●20家LED上市公司中,13家三季度凈利潤(rùn)同比下滑●盈利多靠政府補(bǔ)貼,三安光電、德豪潤(rùn)達(dá)等龍頭也不例外●上市公司面臨殘酷考驗(yàn),業(yè)內(nèi)憂慮被S T或退市2012年我國(guó)LE D顯示屏行業(yè)可謂競(jìng)爭(zhēng)激烈,繼2011年的鈞多立、博倫
6日,工研院IEK對(duì)國(guó)內(nèi)封測(cè)業(yè)提出預(yù)警,預(yù)警強(qiáng)調(diào)未來(lái)高階先進(jìn)封裝制程將面臨晶圓代工跨足威脅,也同時(shí)面臨韓國(guó)及新加坡政府以設(shè)備采購(gòu)的優(yōu)惠獎(jiǎng)勵(lì)進(jìn)逼,出現(xiàn)內(nèi)外夾擊隱憂。IEK系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理?xiàng)钊鹋R表示,內(nèi)外夾
6日,工研院IEK對(duì)國(guó)內(nèi)封測(cè)業(yè)提出預(yù)警,預(yù)警強(qiáng)調(diào)未來(lái)高階先進(jìn)封裝制程將面臨晶圓代工跨足威脅,也同時(shí)面臨韓國(guó)及新加坡政府以設(shè)備采購(gòu)的優(yōu)惠獎(jiǎng)勵(lì)進(jìn)逼,出現(xiàn)內(nèi)外夾擊隱憂。 IEK系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理?xiàng)钊鹋R表示,內(nèi)
1982年畢業(yè)于北京大學(xué)化學(xué)專業(yè);1984年獲北京大學(xué)化學(xué)專業(yè)碩士,1987年獲北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院高分子化學(xué)博士;1992年獲得美國(guó)懷俄明大學(xué)化學(xué)系高分子化學(xué)專業(yè)博士后。2010年入選中組部第三批“千人計(jì)劃”、20
1982年畢業(yè)于北京大學(xué)化學(xué)專業(yè);1984年獲北京大學(xué)化學(xué)專業(yè)碩士,1987年獲北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院高分子化學(xué)博士;1992年獲得美國(guó)懷俄明大學(xué)化學(xué)系高分子化學(xué)專業(yè)博士后。2010年入選中組部第三批“千人計(jì)劃”、20
11月6日下午,西咸新區(qū)空港新城LED產(chǎn)業(yè)基地專場(chǎng)推介會(huì)在廣州隆重舉行,會(huì)上《空港新城LED產(chǎn)業(yè)基地規(guī)劃》正式對(duì)外發(fā)布。按照規(guī)劃,到2020年,西咸新區(qū)空港新城LED產(chǎn)業(yè)基地將打造成為產(chǎn)值過(guò)千億的覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的中國(guó)西
工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)分析師陳玲君表示,全球前10大封測(cè)廠積極往高階封測(cè)和前段制程布局,在3D扇出型堆疊式封裝和內(nèi)埋晶片/被動(dòng)元件領(lǐng)域相對(duì)有成長(zhǎng)空間。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK) 上午舉辦「眺望2013年
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布推出用于極為注重功耗的短距無(wú)線應(yīng)用的新型超低功耗(ULP)射頻(RF)收發(fā)器產(chǎn)品ZL70250,該器件在低功耗方面設(shè)立了全新的基準(zhǔn),傳送和接收數(shù)據(jù)所需電流僅為2 mA,實(shí)現(xiàn)
X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itze
國(guó)科會(huì)第132次園區(qū)審議委員會(huì),1日審議通過(guò)京元電子銅鑼分公司投資案。 京元電子銅鑼分公司投資金營(yíng)運(yùn)資金為10億元,投資人為京元電子;經(jīng)營(yíng)目標(biāo)針對(duì)感測(cè)器及驅(qū)動(dòng)器的測(cè)試服務(wù)應(yīng)用于智慧型手機(jī)等相關(guān)消費(fèi)性產(chǎn)品,
