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  • 上海打造垂直一體化光伏百億元產(chǎn)業(yè)鏈

    為促進(jìn)航天技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展，占領(lǐng)新能源產(chǎn)業(yè)的制高點(diǎn)，上海將著力打造垂直一體化光伏百億元產(chǎn)業(yè)鏈。這一重要新能源項(xiàng)目由上海航天局負(fù)責(zé)實(shí)施。上海航天局局長(zhǎng)朱芝松16日在此間介紹，根據(jù)目標(biāo)，到2015年，上海航天局

  • 美國ASP公司增加單晶硅太陽能電池生產(chǎn)線

    Advanced Solar Photonics(ASP)公司，一個(gè)為光伏產(chǎn)業(yè)開發(fā)的激光劃線，雕刻，制絨和切邊系統(tǒng)的制造商，在先前宣布的佛羅里達(dá)州瑪麗湖程的SolarFabT項(xiàng)目基礎(chǔ)上，又增加了產(chǎn)品生產(chǎn)線，不僅包括薄膜電池，還增加了單晶硅

  • 2008年MCU市場(chǎng)廠商TOP10排名 瑞薩市占最高

    2 008年MCU市場(chǎng)廠商TOP10排名 瑞薩市占最高 根據(jù)databean統(tǒng)計(jì)資料，2008年MCU市場(chǎng)以瑞薩(Renesas)做穩(wěn)第1名寶座，市佔(zhàn)率高達(dá)20.1%，排名第2的飛思卡爾(Freescale)則佔(zhàn)11%，至于第3與第4的NEC與富士通(Fujitsu)則分別

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    2009-04-17
    Atmel MCU TOP P10

  • IBM聯(lián)手合作伙伴開發(fā)28納米芯片

    北京時(shí)間4月16日消息，據(jù)報(bào)道，IBM、三星、意法半導(dǎo)體及其他幾家公司正在聯(lián)手開發(fā)體積更小、能耗更低的芯片。 IBM及其合作伙伴宣布，已經(jīng)開發(fā)了28納米芯片技術(shù)，比英特爾和AMD目前正在使用的45nm技術(shù)更加先進(jìn)。IBM發(fā)

  • 臺(tái)積電訂單能見度到6月 重啟12寸廠擴(kuò)充腳步

    受大陸家電下鄉(xiāng)刺激，臺(tái)積電、世界先進(jìn)與聯(lián)電8寸廠產(chǎn)能利用率急拉，臺(tái)積電擴(kuò)充12寸廠腳步也重新啟動(dòng)，上游硅晶圓供貨商表示，近期明顯感受到8寸硅晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求，據(jù)了解MEMC目前8寸硅晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)滿載。半導(dǎo)體業(yè)者

  • iPhone將給三星帶來大筆NAND訂單

    NAND閃存價(jià)格上漲,需求在攀升，至少對(duì)于某些廠商來說是這樣。在NAND市場(chǎng)略有反彈之際，市場(chǎng)中的初步贏家似乎是韓國的三星(Samsung)電子。 Lazard Capital Markets的分析師Daniel Amir最近在報(bào)告中表示：“我們了解到

  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    介紹了開關(guān)電源中驅(qū)動(dòng)部分的工作情況，集中說明了柵極專用驅(qū)動(dòng)器IR2110的使用方法及其抗干擾措施。由于IR2110本身的缺陷，常規(guī)使用方法只能適合小功率場(chǎng)合，在中大功率場(chǎng)合根本無法使用。

  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    ADSL接入技術(shù)已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術(shù)。ADSL技術(shù)的關(guān)鍵是ADSL調(diào)制解調(diào)器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號(hào)。本文通過對(duì)ADSL調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復(fù)合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對(duì)二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預(yù)測(cè)pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進(jìn)一步可以應(yīng)用于電路溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應(yīng)用

    對(duì)目前我國煤礦用燈作了簡(jiǎn)單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應(yīng)為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應(yīng)該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機(jī)理。通過光譜分析，得出了LED在實(shí)際照明應(yīng)用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對(duì)LED燈隔爆兼本安驅(qū)動(dòng)電路作了設(shè)計(jì)并對(duì)小功率LED燈進(jìn)行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應(yīng)用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)

    為適應(yīng)目前無線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進(jìn)行仿真驗(yàn)證的方法，對(duì)高速A／D前端采樣保持電路進(jìn)行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT。基于BiCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時(shí)鐘頻率為800 MHz時(shí)，其無雜波動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設(shè)計(jì)的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

  • 三款新型 Gigaspira 積層磁珠產(chǎn)品（TDK）

    TDK公司近日宣布，已新開發(fā)出三款MMZ1005-E Gigaspira積層GHz頻帶貼片磁珠系列產(chǎn)品。該新產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)最高1阻抗效果，并計(jì)劃于6月開始批量生產(chǎn)。 通過獨(dú)創(chuàng)的積層結(jié)構(gòu)技術(shù)和鐵氧體技術(shù)的開發(fā)，該產(chǎn)品成功實(shí)現(xiàn)了阻抗

    模擬
    2009-04-17
    阻抗 磁珠 TDK SPI

  • 透視電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機(jī)遇

    由中國電源學(xué)會(huì)和賽迪顧問股份有限公司共同主辦的“2009電源行業(yè)發(fā)展高峰論壇”將于6月19日在深圳舉行。此次高峰論壇將是電源行業(yè)界首次在全國范圍內(nèi)圍繞“市場(chǎng)發(fā)展與產(chǎn)業(yè)升級(jí)”研討的高水平、高

  • 意法半導(dǎo)體推出LIS352AX基于MEMS的運(yùn)動(dòng)傳感器

    全球領(lǐng)先消費(fèi)電子和便攜設(shè)備運(yùn)動(dòng)傳感器芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出一款內(nèi)置絕對(duì)模擬輸出的三軸加速傳感器，進(jìn)一步擴(kuò)大超微型高性能的MEMS產(chǎn)品陣容。意法半導(dǎo)體的LIS352AX在2.16V到3.6V之間任何電源電壓都可以操作，適用

  • 集成線性霍爾編碼器（奧地利微電子）

    奧地利微電子公司發(fā)布首款可實(shí)現(xiàn)亞微米分辨率并基于線性霍爾效應(yīng)傳感器的磁編碼器AS5311。與2mm極對(duì)長(zhǎng)度的磁條一起使用，AS5311可通過其增量輸出和串行輸出分別提供1.95微米和488納米分辨率的信號(hào)。奧地利微電子編碼

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