晶體管
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回聲探測距離用超聲波接收器電路圖
該電路工作電壓9V，消耗電流僅5mA，可在家150～180kHz范圍內(nèi)調(diào)整頻率，帶寬約為了20kHz，以確保只有寬于70us的脈沖才能通過和被放大。
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晶體管簡單的逆變器電路
在偏遠(yuǎn)家村，會(huì)經(jīng)常有停電現(xiàn)象，有些大學(xué)到一定時(shí)候也會(huì)關(guān)燈，不過這沒關(guān)第有了它，你就可以解決這是一款非常容易制作的逆變器，可以將１２Ｖ電源電壓變?yōu)椋玻玻埃质须?，?/p>
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晶體管參數(shù)在實(shí)際使用中的意義
做模擬電路的工程師，都有過使用晶體管(場效應(yīng)管也是晶體管中的一種)、運(yùn)放的經(jīng)驗(yàn)和體會(huì)。尤其是在設(shè)計(jì)時(shí)，更會(huì)對晶體管的一些電參數(shù)進(jìn)行測試和考量。在測試時(shí)，許多人對晶體管電參數(shù)的實(shí)測值與規(guī)格書所提供的規(guī)范值
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想器件
氮化鎵功率晶體管 -- EPC2106為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供的解決方案可以在2 MHz以上頻率開關(guān)，從而不會(huì)干擾AM頻段及降低過濾成本，因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出單片半橋式增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 -- EPC2106。通過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管而成為一個(gè)集成電路可以去除互感及PCB板上器件之間所需的間隙空間，從而提高效率(尤其是在更高頻時(shí))及提高功率密度而同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。
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170億個(gè)晶體管 NVIDIA帕斯卡核心恐怖曝光
NVIDIA Maxwell麥克斯韋架構(gòu)家族已經(jīng)基本布局完畢，只剩下了GTX 950這樣的查缺補(bǔ)漏型號，而到明年，我們將迎來全新的Pascal帕斯卡。根據(jù)此前消息，帕斯卡家族的大核心GP10
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一點(diǎn)副作用都沒有 瑞典研發(fā)止痛神器
當(dāng)疼得受不了的時(shí)候，我們會(huì)想要去吃止痛藥。但大家都知道，這東西對身體并不好。有沒有無副作用的法子?植入晶體管!聽起來有些嚇人，不過瑞典林雪平大學(xué)已經(jīng)研發(fā)出來了這種神奇的設(shè)備。它本質(zhì)上是一種有機(jī)離子晶體管，能夠發(fā)送人體獨(dú)有的天然疼痛緩解信號，在疼痛信號到達(dá)大腦前，在脊椎將其攔截?！斑@么反自然的過程，還
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場效應(yīng)晶體管增益自動(dòng)控制測試儀
場效應(yīng)晶體管增益自動(dòng)控制測試儀
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可降解芯片運(yùn)行不輸傳統(tǒng)芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，最新研究發(fā)現(xiàn)，可生物降解的木質(zhì)計(jì)算機(jī)芯片在運(yùn)行上能夠有不亞于傳統(tǒng)的無線通信芯片的表現(xiàn)。研究人員稱，那種新型芯片會(huì)有助于解決電子垃圾快速積聚的全球問題。部分電子垃圾含有可能有毒的材料。研究結(jié)果還顯示，一種名為納米纖維素的透明木材衍生材料能夠很好地替代塑料成為
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Diodes穩(wěn)壓器晶體管提升48V電路系統(tǒng)功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為針對網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 (Power over Ethernet，簡稱PoE) 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR2000系列。 這些穩(wěn)壓器晶體管通過把幾個(gè)分立元件單片式集成到超薄PowerDI5及較
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幅度分離電路
幅度分離電路典型的幅度分離電路如圖8 - 2所示。它是由一只晶體管和電容C、 電阻RB、 RC構(gòu)成。輸入信號是檢波后的視頻全電視信號, 通常峰峰值在2V左右。輸出的信號是復(fù)合同步信號, 為簡單起見, 圖中只畫出了行同步脈沖, 在圖8-2的電路中, 它是向下的, 幅度在10V以上。本圖片來至于電子發(fā)燒
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基于雙閉環(huán)模糊PID控制器的開關(guān)電源控制
電壓調(diào)節(jié)模塊（Voltage Regulator Module，VRM）具有低壓大電流輸出、快速負(fù)載變化響應(yīng)、高輸出穩(wěn)定度等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于CPU等對供電電源有特殊要求的集成電路芯片的供電。然而隨著集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展，晶體管體積迅速減小、單芯片晶體管數(shù)迅速增加。這樣的半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展趨勢已經(jīng)使
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宜普電源具有寬間距的氮化鎵場效應(yīng)晶體管系列 新添3款產(chǎn)品
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出采用高性能、寬間距的芯片規(guī)模封裝的全新氮化鎵(eGaN®)功率晶體管，進(jìn)一步擴(kuò)大其功率晶體管系列、易于實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量并與成熟的制造工藝及組裝生
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一款雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路圖
該電路由穩(wěn)壓管D1、晶體管T以及電阻R1、R2構(gòu)成恒流源，可供給由基準(zhǔn)二極管D2和負(fù)載電阻Rl(這里為68k歐)構(gòu)成的并聯(lián)電路電流約7.6mA.由于D1上電流遠(yuǎn)大于晶體管的基-射極電流而
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由晶體管構(gòu)成的濾波器電路圖
本文所介紹的是一款采用晶體管構(gòu)成的帶通濾波器電路圖，如下圖所示。
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世界最薄晶體管來襲
“世界最薄電子產(chǎn)品”的有力競爭者來了，因?yàn)樗谷恢挥?個(gè)原子厚。根據(jù)出版的《自然》雜志上的一篇論文所述，研究人員們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種制作超薄晶體管的新工藝。該裝置使用了被稱為“過渡金屬硫?qū)倩?/p>
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晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器
雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，比如
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晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器
引言雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小
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小尺寸承載大電流！ 宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出寬間距氮化鎵場效應(yīng)晶體管
采用全新100 V EPC2104半橋式器件的全降壓轉(zhuǎn)換器在48 V轉(zhuǎn)12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關(guān)頻率下，系統(tǒng)效率可超過97%;而在22 A、500 kHz開關(guān)頻率下，系統(tǒng)效率則接近97%。宜
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴(kuò)大DrGaNPLUS Plug-and-Play評估板系列--面向小尺寸、高功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師擴(kuò)大簡單易用的DrGaNPLUS評估板系列，使工程師非常容易對他們所設(shè)計(jì)并采用卓越的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)的功率系統(tǒng)進(jìn)行評估，
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應(yīng)用材料公司推出革命性的針對FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測設(shè)備
21ic訊 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司，在加利福尼亞州圣何塞舉行的國際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)先進(jìn)光刻技術(shù)大會(huì)上，推出了業(yè)界首款在線3D掃描電子線寬量測系統(tǒng)，成
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