· 雙方簽署氮化鎵(GaN)技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)

· 英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能

2025年4月1日，中國蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科(香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK)，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應(yīng)鏈韌性。

根據(jù)協(xié)議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計劃，并在未來幾年內(nèi)共同推動該技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用的光明前景。此外，根據(jù)協(xié)議約定，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導(dǎo)體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標(biāo)是依托這種靈活的供應(yīng)鏈布局，拓展各自的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場供應(yīng)能力，提升供應(yīng)鏈韌性，從而滿足更廣泛的應(yīng)用場景下的各種客戶需求。

意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商(IDM)，此次合作將最大化發(fā)揮IDM這一模式的優(yōu)勢，為全球客戶創(chuàng)造價值。一方面，意法半導(dǎo)體將加速氮化鎵功率技術(shù)部署，進一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合;另一方面，意法半導(dǎo)體也將通過靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶。”

英諾賽科董事長兼創(chuàng)始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術(shù)對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。英諾賽科率先實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領(lǐng)域市場。我們對于與意法半導(dǎo)體達成戰(zhàn)略合作感到非常振奮。此次與意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術(shù)普及，雙方團隊將共同致力于開發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)?！?

氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉(zhuǎn)換、運動控制與驅(qū)動系統(tǒng)樹立了性能新標(biāo)桿，可顯著降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源與光伏逆變器領(lǐng)域迅速普及，并因其顯著的輕量化優(yōu)勢，被積極應(yīng)用于下一代電動汽車動力系統(tǒng)設(shè)計中。