晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

65納米以下仍缺　晶圓雙雄擴(kuò)產(chǎn)不止

雖然繪圖芯片、網(wǎng)通及手機(jī)芯片等市場(chǎng)已進(jìn)入庫(kù)存修正階段，包括日月光、矽品等封測(cè)廠已暫緩擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，但是晶圓雙雄臺(tái)積電及聯(lián)電仍然擴(kuò)產(chǎn)不停歇，除了65/55納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能仍短缺，40納米及28納米產(chǎn)能更是供不應(yīng)求

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2010-09-21

晶圓臺(tái)積電 40納米芯片市場(chǎng)
晶圓雙雄搶綠金　策略模式大不同

臺(tái)積電與聯(lián)電16日雙雙邁入太陽(yáng)能事業(yè)發(fā)展的新里程，讓雙方的競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)線也隨之?dāng)U大。表面上，兩家公司的布局雖都涵蓋多晶硅與薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域，但不論在事業(yè)發(fā)展的策略、太陽(yáng)能技術(shù)的選擇，以及商業(yè)模式的操作上均大相

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2010-09-21

聯(lián)電多晶硅晶圓臺(tái)積電
先進(jìn)制程與12吋晶圓產(chǎn)能領(lǐng)先臺(tái)積電將成為IDM訂單委外最大受惠者

臺(tái)積電2009年?duì)I收達(dá)90億美元，取得47.4%的全球市占率，穩(wěn)居晶圓代工產(chǎn)業(yè)第1名位置。聯(lián)電雖然在全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)排名第2，但2009年27.7億美元的全年?duì)I收，規(guī)模不及臺(tái)積電的3分之1。然而，2008年10月成立的全球晶圓(Gl

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-19

先進(jìn)制程 DM 晶圓臺(tái)積電
臺(tái)灣有條件開放面板企業(yè)赴祖國(guó)大陸投資

臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)主管部門10日晚宣布，有條件開放6代以上的TFT-LCD面板企業(yè)赴祖國(guó)大陸投資，限量3座，并且要與臺(tái)灣已設(shè)面板廠有1個(gè)世代以上的技術(shù)差距。臺(tái)經(jīng)濟(jì)主管部門同時(shí)宣布，開放并購(gòu)、參股投資大陸晶圓鑄造廠，但制程技

顯示光電
2010-09-17

電信太陽(yáng)能光電晶圓
先進(jìn)制程與12吋晶圓領(lǐng)先臺(tái)積電將成為IDM委外最大受惠者

臺(tái)積電2009年?duì)I收達(dá)90億美元，取得47.4%的全球市占率，穩(wěn)居晶圓代工產(chǎn)業(yè)第1名位置。聯(lián)電雖然在全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)排名第2，但2009年27.7億美元的全年?duì)I收，規(guī)模不及臺(tái)積電的3分之1。然而，2008年10月成立的全球晶圓

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2010-09-17

先進(jìn)制程 DM 晶圓臺(tái)積電
晶圓雙雄太陽(yáng)能廠動(dòng)土

臺(tái)積電（2330）與聯(lián)電（2303）今（16）日為旗下太陽(yáng)能廠分別舉行動(dòng)土、開幕典禮，隨著兩大廠明年太陽(yáng)能產(chǎn)能陸續(xù)開出，晶圓雙雄在太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的角力賽正式開打。除臺(tái)積電外，面板龍頭友達(dá)（2409）最近修正中科二林

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2010-09-16

太陽(yáng)能聯(lián)電晶圓臺(tái)積電
星科金朋切入12寸晶圓級(jí)BGA封裝技術(shù)

全球第4大封測(cè)廠星科金朋(STATS ChipPAC)先前宣布12寸嵌入式晶圓級(jí)球閘陣列(Wafer-Level Ball Grid Array；eWLB)技術(shù)具備量產(chǎn)能力之后，15日進(jìn)行新廠落成啟用典禮，在eWLB領(lǐng)域再邁進(jìn)一步。星科金朋指出，該公司為首家

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2010-09-16

封裝技術(shù) ST CHIP 晶圓
AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時(shí)支持ArF-DP和EUV

美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）發(fā)布了掩模檢查設(shè)備“Aera3”。支持22nm工藝，檢測(cè)靈敏度較該公司原機(jī)型“Aera2”提高50％，同時(shí)還配備了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）兩種光刻技術(shù)的功能。作為面向ArF液浸的

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2010-09-16

光刻技術(shù) RF EUV 晶圓
DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測(cè)價(jià)

景氣復(fù)蘇情況未如預(yù)期，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近來(lái)開始彌漫供過(guò)于求的利空氣氛，不論是DRAM以及Flash價(jià)格都未見到止跌。據(jù)悉，業(yè)界傳出，獲利表現(xiàn)較為不佳的 DRAM廠商為維持獲利，回頭砍后段封測(cè)廠的第四季的接單價(jià)格，跌幅落在

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2010-09-15

DRAM 爾必達(dá) 封裝晶圓
半導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn)外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

半導(dǎo)體廠拼擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)外圍耗材與化學(xué)材料廠亦接單暢旺，如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、光阻劑(Slurry)以及外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒等等供應(yīng)商，也紛紛擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)未來(lái)需求?；瘜W(xué)材料大廠陶氏化學(xué)(DowChemical)半導(dǎo)體技術(shù)部門

