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宜普推出全新內(nèi)含100 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開發(fā)板
21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010開發(fā)板。這種開發(fā)板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)來(lái)設(shè)計(jì)產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速直流-直流電源、負(fù)
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宜普展示200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 可使設(shè)計(jì)功率系統(tǒng)變得容易
21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9004開發(fā)板，展示最新推出、專為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器，可幫助設(shè)計(jì)工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅功
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時(shí)改進(jìn)效率和增益。這些新的
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量
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TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司和Richardson RFPD日前宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品系列——包括放大器、晶體管和開關(guān)。TriQuint
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TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇
TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)者，并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過(guò)廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列，和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務(wù)，繼續(xù)保持
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突破技術(shù)瓶頸AZZURRO量產(chǎn)8吋矽基板LED
AZZURROSemiconductors將正式投產(chǎn)8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)。繼2011年量產(chǎn)6吋晶圓后，AZZURROSemiconductors日前再度公開宣示，將于2013年第二季導(dǎo)入8吋矽基氮化鎵LED晶圓生產(chǎn)，以迎合未來(lái)客戶需求。
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高頻氮化鎵(eGaN)助力無(wú)線充電技術(shù)發(fā)展
增強(qiáng)型氮化鎵電源管理器件的供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity™公司開發(fā)出采用高頻氮化鎵(eGaN®)的無(wú)線電源展示系統(tǒng)。WiTricity™公司的無(wú)線電源展示系統(tǒng)內(nèi)含宜
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氮化鎵基高亮度LED核心專利分析
目前，世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導(dǎo)體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領(lǐng)先水平的公司主要有：美國(guó)的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
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美國(guó)能源部選定Soraa引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項(xiàng)目
美國(guó)能源部(DOE)下屬能源轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)ARPA-E已經(jīng)選定氮化鎵對(duì)氮化鎵(GaN-on-GaN)新成立公司Soraa來(lái)引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項(xiàng)目。 新成立公司Soraa在二月份舉辦的照明策略大會(huì)(the Strategies in Light Conference)上毫無(wú)動(dòng)靜，但
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基于氮化鎵的LED：成本效益更低
過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛(ài)思強(qiáng))公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自身的技術(shù)制造基于硅襯底的氮化鎵晶片。“我們使用更薄的氮化鎵
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LED球泡燈成本將顯著降低
成本一直是LED照明一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購(gòu)買高能效LED球泡燈。現(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。白光LED的制備
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成本下降給力 LED燈泡廉價(jià)時(shí)代即將到來(lái)
成本一直是一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購(gòu)買高能效LED燈泡。現(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。 白色LED的制備，通常
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成本下降給力 LED燈泡廉價(jià)時(shí)代即將到來(lái)
成本一直是一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購(gòu)買高能效LED燈泡?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本?！ “咨獿ED的制備
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LED球泡燈成本將顯著降低
成本一直是LED照明一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購(gòu)買高能效LED球泡燈?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。白光LED的制備
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歐司朗新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)導(dǎo)，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵L
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歐司朗在矽襯底上成功生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片
據(jù)悉，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片，取代了目前普
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氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用
氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術(shù)以及某些特定應(yīng)用中的真空管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、
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歐司朗在矽襯底上成功生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片
據(jù)悉，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片，取代了目前普
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