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英飛凌推出用于高壓應(yīng)用的EasyPACK? CoolGaN? 功率模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合
【2025年5月15日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動(dòng)汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢(shì)的持續(xù)，預(yù)計(jì)全球?qū)﹄娏Φ男枨髮?huì)快速增長(zhǎng)。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺(tái)，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動(dòng)汽車充電樁等大功率應(yīng)用開發(fā)。它能滿足日益增長(zhǎng)的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設(shè)計(jì)進(jìn)程，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
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舍弗勒推出創(chuàng)新型高壓PCB嵌入式功率模塊
舍弗勒推出高壓嵌入式功率模塊，可適配新能源汽車800V平臺(tái)應(yīng)用 得益于創(chuàng)新的PCB嵌入式封裝技術(shù)，該產(chǎn)品具有低損耗、高集成度、高效耐用等特點(diǎn) 計(jì)劃于2026年在舍弗勒天津基地實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 舍弗勒致力于電氣化發(fā)展，通過持續(xù)創(chuàng)新不斷拓展產(chǎn)品矩陣，為客戶創(chuàng)造價(jià)值 上...
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英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊，賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電
【2025年3月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實(shí)現(xiàn)AI和高性能計(jì)算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS? TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結(jié)合英飛凌一貫的穩(wěn)健性，為AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO）。
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功率模塊有哪些作用？功率模塊和功率IC如何區(qū)分
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)功率模塊的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果x是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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功率模塊工作流程是怎樣的？與功率集成電路有什么區(qū)別
一直以來，功率模塊都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)砉β誓K的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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逆變電源為什么大多采用正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)
逆變主電路采用的智能功率模塊不僅使電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且使得出現(xiàn)的浪涌電壓、門極振蕩、噪聲引起的干擾等問題能有效得到控制。
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英飛凌推出超高電流密度功率模塊，助力高性能AI計(jì)算
【2024年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2030年，這一數(shù)字將增長(zhǎng)到7%左右，相當(dāng)于整個(gè)印度目前的能耗。實(shí)現(xiàn)從電網(wǎng)到核心的高效功率轉(zhuǎn)換對(duì)于實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度至關(guān)重要，從而在降低總擁有成本（TCO）的同時(shí)提高計(jì)算性能。因此，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）將推出TDM2354xD和TDM2354xT雙相電源模塊，具有出色的功率密度，適用于高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些模塊實(shí)現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸（VPD），并提供了業(yè)界領(lǐng)先的電流密度1.6A/mm2。英飛凌在今年早些時(shí)候還推出了TDM2254xD雙相功率模塊。
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安森美發(fā)布升級(jí)版功率模塊，助力太陽(yáng)能發(fā)電和儲(chǔ)能的發(fā)展
硅與碳化硅混合解決方案在減少尺寸的同時(shí)，將輸出功率提高了15%
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大面積燒結(jié)高性能功率模塊封裝技術(shù)
傳統(tǒng)上，硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金屬陶瓷基板上，使用鋁線鍵合作為互連技術(shù)，并使用焊膏或?qū)峁柚瑢⒐β誓K連接到底板或冷卻器。這種結(jié)構(gòu)如圖1(左)所示。
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個(gè)全新的智能功率模塊(IPM)系列，這些產(chǎn)品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過集成第二代逆導(dǎo)型IGBT，可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個(gè)帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)可向控制器提供模擬反饋信號(hào)的溫度監(jiān)測(cè)器，從而最大限度地減少了對(duì)外部元件的需求。得益于這些特性，這個(gè)新的IPM系列的產(chǎn)品堪稱冰箱和洗衣機(jī)等家用電器所使用的變頻系統(tǒng)的完美搭檔。
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英飛凌攜手上能電氣， 共繪儲(chǔ)能新篇章
【2024年6月5日，中國(guó)上海訊】近日，英飛凌宣布與上能電氣股份有限公司達(dá)成合作，為上能電氣提供業(yè)界領(lǐng)先的1200V EconoDUAL? 3功率模塊，用于2MW集中式儲(chǔ)能應(yīng)用。 得益于英飛凌最新的TRENCHSTOP? IGBT7技術(shù)，1200V EconoDUAL? 3功率模塊可助力上能電氣提升功率密度，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
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TDK 針對(duì)表面溫度測(cè)量應(yīng)用推出堅(jiān)固耐用的 SMT NTC 傳感器
該傳感器能與測(cè)量表面實(shí)現(xiàn)出色的熱耦合，結(jié)合了高耐濕性和快速響應(yīng)的特點(diǎn)，并且適合惡劣工況應(yīng)用，溫度范圍 為-40 °C 至+150 °C，防水時(shí)間長(zhǎng)達(dá) 500 小時(shí)。此外，傳感器采用氧化鋁陶瓷表面，耐電壓高達(dá) 2500 V AC(60 秒)。
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英飛凌推出高密度功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供基準(zhǔn)性能，降低總體擁有成本
【2024年3月1日，德國(guó)慕尼黑和加利福尼亞州長(zhǎng)灘訊】人工智能(AI)正推動(dòng)全球數(shù)據(jù)生成量成倍增長(zhǎng)，促使支持這一數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的芯片對(duì)能源的需求日益增加。英飛凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本(TCO)。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強(qiáng)大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu)，通過穩(wěn)健的機(jī)械設(shè)計(jì)提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行效率，在滿足AI GPU(圖形處理器單元)平臺(tái)高功率需求的同時(shí)，顯著降低總體擁有成本。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，能實(shí)現(xiàn)更高能效和更佳性能
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意法半導(dǎo)體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置
2023 年 10 月 30日，中國(guó)– 意法半導(dǎo)體發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列車規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊，新系列產(chǎn)品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標(biāo)應(yīng)用是車載充電機(jī)(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。
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意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能
2023年9月7日，中國(guó) - 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊提供意法半導(dǎo)體最新的第三代 750V 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片。博格華納將使用該功率模塊為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款電動(dòng)車型設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。
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Power Integrations推出具有溫度讀數(shù)功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動(dòng)器
SCALE-2技術(shù)將流行的100mmx140mm IGBT和SiC半橋功率模塊的均流能力提高了20%
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賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊
賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。
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電源網(wǎng)宣布第四屆國(guó)際寬禁帶直播節(jié)正式啟動(dòng)
（全球TMT2022年4月20日訊）電源網(wǎng)宣布于4月20日正式啟動(dòng)第四屆國(guó)際寬禁帶直播節(jié)。從4月20日至5月12日，由電源網(wǎng)、電子星球主辦，得捷電子特別贊助的第四屆國(guó)際寬禁帶直播節(jié)，邀請(qǐng)到復(fù)旦大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京航空航天大學(xué)、天津工業(yè)大學(xué)、大連理工大學(xué)、Transphor...
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