晶體管
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三極管的開關(guān)速度
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應(yīng)地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計和使用技術(shù)兩個方面來加以考慮。
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能自我修復(fù)的晶體管 太空探索又一大突破
據(jù)美國電氣與電子工程師協(xié)會《光譜》雜志網(wǎng)站11日報道，美國國家航空航天局(NASA)與韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復(fù)的晶體管。
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計算機技術(shù)重大突破：1nm晶體管誕生
據(jù)外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術(shù)界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術(shù)進步的硬指標(biāo)。晶體管越小
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計算技術(shù)界的重大突破：1nm晶體管誕生
現(xiàn)有22nm晶體管北京時間10月7日消息，據(jù)外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術(shù)界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制
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突破摩爾定律，1nm晶體管誕生
多年以來，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下
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2021年后半導(dǎo)體晶體管不再縮小 摩爾定律要失效
在過去幾十年中，摩爾定律主導(dǎo)了IT科技行業(yè)的發(fā)展趨勢。每隔一年半，用戶同一價格能夠買到的半導(dǎo)體性能將會翻一番，半導(dǎo)體廠商單位面積整合的晶體管數(shù)量也會翻一番。
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e絡(luò)盟針對汽車與工業(yè)應(yīng)用擴充ROHM獨有汽車級產(chǎn)品系列
e絡(luò)盟日前宣布新增來自ROHM的250多種全新半導(dǎo)體產(chǎn)品，進一步擴展其汽車級產(chǎn)品范圍。新增系列產(chǎn)品包括LSI、二極管、晶體管及電源管理解決方案等，適用于各類汽車細分領(lǐng)域應(yīng)用
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計用于優(yōu)
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雙層石墨烯晶體管打造100GHz超高頻處理器
多年來，石墨烯一直被視為最有前途的材料，尤其是能讓電子設(shè)備變得更小、更高效?，F(xiàn)在，科學(xué)家們制造了一種新型石墨烯晶體管，使用它打造的處理器未來將能夠跑到100GHz的超高頻率。 這一技術(shù)突破來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)
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不容錯過！場效應(yīng)晶體管使用詳解
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點，但是，由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的
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三極管基極下拉電阻的作用是什么
本文介紹了三極管基極下拉電阻的作用以及在接下拉電阻時還要注意的兩個問題。1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，
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14nm LPP工藝密度翻倍 Polaris 11核心或擁有86億晶體管
AMD官方之前提到他們目前開發(fā)的新一代顯卡有Polaris 11和Polaris 10兩款，將使用三星/GlobalFoundries公司的14nm LPP高性能工藝。這幾天AMD市場營銷總監(jiān)在推特上隱晦證實了某個Polaris核心會擁有86億晶體管，再結(jié)合之
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內(nèi)含200V氮化鎵場效應(yīng)晶體管的開發(fā)板可實現(xiàn)高達30MHz的效率
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開發(fā)板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計師利用簡易方法對氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進行評估，使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。
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采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管的包絡(luò)跟蹤電源支持20MHz LTE帶寬
本篇文章將進一步闡述面向使用第四代移動通信技術(shù)(4G)LTE頻帶的無線通信基站基礎(chǔ)設(shè)施并采用EPC8004高頻氮化鎵場效應(yīng)晶體管設(shè)計的包絡(luò)跟蹤電源。包絡(luò)跟蹤電源是以多相位、采用零電壓開關(guān)模式(ZVS)的同步降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，它可以支持20 MHz的大信號帶寬，并且以30 V電壓源提供60 W以上的平均負載功率。當(dāng)跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡(luò)信號，可實現(xiàn)的平均總效率可高達92%。
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這個叫“達爾文”的芯片 有人一樣的大腦
“你看到的，其實是一個生物?！币坏┬盘栭_始在它的“血管”里流淌，小家伙就能像生物的大腦一樣進行思維，并作出反應(yīng)。
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簡單的電平轉(zhuǎn)換電路圖
電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2。用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是直流偏置電壓，連接到晶體管的射極，以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、R1
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一款單節(jié)晶體管性能測試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示，被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時，三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時S1
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絕緣柵雙極型晶體管原理小科普
對于新人工程師而言，掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識是非常重要的，這將會對工程師日后的產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中，我們將會就絕緣柵雙極型晶體
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一款快速的電平轉(zhuǎn)換電路圖
本文所介紹的是一款簡單而快速的電平轉(zhuǎn)換電路圖，該電路可以將輸入時鐘調(diào)節(jié)為適應(yīng)正、負電壓電平。電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2.用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低
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一款實用性較強的電平轉(zhuǎn)換電路圖
本文將介紹的是一款實用性較強的電平轉(zhuǎn)換電路，可以將輸入時鐘調(diào)節(jié)為適應(yīng)正、負電壓電平。該電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2.用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是
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