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2010-09-15

半導(dǎo)體 AMS MAKER 晶圓
2010-2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測(cè)“WorldFabForecaST".該預(yù)測(cè)分析了在2010年和2011年兩年內(nèi)，包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建計(jì)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-15

半導(dǎo)體 LED SEMI 晶圓
導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn) 外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

半導(dǎo)體廠拼擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)外圍耗材與化學(xué)材料廠亦接單暢旺，如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、光阻劑(Slurry)以及外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒等等供應(yīng)商，也紛紛擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)未來(lái)需求?；瘜W(xué)材料大廠陶氏化學(xué)(Dow Chemical) 半導(dǎo)體技術(shù)部

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-15

OEM SAM MAKER 晶圓
半導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn)　外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

半導(dǎo)體廠拼擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)外圍耗材與化學(xué)材料廠亦接單暢旺，如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、光阻劑(Slurry)以及外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒等等供應(yīng)商，也紛紛擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)未來(lái)需求?；瘜W(xué)材料大廠陶氏化學(xué)(Dow Chemical) 半導(dǎo)體技術(shù)部

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2010-09-15

半導(dǎo)體 OEM SAM 晶圓
ArF曝光的22/20nm即將量產(chǎn)，凸版印刷構(gòu)建掩模生產(chǎn)線

凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi)，構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線，提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國(guó)IBM聯(lián)合開發(fā)的。此次開發(fā)的掩

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2010-09-15

薄膜 RF TECHNOLOGY 晶圓
IC芯片的晶圓級(jí)射頻(RF)測(cè)試

　　對(duì)于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電

通信技術(shù)
2010-09-14

射頻 RF IC芯片晶圓
晶圓雙雄Q4出貨花旗不看好

聯(lián)發(fā)科8月營(yíng)收重回百億，為電子業(yè)帶來(lái)些許曙光，但花旗環(huán)球認(rèn)為晶圓雙雄下季出貨量將開始衰退。瑞銀半導(dǎo)體分析師程正樺進(jìn)一步分析，明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增率僅2%，多數(shù)晶圓代工業(yè)者明年必須面臨獲利衰退的窘境。瑞銀

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-14

電子 IPAD 晶圓臺(tái)積電
2010～2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)（SEMI）公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測(cè)“WorldFabForecast".該預(yù)測(cè)分析了在2010年和2011年兩年內(nèi)，包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建

半導(dǎo)體
2010-09-13

半導(dǎo)體 SEMI BSP 晶圓
2010～2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)（SEMI）公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測(cè)“WorldFabForecast".該預(yù)測(cè)分析了在2010年和2011年兩年內(nèi)，包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2010-09-11

半導(dǎo)體 SEMI BSP 晶圓
臺(tái)積電8月合并營(yíng)收373.91億元年增25.4% 續(xù)創(chuàng)單月新高

晶圓大廠臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(10)日公布8月營(yíng)收，就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，8月合并營(yíng)收新臺(tái)幣373. 91億元，較上月的372.18億元小幅增加了0.5%，續(xù)創(chuàng)單月歷史新高，和去年同期相比則成長(zhǎng)了25.4%。累計(jì)1-8月營(yíng)收為

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2010-09-10

晶圓臺(tái)積電
諾發(fā)系統(tǒng)宣布應(yīng)用在先進(jìn)晶圓級(jí)封裝市場(chǎng)的系列產(chǎn)品

諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機(jī)型，這些新機(jī)型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進(jìn)金屬聯(lián)機(jī)技術(shù)相輔相成，并且展開晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)的需求及市場(chǎng)。這些機(jī)臺(tái)都整合了一些一般傳統(tǒng)

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2010-09-10

封裝 VECTOR PECVD 晶圓

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晶圓

65納米以下仍缺　晶圓雙雄擴(kuò)產(chǎn)不止

晶圓雙雄搶綠金　策略模式大不同

先進(jìn)制程與12吋晶圓產(chǎn)能領(lǐng)先臺(tái)積電將成為IDM訂單委外最大受惠者

臺(tái)灣有條件開放面板企業(yè)赴祖國(guó)大陸投資

先進(jìn)制程與12吋晶圓領(lǐng)先臺(tái)積電將成為IDM委外最大受惠者

晶圓雙雄太陽(yáng)能廠動(dòng)土

星科金朋切入12寸晶圓級(jí)BGA封裝技術(shù)

AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時(shí)支持ArF-DP和EUV

DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測(cè)價(jià)

半導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn)外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

2010-2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn) 外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

半導(dǎo)體積極擴(kuò)產(chǎn)　外圍耗材化學(xué)材料需求旺盛

ArF曝光的22/20nm即將量產(chǎn)，凸版印刷構(gòu)建掩模生產(chǎn)線

IC芯片的晶圓級(jí)射頻(RF)測(cè)試

晶圓雙雄Q4出貨花旗不看好

2010～2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

2010～2011年全球半導(dǎo)體投資額達(dá)830億美元

臺(tái)積電8月合并營(yíng)收373.91億元年增25.4% 續(xù)創(chuàng)單月新高

諾發(fā)系統(tǒng)宣布應(yīng)用在先進(jìn)晶圓級(jí)封裝市場(chǎng)的系列產(chǎn)品

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