為了使得客戶易于集成功率系統(tǒng),宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)為客戶提供領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的氮化鎵功率器件的晶圓。
“集成電路并不是一個能夠遍地開花的事情。我曾經(jīng)到了一個地方,這個地方領(lǐng)導(dǎo)說,我們下決心了,要把集成電路做上去,在我們這里建個集成電路廠。我就說,恐怕不行,你這里沒錢。我一說沒錢呢,人家很不高興,馬上就說你怎么知道我沒錢?跟旁邊的人說,我給你50個億,你給我把這個事情做起來!我就跟他說,恐怕后面還要再加個0?!?
晶體管的微縮制程技術(shù)越來越難實現(xiàn),并且所須要的成本代價非常昂貴,然而消費電子產(chǎn)品尤其是可穿戴設(shè)備的崛起對于追求更加輕薄便捷、功能效率顯著提高的要求越來越強,先進封裝技術(shù)成為了推動摩爾定律持續(xù)推進的關(guān)鍵。
根據(jù)最新曝料,AMD自己還準(zhǔn)備了紀(jì)念版的Radeon VII顯卡,從流出的資料看,這個特殊版本將采用紅色的外觀,有別于以往的銀色,看起來更加激情。
清華大學(xué)化學(xué)系焦麗穎課題組和微電子所任天令課題組在《自然·電子學(xué)》上在線發(fā)表了題為“二維電子元件一體化制備及集成”的研究論文,首次提出了二維晶體材料合成與器件集成一體化的器件制備策略。
4月1日,模擬IC廠商達爾科技Diodes官網(wǎng)宣布,已完成對德州儀器位于蘇格蘭格里諾克的晶圓制造廠和運營部門(GFAB)的收購。
3月19日,材料領(lǐng)域國際頂級期刊《自然·材料》發(fā)表了復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團隊最新研究論文,《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》。修發(fā)賢團隊制備出二維體系中具有目前已知最高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料-砷化鈮納米帶,該材料電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍,石墨烯的一千倍,這也是目前二維體系中的最高電導(dǎo)率。
展望未來十年,功耗和功率密度將會被視為限制數(shù)據(jù)中心和行動裝置運算性能提升的因素。我們將再次面臨挑戰(zhàn),就像1980年代使用80386處理器時的情況一樣——運算性能受到功耗或熱的限制,但事實上,這些問題最終都透過芯片封裝技術(shù)改善了。
韓國開發(fā)出更有效的超微細(xì)半導(dǎo)體粒子的“石墨烯量子點”技術(shù),預(yù)計能對新一代電子產(chǎn)品的元件“單電子晶體管”發(fā)展做出貢獻。
12月14日消息,意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管,針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計。
2018年的中國集成電路,一如既往地發(fā)展著,同時仍保持著90%的高端芯片依賴進口的局面,每年集成電路進口額也仍在2000多億美元,連續(xù)多年位于我國進口產(chǎn)品中的榜首。
該轉(zhuǎn)換器描述如下:它基于一個硅雙極型晶體管(BJT),可在低于250mV電壓下工作,這對一個不是基于結(jié)型場效應(yīng)管或鍺晶體管的轉(zhuǎn)換器來說幾乎是創(chuàng)記錄的。如何實現(xiàn)這種可能性呢
1 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的計算模型 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類繁多,把他作為我們研究問題的對象,使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓
工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計算后,換成5A的MOS管,問題就解決。為什么用電流裕量更小了,卻能提高可靠性呢?本文將從器件的結(jié)溫角度跟你說說產(chǎn)品的可靠性。
第一節(jié)、概述 OLED,即有機發(fā)光二極管(OrganicLight-EmittingDiode),又稱為有機電激光顯示(OrganicElectroluminesenceDisplay,OELD)。因為具備輕薄、省電等特性,