晶體管
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集成電路分類(lèi)及封裝圖片識(shí)別
集成電路常用的檢測(cè)方法有在線(xiàn)測(cè)量法、非在線(xiàn)測(cè)量法和代換法。
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ZetexSOT23封裝的新型功率晶體管
Zetex日前推出全新的采用SOT23封裝的雙極晶體管系列。它們能以更小的尺寸實(shí)現(xiàn)與較大的SOT223封裝相同的電流處理功能，有效地縮減印刷電路板的尺寸。 SOT23器件的面積僅為2.5毫米×3.05毫米，與SOT223器件6.7毫米
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晶體管15W甲類(lèi)功放的制作
晶體管15W甲類(lèi)功放的制作一、 電路原理與特點(diǎn) 來(lái)源:1次
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晶體管檢測(cè)方法大全
1、檢測(cè)小功率晶體二極管 A、判別正、負(fù)電極 (a)、觀(guān)察外殼上的的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。 (b)、觀(guān)察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼
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DARPA將在舊金山舉辦首屆電子復(fù)興計(jì)劃 計(jì)劃帶來(lái)15億美元投資
近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，摩爾定律一直是推動(dòng)半導(dǎo)體器件發(fā)展的動(dòng)力。但是原子水平的物理限制打破了摩爾定律，下一代電子產(chǎn)品需要一項(xiàng)新舉措來(lái)推動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域的下一次重大革命。英特爾的聯(lián)合創(chuàng)始人Goron Moore曾經(jīng)說(shuō)過(guò)，芯片上的晶體管數(shù)量每年都會(huì)增加一倍，同時(shí)成本可以減少一半。自1965年以來(lái)，這種觀(guān)念一直存在，并且在過(guò)去一年中基本保持不變。
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晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)的分享
（一）晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A“D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，
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晶體管
作為集成電路的基本電子組件，晶體管的大小 40 多年來(lái)一直在縮減。在我們的90-nm CMOS 工藝中，我們面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，需要制造門(mén)長(zhǎng)度不足 40 nm的晶體管。要求我們實(shí)現(xiàn)最高級(jí)的光刻與蝕刻控制，以保證整個(gè)晶圓上數(shù)十億
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A8內(nèi)含20億顆晶體管 20nm制程略勝三星Exynos 5430
隨著三星（Samsung）在上個(gè)月發(fā)布Exynos 5430雙4核心處理器，該公司可望成為出貨20nm智能手機(jī)SoC的首家供貨商。不過(guò)，蘋(píng)果（Apple）最近剛發(fā)布了iPhone 6與iPhone 6 Plus手
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學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同
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晶體管的三種接法 靜態(tài)工作點(diǎn)和交流性能計(jì)算問(wèn)題
通過(guò)對(duì)單管共射放大電路的分析和計(jì)算，使得放大電路的組成原則更明確和具體了。放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用。在共射電路中，晶體管的b-e為輸入端，c-e為輸出端，利用iB對(duì)iC的控制作用，實(shí)現(xiàn)了電流放大和電壓放大。有沒(méi)有其他的控制關(guān)系呢?比如，能不能用iB去控制iE?用iE去控制iC?用iC去控制iE?在實(shí)現(xiàn)這些控制的過(guò)程中，電路能不能得到功率的放大?我們先把這幾種電流控制關(guān)系的示意圖表示在下圖中，以便分析和比較。圖a是iB對(duì)iC的控制，是以e極為公共端，這就是前面介紹過(guò)的共射接法;圖b是iB對(duì)iE的控制
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Intel的委屈誰(shuí)能懂？10nm質(zhì)量雖高卻陷入難產(chǎn)的漩渦
要知道，臺(tái)積電當(dāng)初做代工也是得到了Intel悉心指導(dǎo)的，沒(méi)想到現(xiàn)在被臺(tái)積電、三星各種領(lǐng)先，特別是10nm工藝節(jié)點(diǎn)被這兩家甩開(kāi)。
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新型二維材料或?qū)⒗m(xù)寫(xiě)摩爾定律對(duì)晶體管的預(yù)言
近年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下。但北京大學(xué)物理學(xué)院研究員呂勁團(tuán)隊(duì)與楊金波、方哲宇團(tuán)隊(duì)最新研究表明，新型二維材料或?qū)⒗m(xù)寫(xiě)摩爾定律對(duì)晶體管的預(yù)言。他們?cè)陬A(yù)測(cè)出“具有蜂窩狀原子排布的碳原子摻雜氮化硼(BNC)雜化材料是一種全新二維材料”后，這次發(fā)表在《納米通訊》上的研究，通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了這類(lèi)材料存在能谷極化現(xiàn)象，并具有從紫外拓展到可見(jiàn)光、近紅外以及遠(yuǎn)紅外波段的可調(diào)能隙功能。
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開(kāi)關(guān)三極管，加速電容的分析！
由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構(gòu)成RC電路，時(shí)間常數(shù)較大影響了晶體管的導(dǎo)通和截至速度（即開(kāi)關(guān)速度）
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晶體管音頻混合器電路圖
三個(gè)或者三個(gè)以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流，這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。晶體管音頻混合器電路圖：
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IBM“全包圍門(mén)”結(jié)構(gòu)，晶體管的未來(lái)
摩爾定律在20年前就被唱衰，但直到現(xiàn)在，半導(dǎo)體工程師們?nèi)匀话l(fā)揚(yáng)釘子精神，從方寸之地騰挪出無(wú)限空間。
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怎樣讀懂放大電路圖
讀放大電路圖時(shí)也還是按照“逐級(jí)分解、抓住關(guān)鍵、細(xì)致分析、全面綜合”的原則和步驟進(jìn)行。首先把整個(gè)放大電路按輸入、輸出逐級(jí)分開(kāi)，然后逐級(jí)抓住關(guān)鍵進(jìn)行分析弄通原理。放大電路有它本身的特點(diǎn)：一是有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種工作狀態(tài)，所以有時(shí)往往要畫(huà)出它的直流通路和交流通路才能進(jìn)行分析;二是電路往往加有負(fù)反饋，這種反饋有時(shí)在本級(jí)內(nèi)，有時(shí)是從后級(jí)反饋到前級(jí)，所以在分析這一級(jí)時(shí)還要能“瞻前顧后”。在弄通每一級(jí)的原理之后就可以把整個(gè)電路串通起來(lái)進(jìn)行全面綜合。
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晶體管音頻混合器
三個(gè)或者三個(gè)以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流，這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。
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晶體管突破形態(tài)極限 柔性計(jì)算機(jī)將成現(xiàn)實(shí)
據(jù)外媒《物理科學(xué)》官方網(wǎng)站報(bào)道，來(lái)自卡內(nèi)基·梅隆大學(xué)的機(jī)械工程師卡梅爾·馬杰迪和詹姆斯·魏斯曼是液態(tài)金屬領(lǐng)域的杰出研究者。他們發(fā)現(xiàn)用液態(tài)合金能夠制作出晶體管，從而讓更多電子元件實(shí)現(xiàn)柔性轉(zhuǎn)化。
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晶控本機(jī)振蕩器電路圖
該振蕩器可能包括幾個(gè)轉(zhuǎn)換晶體管，這些晶體管是用來(lái)提供信道化操作的。如果需要的話(huà)，可增加一個(gè)緩沖放大器。
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晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載技巧及選擇的注意事項(xiàng)
在電子制作時(shí)，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法，效果差別很大，有的接法甚至?xí)?dǎo)致電路工作不可靠，下面將介紹常見(jiàn)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電路及元器件的選擇和使用進(jìn)行討論。
