關(guān)于穩(wěn)壓電源|0">穩(wěn)壓電源電路結(jié)構(gòu),究竟是晶體管線性直流電源,可控硅直流穩(wěn)壓電源和是開關(guān)電源,要根據(jù)具體場合,合理采用。這三種電路,國際國內(nèi)都大量使用,各有各的特
時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上,用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件,也許可以這樣說:用來控制較高電壓或較大功率的電路的電動開關(guān)
半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明讓電腦工業(yè)發(fā)生了一場革命,對于許多其它領(lǐng)域也有長遠(yuǎn)的影響。不過,電子元件尺寸和價格的大幅度降低,是由于后來的一項發(fā)展,也就是集成電路的發(fā)展而得
此功法電路可謂一裝即成,特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個零件,卻收到了意想不到的效果,還音效果真實(shí),頻響平直,解析力高,且功率可以達(dá)到50W。具體電路如
晶體管的持續(xù)微縮化對我們的日常生活有著超乎尋常的影響力?;叵?997年,IBM所制造的巨型超級計算機(jī)“深藍(lán)”重量達(dá)到1.4噸,運(yùn)算能力為11.38 GFLOPS 。“深
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P,專門設(shè)計用于工作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應(yīng)用。
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管,用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無線電應(yīng)用。
手機(jī)處理器市場已經(jīng)不能滿足高通的需要,因?yàn)槭謾C(jī)行業(yè)中蘋果、三星、華為等都有自家的處理器,高通的市場逐漸被蠶食,高通需要借助PC端處理器來保持自家的競爭力。
即將推出的Snapdragon 8180代號為“Poipu”項目,將擁有超過85億個晶體管。作為對比,驍龍835擁有30億個晶體管,而蘋果A12擁有69億顆晶體管。新的驍龍8180還可以提供高達(dá)15W的最大功率,與英特爾的U系列酷睿i3、i5和i7芯片相當(dāng)。驍龍8180的尺寸為20×15mm,由臺灣制造商臺積電制造,基于7nm工藝打造。
隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展,制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫,從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級。因?yàn)橹T如溝道長度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度
摘要:采用分立元件設(shè)計了一個3級單調(diào)諧放大器,可用于通信接收機(jī)的前端電路,通過合理分配各級增益和多種措施提高抗干擾性,具有中心頻率容易調(diào)整、穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。電路經(jīng)
各種類型低頻放大器,主要特點(diǎn)是,工作頻率范圍寬,放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫;這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級,故稱前置放大器,它的輸入信號幅度
在圖1(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽
導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可
一、集成電路及其特點(diǎn)集成電路是利用氧化,光刻,擴(kuò)散,外延,蒸鋁等集成工藝,把晶體管,電阻,導(dǎo)線等集中制作在一小塊半導(dǎo)體(硅)基片上,構(gòu)成一個完整的電路。按功能可
與傳統(tǒng)量子電子元件不同,單原子晶體管不需要在接近絕對零度的低溫條件工作,它可以一直在室溫下工作,這是未來應(yīng)用的一個決定性優(yōu)勢。
準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器,廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時導(dǎo)通,從而
集成電路常用的檢測方法有在線測量法、非在線測量法和代換法。
Zetex日前推出全新的采用SOT23封裝的雙極晶體管系列。它們能以更小的尺寸實(shí)現(xiàn)與較大的SOT223封裝相同的電流處理功能,有效地縮減印刷電路板的尺寸。 SOT23器件的面積僅為2.5毫米×3.05毫米,與SOT223器件6.7毫米
晶體管15W甲類功放的制作一、 電路原理與特點(diǎn) 來源:1次