封裝
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臺(tái)積電強(qiáng)攻封裝
臺(tái)積電董事會(huì)9日通過(guò)明年資本預(yù)算26.9億美元(約新臺(tái)幣810億元)，主要用于12寸晶圓廠與晶圓封裝兩大業(yè)務(wù)。臺(tái)積電為抓住科技產(chǎn)品“輕薄短小”的趨勢(shì)，業(yè)務(wù)從上游晶圓代工擴(kuò)大到下游封裝，不但將威脅日月光、
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InvenSense將3軸加速度傳感器集成在一個(gè)封裝3軸陀螺儀傳感器
美國(guó)InvenSense開發(fā)出將3軸加速度傳感器、16bitA-D轉(zhuǎn)換器及信號(hào)處理LSI集成在一個(gè)封裝內(nèi)的3軸陀螺儀傳感器（角速度傳感器）“MPU-6000”。 這是該公司首次推出將加速度傳感器也集成在一個(gè)封裝內(nèi)的陀螺儀傳感器。雖然
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臺(tái)積電將出資擴(kuò)建中科晶圓廠
臺(tái)積電周二發(fā)布公告稱，將出資18.9億美元用于擴(kuò)建中科的晶圓廠。計(jì)劃在中科的晶圓廠建立晶圓試產(chǎn)線，并擴(kuò)充12寸晶圓級(jí)芯片尺寸封裝產(chǎn)能與特殊技術(shù)產(chǎn)能。該公司沒(méi)有透露具體將于何時(shí)開始擴(kuò)充產(chǎn)能。此外，臺(tái)積電稱已經(jīng)
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臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn) 通過(guò)812.6億元資本預(yù)算
晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，9日董事會(huì)通過(guò)約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算，用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能，以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算，并且也通過(guò)對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠
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臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn) 通過(guò)新臺(tái)幣812.6億元資本預(yù)算
晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，9日董事會(huì)通過(guò)約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算，用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能，以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算，并且也通過(guò)對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。?臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看
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臺(tái)積強(qiáng)攻封裝 走輕薄風(fēng)
臺(tái)積電董事會(huì)昨（9）日通過(guò)明年資本預(yù)算26.9億美元（約新臺(tái)幣810億元），主要用于12吋晶圓廠與晶圓封裝兩大業(yè)務(wù)。 臺(tái)積電為抓住科技產(chǎn)品「輕薄短小」的趨勢(shì)，業(yè)務(wù)從上游晶圓代工擴(kuò)大到下游封裝，不但將威脅日月
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受匯差及金價(jià)走揚(yáng)影響 日月光估本季營(yíng)收持平
日月光公告10月封測(cè)營(yíng)收為新臺(tái)幣111.73億元，加計(jì)EMS事業(yè)部營(yíng)收，則該公司10月集團(tuán)營(yíng)收為169.08億元，月減率為2.7%。就封測(cè)業(yè)務(wù)而言，日月光認(rèn)為單季出貨量應(yīng)可較上季成長(zhǎng)，惟受到新臺(tái)幣升值和金價(jià)走揚(yáng)的沖擊抵銷，初
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AMD蘇州封裝測(cè)試廠擴(kuò)建 進(jìn)一步深化中國(guó)戰(zhàn)略布局
CNET科技資訊網(wǎng) 11月8日 北京消息：作為超威半導(dǎo)體公司“AMD”（NYSE：AMD）在華的投資性全資子公司，超威半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司（“AMD中國(guó)”）今日宣布將對(duì)其位于蘇州工業(yè)園區(qū)內(nèi)的工廠進(jìn)行擴(kuò)建。據(jù)悉，此次擴(kuò)建將
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AMD擴(kuò)建蘇州工廠 產(chǎn)能將翻番
AMD今天在其蘇州工廠內(nèi)舉行了擴(kuò)建奠基儀式，擴(kuò)建完成后工廠產(chǎn)能將提高一倍。蘇州工廠是AMD在中國(guó)的第一個(gè)CPU測(cè)試封裝廠，2004年12月正式投產(chǎn)，當(dāng)時(shí)投入資金為1億美元。這里的主要業(yè)務(wù)是將已經(jīng)生產(chǎn)完畢的臺(tái)式電腦和筆
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高性能、突破性ISL8200MM功率模塊（Intersil）
Intersil公司推出其為國(guó)防、航空電子等惡劣應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)的突破性ISL8200M DC/DC功率模塊的最新版本---ISL8200MM。ISL8200MM負(fù)載點(diǎn) DC/DC 功率模塊符合美國(guó)國(guó)防供應(yīng)中心（DSCC）VID V62/10608 的規(guī)范。它以單一封裝
