2009 年 4 月 21 日 - 北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 4 通道 12 位、10 位和 8 位軌至軌數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) LTC2634,該器件在 3mm x 3mm QFN 和 MSOP 封裝中集成了一個(gè)精確的基準(zhǔn)。LTC26
摘要:本文提出一種基于柔性多層集成L-C繞組的新型EMI濾波器集成結(jié)構(gòu)。 通過采用此種結(jié)構(gòu),可以將共模電感,差模電感與共模電容集成為1個(gè)單元。與平面PCB繞組的集成EMI濾波器比較, 具有銅損顯著減小的特點(diǎn)。本文還介
摘要:根據(jù)工程應(yīng)用中對(duì)小信號(hào)放大的需要,結(jié)合模擬電子技術(shù)和單片機(jī)技術(shù),設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種數(shù)控高增益測量放大器。根據(jù)預(yù)置的電壓放大倍數(shù)合理分配第一級(jí)、第二級(jí)的放大量,實(shí)現(xiàn)了步進(jìn)為1的1~1 000的放大倍數(shù)預(yù)置和顯
引言 由于大型電子設(shè)備在進(jìn)行電磁兼容(EMC)性考核時(shí),很難進(jìn)入屏蔽室進(jìn)行而只能在室外開闊場地進(jìn)行,從而難以控制測試時(shí)的環(huán)境背景噪聲電平,使測試結(jié)果出現(xiàn)很大誤差。如何區(qū)分背景噪聲信號(hào),鑒別出受試設(shè)備發(fā)出
放大器的測試指標(biāo)可以分為兩類:線性指標(biāo)測試和非線性指標(biāo)測試。線性指標(biāo)的測試基于S 參數(shù)的測量,采用常規(guī)矢量網(wǎng)絡(luò)分析議來完成。對(duì)于非線性指標(biāo)的測試,傳統(tǒng)測試方案采用頻譜儀加信號(hào)源方法,但這種方案有很多
摘要:在保密通信領(lǐng)域,對(duì)隱藏在混沌信號(hào)中的信息解調(diào)是一個(gè)重要課題。為了有效地解調(diào)信息,提出一種基于主動(dòng)控制的自適應(yīng)同步策略。利用Lyapunov穩(wěn)定性理論和Chua電路模型的數(shù)值仿真證實(shí)了該策略的可行性。仿真結(jié)果
摘 要:為了增強(qiáng)指紋圖像預(yù)處理的效果,在對(duì)現(xiàn)有算法深入研究的基礎(chǔ)上,提出一種新的指紋圖像增強(qiáng)算法。先利用Radon變換來獲得圖像的方向圖,然后利用方向?yàn)V波器對(duì)該圖像進(jìn)行濾波,達(dá)到指紋圖像增強(qiáng)的目的。實(shí)驗(yàn)結(jié)果
摘要:鑒于電子技術(shù)教材的阻容耦合射極輸出器都是靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定的電路形式,都沒有分析靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定性對(duì)電路動(dòng)態(tài)性能影響的問題,因而有射極輸出器是否需要穩(wěn)定的靜態(tài)工作點(diǎn)的疑點(diǎn)問題。針對(duì)疑點(diǎn)問題,研究了
近期,受大陸家電下鄉(xiāng)刺激,臺(tái)積電、世界先進(jìn)與聯(lián)電8寸廠產(chǎn)能利用率急拉,臺(tái)積電擴(kuò)充12寸廠腳步也重新啟動(dòng),上游硅晶圓供貨商表示,近期明顯感受到8寸硅晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求,據(jù)了解MEMC目前8寸硅晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)滿載。半導(dǎo)
DRAM價(jià)格持續(xù)低于現(xiàn)金成本;2009年資本支出大減56% 隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣,加上去年下半年金融風(fēng)暴襲卷造成消費(fèi)需求急凍之下,2008年DRAM顆粒價(jià)格下跌逾85%,2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價(jià)格回到
據(jù)國外媒體報(bào)道,分析師周五稱,受經(jīng)濟(jì)滑坡等因素的影響,預(yù)計(jì)AMD將報(bào)稱第一季度虧損加大、銷售下滑。 AMD定于4月21日公布第一季度財(cái)報(bào)。此前不久,英特爾公布了第一季度財(cái)報(bào),大膽宣稱PC市場已經(jīng)見底,但許多分析師
設(shè)計(jì)了一款3.7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化,并對(duì)片上電感和射頻開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0.18 μm CMOS混合信號(hào)制造工藝,芯片面積為0.4 mm×1 mm。測試結(jié)果顯示,芯片的工作頻率為3.4~4 GHz,根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結(jié)果表明,該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能,可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)的一款寬帶反射型MMIC SPST開關(guān)的相關(guān)技術(shù),基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)開展了寬帶SPST開關(guān)設(shè)計(jì)。工作頻率范圍為DC~40 GHz,插入損耗≤0.8 dB,隔離度≥25 dB,駐波比≤1.4:l。同時(shí),對(duì)電路的通孔特性進(jìn)行了分析,對(duì)電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開關(guān),如何選擇控制器件的通孔連接方式,以及通孔數(shù)量對(duì)插入損耗等性能的影響。最終,具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關(guān)電路成功開發(fā)。
介紹了SA9904B,ATT7026A及CS5463等三相高精度電能計(jì)量芯片的原理,比較了芯片的性能指標(biāo)。SA9904B提供有功、無功電能,但不提供視在功率和相角等參數(shù);ATT7026A提供各分相、合相參數(shù),但不具有中斷功能;CS5463不但提供各種計(jì)量參數(shù),且具有中斷,更有低于12 mW的超低功耗。
利用多個(gè)微脈沖發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)行彈道修正是提高武器系統(tǒng)射擊精度的有效手段。而脈沖發(fā)動(dòng)機(jī)的點(diǎn)火策略是以彈體的滾轉(zhuǎn)角測量為基礎(chǔ)。選用MR作為磁測量元件,設(shè)計(jì)了基于地磁測量的彈體滾轉(zhuǎn)角測量系統(tǒng)。對(duì)系統(tǒng)的精度、實(shí)時(shí)性進(jìn)行了分析;給出了初步的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)仿真結(jié)果。結(jié)果表明:利用該系統(tǒng)測量彈體的滾轉(zhuǎn)角是可行的.但測量精度較低,必須進(jìn)行必要的誤差補(bǔ)償研究。