成立公司Soraa來引領GaN基質(zhì)研發(fā)項目。 新成立公司Soraa在二月份舉辦的照明策略大會(the Strategies in Light Conference)上毫無動靜，但
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基于氮化鎵的LED：成本效益更低
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導體有限公司，已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron(愛思強)公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自身的技術制造基于硅襯底的氮化鎵晶片。“我們使用更薄的氮化鎵
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LED球泡燈成本將顯著降低
成本一直是LED照明一個主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED球泡燈?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導體公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已經(jīng)完善技術，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。白光LED的制備
