晶體管
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成的故事
就像每個(gè)MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來切換它，每個(gè)電機(jī)后面總是有一個(gè)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)復(fù)雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方式多樣。
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EPC eGaN 技術(shù)在性能及成本上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍
EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)，對(duì)比前一代的產(chǎn)品，這些晶體管的尺寸減半，而且性能顯著提升。
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Diodes公司帶高壓晶體管的開關(guān)穩(wěn)壓器提高線式充電器效率
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出的AP3984是一款用于線式(line-powered)充電器和適配器的高性能開關(guān)穩(wěn)壓器(power switcher)，它通過獨(dú)特的集成式高壓(HV)啟動(dòng)電路為
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三極管的開關(guān)速度
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時(shí)間來表征，開關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個(gè)過程，相應(yīng)地就有開啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff，晶體管的總開關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來加以考慮。
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能自我修復(fù)的晶體管 太空探索又一大突破
據(jù)美國(guó)電氣與電子工程師協(xié)會(huì)《光譜》雜志網(wǎng)站11日?qǐng)?bào)道，美國(guó)國(guó)家航空航天局(NASA)與韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復(fù)的晶體管。
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計(jì)算機(jī)技術(shù)重大突破：1nm晶體管誕生
據(jù)外媒報(bào)道，今天，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小
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計(jì)算技術(shù)界的重大突破：1nm晶體管誕生
現(xiàn)有22nm晶體管北京時(shí)間10月7日消息，據(jù)外媒報(bào)道，今天，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制
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突破摩爾定律，1nm晶體管誕生
多年以來，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個(gè)月翻一倍以上。眼下
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2021年后半導(dǎo)體晶體管不再縮小 摩爾定律要失效
在過去幾十年中，摩爾定律主導(dǎo)了IT科技行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。每隔一年半，用戶同一價(jià)格能夠買到的半導(dǎo)體性能將會(huì)翻一番，半導(dǎo)體廠商單位面積整合的晶體管數(shù)量也會(huì)翻一番。
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e絡(luò)盟針對(duì)汽車與工業(yè)應(yīng)用擴(kuò)充ROHM獨(dú)有汽車級(jí)產(chǎn)品系列
e絡(luò)盟日前宣布新增來自ROHM的250多種全新半導(dǎo)體產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)展其汽車級(jí)產(chǎn)品范圍。新增系列產(chǎn)品包括LSI、二極管、晶體管及電源管理解決方案等，適用于各類汽車細(xì)分領(lǐng)域應(yīng)用
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)
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雙層石墨烯晶體管打造100GHz超高頻處理器
多年來，石墨烯一直被視為最有前途的材料，尤其是能讓電子設(shè)備變得更小、更高效?，F(xiàn)在，科學(xué)家們制造了一種新型石墨烯晶體管，使用它打造的處理器未來將能夠跑到100GHz的超高頻率。 這一技術(shù)突破來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)
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不容錯(cuò)過！場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的
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三極管基極下拉電阻的作用是什么
本文介紹了三極管基極下拉電阻的作用以及在接下拉電阻時(shí)還要注意的兩個(gè)問題。1)防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，
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14nm LPP工藝密度翻倍 Polaris 11核心或擁有86億晶體管
AMD官方之前提到他們目前開發(fā)的新一代顯卡有Polaris 11和Polaris 10兩款，將使用三星/GlobalFoundries公司的14nm LPP高性能工藝。這幾天AMD市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)在推特上隱晦證實(shí)了某個(gè)Polaris核心會(huì)擁有86億晶體管，再結(jié)合之
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內(nèi)含200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開發(fā)板可實(shí)現(xiàn)高達(dá)30MHz的效率
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開發(fā)板，可以在高達(dá)30 MHz下工作。 推出開發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師利用簡(jiǎn)易方法對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估，使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。
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采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的包絡(luò)跟蹤電源支持20MHz LTE帶寬
本篇文章將進(jìn)一步闡述面向使用第四代移動(dòng)通信技術(shù)(4G)LTE頻帶的無線通信基站基礎(chǔ)設(shè)施并采用EPC8004高頻氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)的包絡(luò)跟蹤電源。包絡(luò)跟蹤電源是以多相位、采用零電壓開關(guān)模式(ZVS)的同步降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，它可以支持20 MHz的大信號(hào)帶寬，并且以30 V電壓源提供60 W以上的平均負(fù)載功率。當(dāng)跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡(luò)信號(hào)，可實(shí)現(xiàn)的平均總效率可高達(dá)92%。
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這個(gè)叫“達(dá)爾文”的芯片 有人一樣的大腦
“你看到的，其實(shí)是一個(gè)生物。”一旦信號(hào)開始在它的“血管”里流淌，小家伙就能像生物的大腦一樣進(jìn)行思維，并作出反應(yīng)。
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簡(jiǎn)單的電平轉(zhuǎn)換電路圖
電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2。用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是直流偏置電壓，連接到晶體管的射極，以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、R1
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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