晶圓
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星科金朋搶占高階封裝市場 新加坡大舉擴(kuò)充產(chǎn)能
李洵穎／臺(tái)北 全球第4大封測廠星科金朋(STATS ChipPAC)繼2011年第4季在臺(tái)灣擴(kuò)充12吋晶圓凸塊和晶圓級(jí)晶片尺寸封裝產(chǎn)能后，也宣布新加坡新廠房進(jìn)行動(dòng)土典禮。星科金朋總裁暨執(zhí)行長Tan Lay Koon曾表示，看好未來智慧型
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華虹宏力或?qū)⒈Ａ羧?英寸晶圓工廠
新浪科技訊 北京時(shí)間1月9日晚間消息，知情人士周一稱，華虹宏力將保留全部3座8英寸晶圓工廠，并根據(jù)市場需求進(jìn)一步拓展工廠產(chǎn)能。 華虹宏力是上海華虹NEC旗下華虹半導(dǎo)體與宏力半導(dǎo)體制造公司合并后的新公司，華虹
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聯(lián)電上月營收增0.49% Q4季減3% 略優(yōu)于公司預(yù)期
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)公告自結(jié)上月營收81.05億元，較上個(gè)月增加0.49%。累計(jì)聯(lián)電去年第4季營收為新臺(tái)幣244.25億元，季減約3%，優(yōu)于早先公司預(yù)期。 聯(lián)電表示，自結(jié)12月營收81.05億元，較11月小幅增加約0.49%；較去
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盧明光：矽晶圓景氣季季高
太陽能矽晶圓廠中美晶（5483）董事長盧明光表示，受上游多晶矽原料價(jià)格往上，矽晶圓售價(jià)低于1.2美元已難見到，盡管還沒回到1.5～1.6美元的成本之上，但包括矽晶圓廠和電池廠的虧損都可望縮小，產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)「逐季加溫」，
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3D封裝材料技術(shù)及其優(yōu)點(diǎn)
隨著移動(dòng)電話等電子器件的不斷飛速增長，這些器件中安裝在有限襯底面積上的半導(dǎo)體封裝也逐漸變小變薄。3D封裝對減少裝配面積非常有效。此外，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)(將二個(gè)或多個(gè)芯片安裝在一個(gè)封裝件中)對于提高處理速
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晶圓雙雄2012投資大縮手
由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說，法人則估聯(lián)電資
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臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？
去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18寸晶圓Global450Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980年代
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晶圓雙雄2012投資大縮手，臺(tái)積電資本支出估逾1成，聯(lián)電減2成
由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說，法人則估聯(lián)電資
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臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？
去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18吋晶圓Global450Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980年代
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臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？
去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18吋晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980
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臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？
去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18寸晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980
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晶圓雙雄2012投資大縮手，臺(tái)積電資本支出估逾1成
由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說，法人則估聯(lián)電資
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臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？
去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18吋晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980
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晶圓雙雄 2012投資大縮手
景氣不明 【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電（2330）趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電
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美實(shí)驗(yàn)室開發(fā)砷化鎵新蝕刻法 速度/成本獲優(yōu)化
美國伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法，這種蝕刻方法，其制造速度較傳統(tǒng)的濕式蝕刻制程來得快、而成本又較干式蝕刻來得低，一旦該制程獲得推廣，可望有效推
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臺(tái)美韓18寸晶圓計(jì)劃
全球表態(tài)要加入18寸晶圓(450mm)世代的半導(dǎo)體業(yè)者，主要是臺(tái)、美、韓為主，如2011年9月由臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家大廠成立的Global 450 Consortium計(jì)劃(G4
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力成強(qiáng)攻3D IC 沖營運(yùn)
力成（6239）在擁抱蘋果雙i訂單之后，布局多年的先進(jìn)封裝技術(shù)，也將進(jìn)入量產(chǎn)收成階段。力成透露，旗下扎根晶圓重布線（RDL）已正式交出第一批貨；以矽鉆孔（TSV）為基礎(chǔ)的3D IC，也獲四家客戶合作，可望在2013年量產(chǎn)
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臺(tái)積電6/8寸晶圓廠獲環(huán)保署節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章
臺(tái)積電(TSMC)宣布其 6寸及 8寸廠區(qū)(晶圓二廠、晶圓三廠、晶圓五廠、晶圓六廠、晶圓八廠)同時(shí)獲得2011年度行政院環(huán)保署「節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章」，其中晶圓二、五廠更獲得特優(yōu)獎(jiǎng)的肯定，彰顯該公司施行環(huán)保政策、推動(dòng)綠色
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半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵--微細(xì)化讓人擔(dān)心。決
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華宏、宏力合體 瞄準(zhǔn)中芯
長實(shí)（00001-HK）及和黃（00013-HK）持股的宏力半導(dǎo)體，前天與華宏半導(dǎo)體聯(lián)合宣布雙方已完成合并，經(jīng)合并后兩家公司預(yù)計(jì)今年收入約6億元（美金，下同），且月產(chǎn)能達(dá)到13萬片約當(dāng)8寸晶圓，由于華宏與宏力是大陸本土半