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高性能、突破性ISL8200MM功率模塊（Intersil）
Intersil公司推出其為國(guó)防、航空電子等惡劣應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)的突破性ISL8200M DC/DC功率模塊的最新版本---ISL8200MM。ISL8200MM負(fù)載點(diǎn) DC/DC 功率模塊符合美國(guó)國(guó)防供應(yīng)中心（DSCC）VID V62/10608 的規(guī)范。它以單一封裝
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LED要求與日俱增 覆晶封裝蔚然成風(fēng)
著眼于系統(tǒng)商對(duì)于發(fā)光二極管(LED)光源在不同操作環(huán)境的穩(wěn)定性要求更為嚴(yán)苛，采用覆晶(Flip-chip)封裝技術(shù)的LED，較一般LED封裝的固晶方式擁有更高的信賴度，且兼具縮短高溫烘烤的制程時(shí)間、高良率、導(dǎo)熱效果佳、高
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封裝上下均設(shè)有散熱路徑，飛兆發(fā)布新構(gòu)造功率MOSFET
美國(guó)飛兆半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）開發(fā)出面向功率MOSFET的高散熱封裝技術(shù)“Dual Cool”，已經(jīng)開始量產(chǎn)供貨采用該技術(shù)的5款產(chǎn)品。產(chǎn)品用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件。通過(guò)將其設(shè)置成不僅封裝底端，從上端也可散
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采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的無(wú)引腳封裝產(chǎn)品（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布推出業(yè)內(nèi)首款采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品SOD882D。這是一款2引腳塑料封裝產(chǎn)品，尺寸僅為1mm x 0.6mm，是纖薄型設(shè)備的理想之選。其高度僅有0.37 mm（典型值），同時(shí)也
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全球四大區(qū)域 第三只眼看國(guó)內(nèi)外LED照明產(chǎn)業(yè)
隨著全球能源的日益枯竭，地表溫度的不斷上升，人類節(jié)能環(huán)保意識(shí)的逐步加強(qiáng)，具有節(jié)能環(huán)保概念的led產(chǎn)業(yè)目前繁華似錦，在全世界都大放異彩，于是乎LED產(chǎn)業(yè)好像已經(jīng)成了全世界照明產(chǎn)業(yè)的救世主，在歐美大地各個(gè)政府在
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南通富士通：系統(tǒng)集成封裝是主流方向
今年以來(lái)，隨著世界經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇和我國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)“上行”動(dòng)力的強(qiáng)勁，我們正在經(jīng)歷又一個(gè)快速發(fā)展的黃金時(shí)期。在國(guó)家電子信息振興規(guī)劃引領(lǐng)下，在國(guó)家一系列拉動(dòng)內(nèi)需的舉措以及物聯(lián)網(wǎng)、智能電網(wǎng)、移動(dòng)多媒體廣播技術(shù)（CM
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銅封裝制程戰(zhàn)線擴(kuò)大 歐美客戶第4季起加速導(dǎo)入
銅打線封裝制程戰(zhàn)線恐在2010年第4季開始擴(kuò)大！過(guò)去臺(tái)系無(wú)晶圓廠基于成本考慮，是主要導(dǎo)入銅打線制程的族群，隨著黃金價(jià)格飆漲，歐美客戶也開始感受到成本壓力，將自第4季開始導(dǎo)入銅打線封裝制程，預(yù)計(jì)到2011年會(huì)更加
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日月光2010年第3季財(cái)報(bào)
日月光公布2010年第3季財(cái)報(bào)，若單指封測(cè)業(yè)務(wù)部分，單季營(yíng)收為新臺(tái)幣340.15億元，比上季成長(zhǎng)7%，優(yōu)于內(nèi)部原先預(yù)期，日月光財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思表示，主要系市占率提升所致。 該公司在銅打線封裝制程效益顯現(xiàn)下，毛利率為由
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日月光估明年資本支出7億~8億美元
日月光2010年以來(lái)營(yíng)運(yùn)績(jī)效超過(guò)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手硅品，可謂一吐過(guò)去被壓抑的怨氣。在大舉擴(kuò)充銅打線封裝制程下，該公司2010年資本支出將達(dá)8.8億美元，已經(jīng)超過(guò)原訂計(jì)劃。該公司財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思更端出2011年3大成長(zhǎng)動(dòng)能，除了大展
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三星電子LED鏈條式擴(kuò)張
在天津經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)微電子工業(yè)區(qū)內(nèi)，天津三星LED有限公司舉行了新生產(chǎn)線投產(chǎn)慶典。天津三星LED有限公司成立于2009年6月，用地面積為43000平方米。僅僅一年多，天津三星工廠擴(kuò)大產(chǎn)能迅速實(shí)現(xiàn)一變?nèi)?。這只是三星LED產(chǎn)
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