李洵穎/電子時(shí)報(bào) 隨著行動(dòng)通訊市場(chǎng)與云端運(yùn)算發(fā)展,IC對(duì)高速運(yùn)算與低電流的需求與日俱增,加上成本考量,使多家半導(dǎo)體大廠相繼采用28奈米制程,正式進(jìn)入28奈米世代。隨著晶片設(shè)計(jì)益趨復(fù)雜,其所搭配的封裝制程難度也
現(xiàn)今的復(fù)雜現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)正漸漸成為整個(gè)可編程系統(tǒng)的主角,這包括嵌入存儲(chǔ)器和處理器、專用I/O和多個(gè)不同的電源和地平面。為這些器件開發(fā)封裝也面臨著許多問(wèn)題,這對(duì)SOC產(chǎn)品是很常見(jiàn)的,對(duì)可編程單芯片系統(tǒng)
為了實(shí)現(xiàn)最佳性能并確保系統(tǒng)穩(wěn)健性,就必須要進(jìn)行系統(tǒng)監(jiān)控測(cè)量。其中一個(gè)必需的典型測(cè)量項(xiàng)目就是環(huán)境溫度。使用簡(jiǎn)單的數(shù)字溫度傳感器進(jìn)行該測(cè)量將為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供如下保證:組件正常工作,系統(tǒng)處于其性能或校準(zhǔn)限
光纖光柵是一種新型的光無(wú)源器件,它通過(guò)在光纖軸向上建立周期性的折射率分布來(lái)改變或控制光在該區(qū)域的傳播行為和方式。其中,具有納米級(jí)折射率分布周期的光纖光柵稱為光纖布喇格光柵(即FBG,若非特別聲明,下文中的
21ic訊 羅姆面向智能手機(jī)等便攜設(shè)備開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的低VF小型肖特基勢(shì)壘二極管“RBE系列”。本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn),隨著客戶采用的增加,從2012年9月份開始將產(chǎn)能擴(kuò)充為每月1000萬(wàn)個(gè)。此
功率型LED封裝基板作為熱與空氣對(duì)流的載體,其熱導(dǎo)率對(duì)LED的散熱起著決定性作用。DPC陶瓷基板以其優(yōu)良的性能和逐漸降低的價(jià)格,在眾多電子封裝材料中顯示出很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力,是未來(lái)功率型LED封裝發(fā)展的趨勢(shì)。隨著科學(xué)
隨著節(jié)能減排理念的不斷深入,以及LED技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,LED行業(yè)透露出的機(jī)遇與誘惑正在讓LED行業(yè)的從業(yè)者欲罷不能,當(dāng)前,不管是專業(yè)的、非專業(yè)的投資客,都紛紛轉(zhuǎn)投LED市場(chǎng)。一方面,從業(yè)者的積極態(tài)度催促著這個(gè)行業(yè)
太極實(shí)業(yè)公告,公司與EEMSItaliaS.p.A.于10月28日就太極實(shí)業(yè)擬收購(gòu)EEMS旗下100%持有(間接持有)之中國(guó)子公司新義半導(dǎo)體(蘇州)有限公司及新義微電子(蘇州)有限公司的全部資產(chǎn)及經(jīng)營(yíng)性負(fù)債簽訂了《框架協(xié)議》。協(xié)議顯示
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型無(wú)引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關(guān)、反向阻斷及整流功能,從而滿足智能手機(jī)與平板電腦等超便攜產(chǎn)品更高密度的
研調(diào)機(jī)構(gòu)LEDinside表示,通常LED照明應(yīng)用多采用大功率LED封裝產(chǎn)品,但自從韓廠三星與LG開始將5630封裝體的中功率LED導(dǎo)入LED照明市場(chǎng)后,LED照明市場(chǎng)又開啟另一波價(jià)格戰(zhàn),估計(jì)明年中低功率LED封裝產(chǎn)品還有約20%的降價(jià)